Planární prenosové vedení na polovodicovém substrátu

| Kategorie: Diplomové, bakalářské práce  | Tento dokument chci!

Cílem této práce bylo seznámit se s typy planárních vedení a diskutovat jejichvlastnosti. Následně pak vytvoření reálných modelů vybraných typů vedenív programu COMSOL Multiphysics a simulací ověřit jejich vlastnosti. Druhá částpráce se zabývá modelováním polovodičového substrátu, který nahrazuje dielektrickýsubstrát použitý u vedení v první části práce. Závěrečná část práce se zabýváověřením dosažených výsledků výpočtem ve specializovaném programu TiberCAD.

Vydal: FEKT VUT Brno Autor: Pavel Chára

Strana 14 z 71

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
srovnání s klasickým mikropáskovým vedením tohoto typu jen menší část elektromagnetického pole obsažena dielektrickém substrátu. 7), nazývané také symetrické mikropáskové vedení vysoké jakosti. Od tohoto vedení odvozeno stíněné mikropáskové vedení zavěšeným substrátem (Obr.3 Koplanární třívodičové vedení V případě koplanárního třívodičového vedení (Obr. Koplanární třívodičové vedení se zemnící plochou . Koplanární třívodičové vedení Obr. Obr. 9) [7]. Symetrické mikropáskové vedení Obr. Obr. Stíněné mikropáskové vedení se zavěšeným substrátem 2.1.2 Symetrické mikropáskové vedení Symetrické mikropáskové vedení (Obr. jedná typ planárního vedení.9 dosažení malého tepelného odporu dolní vodivé desce takovéto paralelní spojení mikropáskových vedení vyžaduje vyvrtat substrátu otvor [1]. Vlastní vedení zde tvoří středový pásek za štěrbinami nalézají zemní plochy. vyznačuje menším vyzařováním než otevřené nesymetrické mikropáskové vedení, jeho výroba ale složitější. Tento typ vedení často používá při realizaci monolitických mikrovlnných integrovaných obvodů doplněn zemní rovinou (Obr. rozdíl mikropáskového vedení tvořeno pouze jednostranně pokoveným dielektrikem.1. Jeho výroba jednoduchá, neboť substrát není jedné strany pokoven [1]. 2. Vedení proto velmi malé dielektrické ztráty lze jej použít konstrukci mikrovlnných obvodů s vysokým činitelem jakosti