Přednášky a cvičení z předmětu Elektrotechnika I a II ve třetím a čtvrtém semestru I

| Kategorie: Skripta  | Tento dokument chci!

Strana 70 z 128

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
4-6 Máme tedy dvě oblasti typu substrátu typu pokud mezi kolektor emitor připojíme napětí hradle bude nulový potenciál vůči emitoru, jedná vlastně dvě diody zapojené proti sobě a v směru pak bez napětí bude pásový diagram vypadat asi tak, jak idealizované naznačeno na Obr.4-7 72 . MESFET Důvodem to, rychlejší tranzistory jsou vyráběny bázi GaAs , u kterého ovšem veliký rozdíl mezi vlastnostmi elektronů děr jako nosičů proudu.1 ) Kdybychom nahradili přechod hradlo emitor přechodem kov polovodič, dostali bychom tzv. Proto nelze vytvořit bipolární tranzistor GaAs jediným možným řešením unipolární struktura s oblasti desítek GHz nazývá TEGFET je užíván převážně vnějších jednotkách družicové televize mikrovlnných spojovacích zařízeních. 2.4-8 . ( 2.ä dVfG Vc konst.4-6 . 2. GaAs vyšší pohyblivost elektronů než tím menší průletové doby / Tranzistory řízené polem izolovaným hradlem nazýváme obecně IGFET pokud je jako izolant užit kysličník křemičitý Si02 nazýváme tento tranzistor MOSFET Průřez tranzistorem IGFET máme Obr. E Si0 2 AI I 1 1 Si0 C Si0 2 >— i • ------ (-------------------- _ ir 1— 1-------------------- J 7 substrát TYP Si Obr.4. Obr. 2. 2