Podle dovolené výkonové ztráty rozdělujeme tranzistory malovýko-
nové ztrátou přibližně výkonové, jejichž výkonová ztráta
přesahuje může být několik desítek, výjimečně několik set wattů.
Podle účelu použití dělí tranzistory tranzistory nízkofrekvenční,
vysokofrekvenční spínací. bipolárních tranzistorů, které vyznačují tím,
že polarita napájejícho napětí báze proti emitoru stejná jako polarita
napájecího napětí kolektoru proti emitoru.2.napětí mezi anodou katodou tyristoru téměř nulu. nízkofrekvenčních tranzistorů požaduje především mini
mální vlastní šum akustickém pásmu velký zesilovací činitel při
minimálním nelineárním zkreslení velkém možném rozkmitu zesilova
37
. Odrušení tyristorů vhodnými filtry nebo
částečně způsobem zapojení tedy nezbytné.
2. Mimo opačnou polaritu
napájecího napětí elektrické stránce tyto dva typy téměř neliší. Naproti tomu výkonové
tranzistory obvykle pracují zátěže, která představuje určitý výkonový
spotřebič.
Tyristory řady KZ500 mají dovolené napětí UBO 480 Bez
chlazení mohou spínat proud 0,4 chlazením Řídicí proud
je při napětí mezi řídicí elektrodou katodou asi 0,7 V.
U malovýkonových tranzistorů, když řízení potřebují určitý výkon,
se klade důraz především zesílení napětí. schématu je
k tomu vyznačeno zvláštní tlačítko. Podrobné údaje
a odvození vlastností dalších diod tyristorů včetně příkladů zapojení
najde zájemce [2], Ještě upozorňujeme to, všechny polovodičové
spínací prvky pracují velmi rychle vlivem přechodných dějů jsou zdro
jem vysokofrekvenčního rušení, které obsáhne oblast dlouhých vln až
po nejvyšší televizní pásma.
Kombinací přechodů diod získávají další polovodičové součástky,
jako např. diak, pracující jako obousměrný omezovač, nebo triak, což
je zase obousměrný tyristor jednou řídicí elektrodou. Zatím zaměříme
na nejrozšířenější typy tzv. Všechny typy tranzistorů mohou být podle
vnitřní konstrukce polarity PNP nebo NPN. Zesílení bipolárního tranzisto
ru řídí vždy změnou vstupního proudu toho plyne, jedná
o výkonové zesílení. TRANZISTORY
Další polovodičovou součástkou, složenou struktur různých
polovodičových materiálů je, jak již víme, tranzistor
