Obvody zesilovačů a přijímačů

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Milan Syrovátko

Strana 34 z 360

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Zjednodušeně lze říci, je toto dosaženo přidáním příměsí polovodičového materiálu diody. Tento 34 . Oblast záporného diferenciálního odporu umístěna rozmezí několika desetin voltů kladného napětí anodě diody několika miliampérů proudu. Tvar charakteristiky tunelové diody dán technologií její výroby. Výrobce dodává některých typů varikapů párované dvojice až čtveřice pro shodně laděné obvody přijímačů. Při dalším zvyšování napětí tunelová dioda chová jako běžná dioda přímém směru propustná zpětném směru. 2. Oblast záporného napětí proudu není pro činnost tunelové diody důležitá. dalším zvyšováním napětí hodnoty však proud opět klesá 7V. Vzniká zde záporný diferenciální odpor. přímém směru napětí proud stoupá hodnoty 7P. Tolerance kapacit varikapů, stejně jako parametrů všech elektronických součástek, vždy udává výrob­ ce podrobném katalogu. Vyznačují tím, část jejich voltampérové charakteristiky vykazuje pokles proudu při zvyšujícím se napětí.3. Voltampérová charakteristika diody obr.našich varikapů typ KB109G při ladicím napětí V kapacitu pF, typ KB113 při napětí kapacitu asi až 250 pF. K dalším typům diod patří tunelové diody