Planární prenosové vedení na polovodicovém substrátu

| Kategorie: Diplomové, bakalářské práce  | Tento dokument chci!

Cílem této práce bylo seznámit se s typy planárních vedení a diskutovat jejichvlastnosti. Následně pak vytvoření reálných modelů vybraných typů vedenív programu COMSOL Multiphysics a simulací ověřit jejich vlastnosti. Druhá částpráce se zabývá modelováním polovodičového substrátu, který nahrazuje dielektrickýsubstrát použitý u vedení v první části práce. Závěrečná část práce se zabýváověřením dosažených výsledků výpočtem ve specializovaném programu TiberCAD.

Vydal: FEKT VUT Brno Autor: Pavel Chára

Strana 13 z 71

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
zobrazeno vedení používané pro spojování silně tepelně vyzařujícími součástkami, feritovými cirkulátory rezonátory vysokým činitelem jakosti.1. Obr. Překryté vedení Obr. Parazitní vlastnosti nezapouzdřených čipů začínají uplatňovat GHz výše, což určuje hranici mezi oblastmi optimálního využití hybridních monolitických mikrovlnných obvodů [1].8 2 Hybridní mikrovlnné integrované obvody Mikropásková vedení jsou hybridních mikrovlnných obvodech vytvářena na dielektrických substrátech, zatímco aktivní pasivní polovodičové prvky těmto vedením připojují formě zapouzdřených nebo nezapouzdřených prvků pájením nebo ultrazvukovým svářením. 3), odstraníme příčnou nehomogennost původního vedení, což ale technologicky velice náročné. umožňuje optimalizovat aktivní prvky obvody páskového vedení nezávisle sobě plně využít jejich dosažitelných vlastností.1 Nesymetrické mikropáskové vedení Nesymetrické mikropáskové vedení (Obr. Pak například stínění Obr. základním nejčastěji používaným typem.1 Druhy mikropáskových vedení 2. Překryté vedení varianta Obr. Vedení pro paralelní spojení Na Obr. 2. Pro potlačení některých nežádoucích vlastností tohoto vedení jej můžeme dále upravovat. [1]. Je-li mikropáskové vedení vytvořeno polovodičovém substrátu, nutná povrchová pasivace například tenkou vrstvou SiO2 (Obr. zabraňuje vyzařování z otevřeného vedení. Zapuštěním vodivého pásku dielektrika (Obr. Tyto součásti mikropáskovým vedením připojují paralelně, důvodu . Nesymetrické mikropáskové vedení Obr. Stíněné vedení Obr