Obvody zesilovačů a přijímačů

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Milan Syrovátko

Strana 44 z 360

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
nezapouzdře- nými systémy. Jedna cesta vedla k sestavování funkčních bloků tzv. minimodulů přímo diskrétních součástek. K obvodu připojuje pouze napájecí napětí, nezbytné blokovací konden­ zátory rezistorové děliče. Obvody byly dále sestavovány plošných kondenzátorů a rezistorů vhodné izolační destičce, propojeny, opatřeny vývody a zality izolační hmotou. čipy polovodičových součástek, tj. Při druhém způsobu byly součástky sdružovány plošném provedení keramickou destičku. Po zvládnutí technologie výroby běžných polovodičových součástek se v padesátých letech objevila potřeba miniaturizovat celé funkční bloky s tranzistory, diodami, rezistory malými kondenzátory. Jejich dovolená výko­ nová ztráta však pohybuje kolem 0,25 výjimečně výše. mikromoduly. Výroba integrovaného obvodu probíhá jako celek, zpravidla jednotlivých vrstvách systému. Tato technologie se 44 . době byly Spojených státech poprvé vyvinuty integrované obvody formě, jako známe dnes. 2.3. INTEGROVANÉ OBVODY S rozvojem vojenské techniky astronautiky šedesátých letech vzrostla další potřeba miniaturizace funkčních celků při současném zvět­ šení spolehlivosti. Hybridní obvody mají desetinásobně padesátinásobně menší objem hmotnost proti zapojení diskrétními součástkami na plošném spoji. Integrovaný obvod můžeme definovat jako jednotné uspořádání funkční skupiny polovodičo­ vých aktivních pasívních prvků, které tvoří mechanické stránce jediný celek, rozměry řádech menšími než odpovídající celek sestavený z diskrétních součástek. Pro výkonové zesilovače většími výkony nadále běžně používají bipolární tranzistory, když byly vyvinuty technologie výroby tranzistorů FET pro vyšší výkony. Speciální hybridní obvody malých sériích vyrábějí dodnes.Unipolární tranzistory jednou nebo dvěma řídicími elektrodami se vyrábějí pro zesilovače frekvencí více než GHz. Technologie mikromodulů dala základ přechodu hybridní obvody, které byly osazovány tzv. V jednom pouzdře integrovaného obvodu může být umístěn celý zesilo­ vač včetně koncového zesilovače, přijímač, děliče frekvence, počítač apod. Tato technologie tenkých vrstev se dále zdokonalovala jejím produktem byly tzv