( 2.4-6
Máme tedy dvě oblasti typu substrátu typu pokud mezi kolektor emitor připojíme
napětí hradle bude nulový potenciál vůči emitoru, jedná vlastně dvě diody
zapojené proti sobě
a v
směru pak bez napětí bude pásový diagram vypadat asi tak, jak idealizované naznačeno
na Obr. 2.4. MESFET Důvodem to, rychlejší tranzistory jsou vyráběny bázi GaAs ,
u kterého ovšem veliký rozdíl mezi vlastnostmi elektronů děr jako nosičů proudu. 2.4-6 . GaAs vyšší pohyblivost elektronů než tím menší průletové doby /
Tranzistory řízené polem izolovaným hradlem nazýváme obecně IGFET pokud je
jako izolant užit kysličník křemičitý Si02 nazýváme tento tranzistor MOSFET Průřez
tranzistorem IGFET máme Obr.1 )
Kdybychom nahradili přechod hradlo emitor přechodem kov polovodič, dostali
bychom tzv.
Obr.4-8 . 2.
E
Si0 2
AI I
1 1
Si0 C
Si0 2
>—
i •
------ (-------------------- _
ir
1— 1--------------------
J 7
substrát TYP Si
Obr. Proto
nelze vytvořit bipolární tranzistor GaAs jediným možným řešením unipolární struktura
s
oblasti desítek GHz nazývá TEGFET je
užíván převážně vnějších jednotkách družicové televize mikrovlnných spojovacích
zařízeních. 2.4-7
72
.ä
dVfG
Vc konst
