Planární prenosové vedení na polovodicovém substrátu

| Kategorie: Diplomové, bakalářské práce  | Tento dokument chci!

Cílem této práce bylo seznámit se s typy planárních vedení a diskutovat jejichvlastnosti. Následně pak vytvoření reálných modelů vybraných typů vedenív programu COMSOL Multiphysics a simulací ověřit jejich vlastnosti. Druhá částpráce se zabývá modelováním polovodičového substrátu, který nahrazuje dielektrickýsubstrát použitý u vedení v první části práce. Závěrečná část práce se zabýváověřením dosažených výsledků výpočtem ve specializovaném programu TiberCAD.

Vydal: FEKT VUT Brno Autor: Pavel Chára

Strana 13 z 71

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
umožňuje optimalizovat aktivní prvky obvody páskového vedení nezávisle sobě plně využít jejich dosažitelných vlastností. 3), odstraníme příčnou nehomogennost původního vedení, což ale technologicky velice náročné. Zapuštěním vodivého pásku dielektrika (Obr. Překryté vedení Obr. Stíněné vedení Obr. zobrazeno vedení používané pro spojování silně tepelně vyzařujícími součástkami, feritovými cirkulátory rezonátory vysokým činitelem jakosti. základním nejčastěji používaným typem. Pak například stínění Obr. Vedení pro paralelní spojení Na Obr.8 2 Hybridní mikrovlnné integrované obvody Mikropásková vedení jsou hybridních mikrovlnných obvodech vytvářena na dielektrických substrátech, zatímco aktivní pasivní polovodičové prvky těmto vedením připojují formě zapouzdřených nebo nezapouzdřených prvků pájením nebo ultrazvukovým svářením. Parazitní vlastnosti nezapouzdřených čipů začínají uplatňovat GHz výše, což určuje hranici mezi oblastmi optimálního využití hybridních monolitických mikrovlnných obvodů [1]. Obr. Nesymetrické mikropáskové vedení Obr. 2. Překryté vedení varianta Obr. [1]. Pro potlačení některých nežádoucích vlastností tohoto vedení jej můžeme dále upravovat. Tyto součásti mikropáskovým vedením připojují paralelně, důvodu .1 Druhy mikropáskových vedení 2. zabraňuje vyzařování z otevřeného vedení.1.1 Nesymetrické mikropáskové vedení Nesymetrické mikropáskové vedení (Obr. Je-li mikropáskové vedení vytvořeno polovodičovém substrátu, nutná povrchová pasivace například tenkou vrstvou SiO2 (Obr