Planární prenosové vedení na polovodicovém substrátu

| Kategorie: Diplomové, bakalářské práce  | Tento dokument chci!

Cílem této práce bylo seznámit se s typy planárních vedení a diskutovat jejichvlastnosti. Následně pak vytvoření reálných modelů vybraných typů vedenív programu COMSOL Multiphysics a simulací ověřit jejich vlastnosti. Druhá částpráce se zabývá modelováním polovodičového substrátu, který nahrazuje dielektrickýsubstrát použitý u vedení v první části práce. Závěrečná část práce se zabýváověřením dosažených výsledků výpočtem ve specializovaném programu TiberCAD.

Vydal: FEKT VUT Brno Autor: Pavel Chára

Strana 14 z 71

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Více info o tomto dokumentu zde!
Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
3 Koplanární třívodičové vedení V případě koplanárního třívodičového vedení (Obr. Koplanární třívodičové vedení se zemnící plochou . Vedení proto velmi malé dielektrické ztráty lze jej použít konstrukci mikrovlnných obvodů s vysokým činitelem jakosti. Vlastní vedení zde tvoří středový pásek za štěrbinami nalézají zemní plochy. Tento typ vedení často používá při realizaci monolitických mikrovlnných integrovaných obvodů doplněn zemní rovinou (Obr. 9) [7]. jedná typ planárního vedení. Od tohoto vedení odvozeno stíněné mikropáskové vedení zavěšeným substrátem (Obr.1. vyznačuje menším vyzařováním než otevřené nesymetrické mikropáskové vedení, jeho výroba ale složitější. Koplanární třívodičové vedení Obr. 2. rozdíl mikropáskového vedení tvořeno pouze jednostranně pokoveným dielektrikem. Symetrické mikropáskové vedení Obr. srovnání s klasickým mikropáskovým vedením tohoto typu jen menší část elektromagnetického pole obsažena dielektrickém substrátu. 7), nazývané také symetrické mikropáskové vedení vysoké jakosti. Obr. Obr. Jeho výroba jednoduchá, neboť substrát není jedné strany pokoven [1]. Stíněné mikropáskové vedení se zavěšeným substrátem 2.2 Symetrické mikropáskové vedení Symetrické mikropáskové vedení (Obr.9 dosažení malého tepelného odporu dolní vodivé desce takovéto paralelní spojení mikropáskových vedení vyžaduje vyvrtat substrátu otvor [1].1