4. nás vyráběly tunelové diody pod označením GE110 GE134,
s napětím kolem kolem 350 mV, kterému odpovídají
hodnoty proudu 0,1 mA.5. dal
ším zvyšování napětí přechodu diody proud dále roste stejně jako
u běžné diody. zajištěno velikostí napájecího napětí, upraveného
děličem baterie 1,5 Napájení vysokofrekvenčně přemostěno kon-
denzátorem. Nízkofrekvenční modulační napětí přivedeno přes oddělo
vací kondenzátor paralelně napájecímu napětí, jehož vnitřní odpor asi
24 Napájecí napětí tedy bude měnit rytmu modulačního napětí
a oscilátor bude frekvenčně modulován.4. dosažení spínacího napětí UBQvšak skokem naroste
proud mezi katodou anodou tyristoru klesne napětí hodnotu až
100n
vstup o
Obr. Maximální propustný
i závěrný proud roven /P.
Jejich napájecí napětí řádu desetin voltů, zdroj napětí musí mít malý
vnitřní odpor většinou požaduje, aby toto malé napětí bylo stabilizo
váno.pokles označujeme jako oblast záporného diferenciálního odporu. Frekvenčně
modulovaný oscilátor
s tunelovou diodou
. Jeho voltampérová charakteristika obr.
Spojením minimálně tří polovodičových přechodů vzniká další
součástka tyristor. 2.
Závislosti frekvence oscilátoru velikosti napájecího napětí využito
k modulaci. 2. Tunelová dioda zapojena odbočku
laděného obvodu tak, aby pracovala oblasti záporného diferenciál
ního odporu.
Příklad zapojení tunelové diody obvodu frekvenčně modulovaného
oscilátoru obr.
Tunelové diody používají jako zesilovače malých napětí, generátory,
tvarovače směšovače. Při zvýšení kladného napětí anodě roste
proud velmi málo. Ve
zpětném směru tento tyristor chová jako běžná dioda, přímém směru
má výrazně jiné vlastnosti. 2. současné době využívají poměrně málo. Bude-li oscilátoru navázána
anténa, lze zařízení použít bezdrátovému přenosu malé vzdálenosti
