Praktické výpočty v tranzistorové technice

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.

Strana 8 z 183

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Více info o tomto dokumentu zde!

Jak získat tento dokument?

Poznámky redaktora

C2k výstupní vodivost při vstupu nakrátko G20 výstupní vodivost při vstupu naprázdno h hybridní čtyřpólový parametr H činitel potlačení součtového signálu i časově proměnný proud / stejnosměrný proud I zbytkový proud zpětném směru / cbo zbytkový proud kolektor —báze ¡ceo zbytkový proud kolektor —emitor If fotoelektrický proud Im amplituda sinusového střídavého proudu / proud vrcholu tunelové diody / usměrněný proud Ist střední hodnota proudu / proud sedla tunelové diody k Boltzmannova konstanta 1,38 10~23 [J/K] K konstanta, všeobecně L indukčnost n koncentrace elektronů N hustota akceptorů dotovaném polovodiči N hustota donorů dotovaném polovodiči n{ hustota nosičů náboje polovodiči p koncentrace děr P výkon py koncentrace děr oblasti N Pz ztrátový výkon q náboj elektronu 1,6.10“ [C] Q jakost laděného obvodu R odpor Rd rezonanční odpor laděného obvodu Re odpor emitoru R vnitřní odpor zdroje napětí RN záporný diferenciální odpor tunelové diody Rs sériový odpor polovodiče rz diferenciální odpor stabilizační diody oblasti průrazu R9 teplotně závislý odpor Rai tepelný vnitřní odpor mezi přechodem krytem 10

---

---