minimodulů přímo diskrétních
součástek. Výroba integrovaného obvodu probíhá jako
celek, zpravidla jednotlivých vrstvách systému. Obvody byly dále sestavovány plošných kondenzátorů
a rezistorů vhodné izolační destičce, propojeny, opatřeny vývody
a zality izolační hmotou. době byly Spojených státech poprvé vyvinuty
integrované obvody formě, jako známe dnes. Tato technologie se
44
. čipy polovodičových součástek, tj. Integrovaný obvod
můžeme definovat jako jednotné uspořádání funkční skupiny polovodičo
vých aktivních pasívních prvků, které tvoří mechanické stránce jediný
celek, rozměry řádech menšími než odpovídající celek sestavený
z diskrétních součástek. Hybridní obvody mají desetinásobně padesátinásobně
menší objem hmotnost proti zapojení diskrétními součástkami na
plošném spoji.
Po zvládnutí technologie výroby běžných polovodičových součástek se
v padesátých letech objevila potřeba miniaturizovat celé funkční bloky
s tranzistory, diodami, rezistory malými kondenzátory.
V jednom pouzdře integrovaného obvodu může být umístěn celý zesilo
vač včetně koncového zesilovače, přijímač, děliče frekvence, počítač apod. Jejich dovolená výko
nová ztráta však pohybuje kolem 0,25 výjimečně výše.
Technologie mikromodulů dala základ přechodu hybridní obvody,
které byly osazovány tzv. nezapouzdře-
nými systémy.Unipolární tranzistory jednou nebo dvěma řídicími elektrodami se
vyrábějí pro zesilovače frekvencí více než GHz. Tato technologie tenkých vrstev se
dále zdokonalovala jejím produktem byly tzv. Jedna cesta vedla
k sestavování funkčních bloků tzv.
K obvodu připojuje pouze napájecí napětí, nezbytné blokovací konden
zátory rezistorové děliče.
2. Při druhém způsobu byly součástky sdružovány plošném
provedení keramickou destičku. mikromoduly.3. Speciální hybridní obvody malých sériích
vyrábějí dodnes. INTEGROVANÉ OBVODY
S rozvojem vojenské techniky astronautiky šedesátých letech
vzrostla další potřeba miniaturizace funkčních celků při současném zvět
šení spolehlivosti. Pro
výkonové zesilovače většími výkony nadále běžně používají bipolární
tranzistory, když byly vyvinuty technologie výroby tranzistorů FET
pro vyšší výkony
