2.
Kombinací přechodů diod získávají další polovodičové součástky,
jako např. Zatím zaměříme
na nejrozšířenější typy tzv. Naproti tomu výkonové
tranzistory obvykle pracují zátěže, která představuje určitý výkonový
spotřebič.napětí mezi anodou katodou tyristoru téměř nulu.
U malovýkonových tranzistorů, když řízení potřebují určitý výkon,
se klade důraz především zesílení napětí. Všechny typy tranzistorů mohou být podle
vnitřní konstrukce polarity PNP nebo NPN. Odrušení tyristorů vhodnými filtry nebo
částečně způsobem zapojení tedy nezbytné. nízkofrekvenčních tranzistorů požaduje především mini
mální vlastní šum akustickém pásmu velký zesilovací činitel při
minimálním nelineárním zkreslení velkém možném rozkmitu zesilova
37
. bipolárních tranzistorů, které vyznačují tím,
že polarita napájejícho napětí báze proti emitoru stejná jako polarita
napájecího napětí kolektoru proti emitoru. schématu je
k tomu vyznačeno zvláštní tlačítko.2.
Podle dovolené výkonové ztráty rozdělujeme tranzistory malovýko-
nové ztrátou přibližně výkonové, jejichž výkonová ztráta
přesahuje může být několik desítek, výjimečně několik set wattů. Podrobné údaje
a odvození vlastností dalších diod tyristorů včetně příkladů zapojení
najde zájemce [2], Ještě upozorňujeme to, všechny polovodičové
spínací prvky pracují velmi rychle vlivem přechodných dějů jsou zdro
jem vysokofrekvenčního rušení, které obsáhne oblast dlouhých vln až
po nejvyšší televizní pásma. Mimo opačnou polaritu
napájecího napětí elektrické stránce tyto dva typy téměř neliší. Zesílení bipolárního tranzisto
ru řídí vždy změnou vstupního proudu toho plyne, jedná
o výkonové zesílení.
Tyristory řady KZ500 mají dovolené napětí UBO 480 Bez
chlazení mohou spínat proud 0,4 chlazením Řídicí proud
je při napětí mezi řídicí elektrodou katodou asi 0,7 V.
Podle účelu použití dělí tranzistory tranzistory nízkofrekvenční,
vysokofrekvenční spínací. diak, pracující jako obousměrný omezovač, nebo triak, což
je zase obousměrný tyristor jednou řídicí elektrodou. TRANZISTORY
Další polovodičovou součástkou, složenou struktur různých
polovodičových materiálů je, jak již víme, tranzistor
