Obvody zesilovačů a přijímačů

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Milan Syrovátko

Strana 44 z 360

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Hybridní obvody mají desetinásobně padesátinásobně menší objem hmotnost proti zapojení diskrétními součástkami na plošném spoji. Tato technologie se 44 . INTEGROVANÉ OBVODY S rozvojem vojenské techniky astronautiky šedesátých letech vzrostla další potřeba miniaturizace funkčních celků při současném zvět­ šení spolehlivosti. Speciální hybridní obvody malých sériích vyrábějí dodnes. době byly Spojených státech poprvé vyvinuty integrované obvody formě, jako známe dnes.3. Jejich dovolená výko­ nová ztráta však pohybuje kolem 0,25 výjimečně výše. Pro výkonové zesilovače většími výkony nadále běžně používají bipolární tranzistory, když byly vyvinuty technologie výroby tranzistorů FET pro vyšší výkony. K obvodu připojuje pouze napájecí napětí, nezbytné blokovací konden­ zátory rezistorové děliče. V jednom pouzdře integrovaného obvodu může být umístěn celý zesilo­ vač včetně koncového zesilovače, přijímač, děliče frekvence, počítač apod. Obvody byly dále sestavovány plošných kondenzátorů a rezistorů vhodné izolační destičce, propojeny, opatřeny vývody a zality izolační hmotou. Tato technologie tenkých vrstev se dále zdokonalovala jejím produktem byly tzv. Při druhém způsobu byly součástky sdružovány plošném provedení keramickou destičku. mikromoduly. Po zvládnutí technologie výroby běžných polovodičových součástek se v padesátých letech objevila potřeba miniaturizovat celé funkční bloky s tranzistory, diodami, rezistory malými kondenzátory. Jedna cesta vedla k sestavování funkčních bloků tzv. 2. čipy polovodičových součástek, tj. Výroba integrovaného obvodu probíhá jako celek, zpravidla jednotlivých vrstvách systému.Unipolární tranzistory jednou nebo dvěma řídicími elektrodami se vyrábějí pro zesilovače frekvencí více než GHz. Technologie mikromodulů dala základ přechodu hybridní obvody, které byly osazovány tzv. Integrovaný obvod můžeme definovat jako jednotné uspořádání funkční skupiny polovodičo­ vých aktivních pasívních prvků, které tvoří mechanické stránce jediný celek, rozměry řádech menšími než odpovídající celek sestavený z diskrétních součástek. minimodulů přímo diskrétních součástek. nezapouzdře- nými systémy