Přesto je
to nejrozšířenější způsob stabilizace, protože jednoduchý téměř vždy
je možné dosáhnout požadovaného stupně stabilizace. První nejčastější tzv. Vnitřní oteplení dáno
výkonovou ztrátou polovodičové součástky způsobem jejího chlazení.
Další dva způsoby stabilizace používají především pro široký rozsah
okolních teplot, který přichází úvahu leteckém provozu nebo polár
ních oblastech.
Stabilizace unipolárních tranzistorů vyžaduje obvykle individuální pří
stup ohledem technologii výroby polovodičových přechodů. Druhý způsob využívá stabilizaci teplotně závislé
prvky, jako jsou např. Nelineární stabilizace nebo stabilizace dalším aktivním prvkem
se použije případě, hlediska zpracovávaného signálu není žádoucí
připojení dalších rezistorů lineární stabilizace. Stabilizací rozumíme takové zapojení pomocných prvků tran
zistoru, které sice funkce samotného tranzistoru nezúčastňují ovlivňu
jí jej minimálně, zato však potřebnou míru omezují vliv teploty na
pracovní bod tranzistoru.STABILIZACE PRACOVNÍHO REŽIMU
TRANZISTORŮ
Stabilita pracovního režimu tranzistorů základním požadav
kem pro správnou činnost obvodu, kterém sledovaný tranzistor
zapojen.
Ke stabilizace pracovního režimu bipolárního tranzistoru používají
tři způsoby. Výrobce
těchto součástek obvykle teplotní závislosti neudává pro řešení teplotní
stabilizace, zejména širším rozsahu okolních teplot, třeba příslušné
hodnoty zjistit měřením. Výhradně použí
vá pro běžné rozsahy okolních teplot.
58
. Zařízení polovodičovými součástkami, určené pro ná
ročné klimatické podmínky, musí pracovat rozmezí teplot —60 do
+ °C. lineární stabilizace, pracující na
základě záporné stejnosměrné zpětné vazby využívající rezistorů jako
obvodových prvků. Třetí způsob stabilizuje pomocí dalšího aktivního prvku, obvykle
tranzistoru. termistory nebo diody, označuje jako nelineár
ní.
Lineární způsob neumožňuje dosažení absolutně stabilního pracovního
režimu principu, protože založen působení záporné zpětné
vazby své činnosti potřebuje vždy určité chybové napětí. Kromě okolní teploty působí tranzistor
i zvýšená teplota vyvolaná vnitřním oteplením
