Obvody zesilovačů a přijímačů

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Milan Syrovátko

Strana 35 z 360

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
nás vyráběly tunelové diody pod označením GE110 GE134, s napětím kolem kolem 350 mV, kterému odpovídají hodnoty proudu 0,1 mA. Maximální propustný i závěrný proud roven /P. dosažení spínacího napětí UBQvšak skokem naroste proud mezi katodou anodou tyristoru klesne napětí hodnotu až 100n vstup o Obr. zajištěno velikostí napájecího napětí, upraveného děličem baterie 1,5 Napájení vysokofrekvenčně přemostěno kon- denzátorem.pokles označujeme jako oblast záporného diferenciálního odporu. Tunelová dioda zapojena odbočku laděného obvodu tak, aby pracovala oblasti záporného diferenciál­ ního odporu. 2. Tunelové diody používají jako zesilovače malých napětí, generátory, tvarovače směšovače. Bude-li oscilátoru navázána anténa, lze zařízení použít bezdrátovému přenosu malé vzdálenosti. Při zvýšení kladného napětí anodě roste proud velmi málo. 2. 2. Příklad zapojení tunelové diody obvodu frekvenčně modulovaného oscilátoru obr. Závislosti frekvence oscilátoru velikosti napájecího napětí využito k modulaci. Jeho voltampérová charakteristika obr. Frekvenčně modulovaný oscilátor s tunelovou diodou . Nízkofrekvenční modulační napětí přivedeno přes oddělo­ vací kondenzátor paralelně napájecímu napětí, jehož vnitřní odpor asi 24 Napájecí napětí tedy bude měnit rytmu modulačního napětí a oscilátor bude frekvenčně modulován. Spojením minimálně tří polovodičových přechodů vzniká další součástka tyristor. Jejich napájecí napětí řádu desetin voltů, zdroj napětí musí mít malý vnitřní odpor většinou požaduje, aby toto malé napětí bylo stabilizo­ váno. současné době využívají poměrně málo. Ve zpětném směru tento tyristor chová jako běžná dioda, přímém směru má výrazně jiné vlastnosti.4. dal­ ším zvyšování napětí přechodu diody proud dále roste stejně jako u běžné diody.4.5