Praktické výpočty v tranzistorové technice

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.

Strana 9 z 183

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Více info o tomto dokumentu zde!

Jak získat tento dokument?

Poznámky redaktora

Rs2 tepelný odpor chladiče vstupní odpor R vstupní odpor tranzistoru nakrátko R výstupní odpor s strmost sz zpětná strmost S plocha T perioda; vratný poměr T teplota K ír doba náběhu (čela) impulsu u časově proměnné napětí U stejnosměrné napětí Ud difúzní napětí Um vrcholová hodnota sinusového napětí C/n napětí naprázdno náhradního zdroje napětí U0 napětí zdroje naprázdno Up napětí vrcholu tunelových diod C/pi závěrné napětí ochuzovacího typu tranzistoru řízeného elektrickým polem C/r usměrněné napětí C/St střední hodnota napětí Ur teplotní napětí kT/q při normální teplotě Ut prahové napětí tranzistoru řízeného elektrickým polem C/v napětí sedle tunelových diod AW rozdíl energetických hladin mezi valenčním vodivým pásem (šířka zakázaného pásu) w šířka báze y vodivostní čtyřpólový parametr Y admitance Z impedance a. kmitočtově závislé proudové zesílení nakrátko zapojení spo­ lečnou bází oc0 proudové zesílení nakrátko zapojení společnou bází ocT teplotní součinitel teplotně závislých odporů P kmitočtově závislé proudové zesílení nakrátko zapojení se společným emitorem /5 činitel zpětné vazby 11

---

---