Obvody zesilovačů a přijímačů

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Milan Syrovátko

Strana 37 z 360

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Všechny typy tranzistorů mohou být podle vnitřní konstrukce polarity PNP nebo NPN. Podle dovolené výkonové ztráty rozdělujeme tranzistory malovýko- nové ztrátou přibližně výkonové, jejichž výkonová ztráta přesahuje může být několik desítek, výjimečně několik set wattů. U malovýkonových tranzistorů, když řízení potřebují určitý výkon, se klade důraz především zesílení napětí. Podrobné údaje a odvození vlastností dalších diod tyristorů včetně příkladů zapojení najde zájemce [2], Ještě upozorňujeme to, všechny polovodičové spínací prvky pracují velmi rychle vlivem přechodných dějů jsou zdro­ jem vysokofrekvenčního rušení, které obsáhne oblast dlouhých vln až po nejvyšší televizní pásma. 2.napětí mezi anodou katodou tyristoru téměř nulu. Zesílení bipolárního tranzisto­ ru řídí vždy změnou vstupního proudu toho plyne, jedná o výkonové zesílení. Podle účelu použití dělí tranzistory tranzistory nízkofrekvenční, vysokofrekvenční spínací.2. diak, pracující jako obousměrný omezovač, nebo triak, což je zase obousměrný tyristor jednou řídicí elektrodou. bipolárních tranzistorů, které vyznačují tím, že polarita napájejícho napětí báze proti emitoru stejná jako polarita napájecího napětí kolektoru proti emitoru. Odrušení tyristorů vhodnými filtry nebo částečně způsobem zapojení tedy nezbytné. Mimo opačnou polaritu napájecího napětí elektrické stránce tyto dva typy téměř neliší. Kombinací přechodů diod získávají další polovodičové součástky, jako např. Zatím zaměříme na nejrozšířenější typy tzv. Tyristory řady KZ500 mají dovolené napětí UBO 480 Bez chlazení mohou spínat proud 0,4 chlazením Řídicí proud je při napětí mezi řídicí elektrodou katodou asi 0,7 V. TRANZISTORY Další polovodičovou součástkou, složenou struktur různých polovodičových materiálů je, jak již víme, tranzistor. schématu je k tomu vyznačeno zvláštní tlačítko. nízkofrekvenčních tranzistorů požaduje především mini­ mální vlastní šum akustickém pásmu velký zesilovací činitel při minimálním nelineárním zkreslení velkém možném rozkmitu zesilova­ 37 . Naproti tomu výkonové tranzistory obvykle pracují zátěže, která představuje určitý výkonový spotřebič