Planární prenosové vedení na polovodicovém substrátu

| Kategorie: Diplomové, bakalářské práce  | Tento dokument chci!

Cílem této práce bylo seznámit se s typy planárních vedení a diskutovat jejichvlastnosti. Následně pak vytvoření reálných modelů vybraných typů vedenív programu COMSOL Multiphysics a simulací ověřit jejich vlastnosti. Druhá částpráce se zabývá modelováním polovodičového substrátu, který nahrazuje dielektrickýsubstrát použitý u vedení v první části práce. Závěrečná část práce se zabýváověřením dosažených výsledků výpočtem ve specializovaném programu TiberCAD.

Vydal: FEKT VUT Brno Autor: Pavel Chára

Strana 7 z 71

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
...... 33 7.............2............ 41 8.............................................................5 Štěrbinové vedení....................... 37 8.... 48 8........................ 56 8...........................2 Model polovodičového substrátu prostředí TiberCAD............................................ 34 7.................................... 33 7...................................................... 64 Seznam zkratek použitých symbolů..............2 Fyzikální parametry ................................2 Konfigurační soubor TiberCADu......... 34 7.1 Srovnání výsledků programem TiberCAD.................................................... 66 ......................5...............................2.................................1 Dotační profil.............................2 7.............................................................................................................. 50 8.......1 Srovnání výsledků programem TiberCAD.....2 Pohyblivost nosičů...............1 Srovnání výsledků programem TiberCAD...... 44 8................................ 42 8..............................................................2...... 53 8........1 Model polovodičového substrátu prostředí COMSOL............................3 Analýza základních rovnic okrajové podmínky .......................................................... 35 8 Model planárního přenosového vedení polovodičovém substrátu........................ 42 8........2................2. 37 8............... 61 9 Závěr ......4 Koplanární třívodičové vedení polovodičovém substrátu..............................................1 Geometrie polovodičové struktury výpočetní síť............4......................3 Nesymetrické mikropáskové vedení polovodičovém substrátu........................................................................ 65 Použitá literatura..................3 Generace rekombinace nosičů .............................................3...............