Obvody zesilovačů a přijímačů

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Milan Syrovátko

Strana 59 z 360

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Pro tento pří­ pad důležitý rozdíl velikosti zbytkového proudu /CBO, Zbytkový proud /CBOkřemíkových tranzistorů při stejné teplotě typu několik řádů menší než germaniových tranzistorů. V praxi nám teplotní závislost projeví tak, předem nastavený pracovní proud tranzistoru kolísá závislosti teplotě vnitřního systému tranzistoru. Při řešení stabilizačních obvodů tranzistorů musíme uvědomit rozdíl mezi vlastnostmi germaniových křemíkových tranzistorů.Teplotní stabilita integrovaných obvodu dána vnitřním zapojením prvků obvodu. Změna proudu kolektoru výsledným produktem teplotní závislosti tří veličin: zbytkového proudu kolektor báze /CBO, stejnosměrného proudového zesilovacího činitele /^1E, napětí báze emitor UEB, potřebného pro nastavení proudu kolekto­ ru.1. Tato vlastnost souvisí s fyzikální podstatou polovodiče musíme počítat při návrhu každého tranzistorového zařízení. Dosud literatuře běžně rozšířený způsob řešení teplotní stabilizace tranzistorů vychází pouze změny zbytkového proudu tranzistoru. VLIV TEPLOTY PRACOVNÍ REŽIM BIPOLÁRNÍHO TRANZISTORU \ s Jednou specifických vlastností tranzistorů, jak germanio­ vých, tak křemíkových, závislost stejnosměrné vodivosti materiálu polo­ vodičového přechodu vlastní vnitřní teplotě. zvyšující teplotou proud roste naopak. Protože tran­ zistoru většina vlastností pro zesilovaný signál závisí pracovním pro­ udu, nutné, aby jeho změny závislosti teplotě byly nejmenší. Proto vý­ robce obvodu udává rozsah okolních teplot, kterých zaručuje hlavní parametry funkci doporučeném zapojení. Přitom procentuální změna potřebného proudu báze přo stálý proud kolektoru při změně teploty 59 . Obvyklý teplotní rozsah bývá integrovaných obvodů nejméně —25 °C, což pro spotřební elektroniku bytových prostorech plně vyhovuje. Uká­ žeme si, tento způsob, vhodný pro germaniové tranzistory úzký rozsah pracovních teplot, naprosto nevyhovující pro křemíkové tranzis­ tory široký rozsah teplot pro oba typy. Vnějším zapojením nelze prakticky ovlivnit. 3