Obvody zesilovačů a přijímačů

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Milan Syrovátko

Strana 332 z 360

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
10. Rezonanční metoda měření L nebo C Obr. Přes oddělovací rezistory velikosti desítek kiloohmů je obvod napájen střídavým napětím generátoru frekvenci/a současně je střídavým voltmetrem měřeno maximální napětí při rezonanci.6.6. Její princip obr.5. známé indukč- nosti neznámé kapacity (nebo obráceně) utvořen paralelní rezo- Obr. Neznámé hodnoty určíme vztahů c 1 coU fU L U 0)1 fl Kondenzátory kapacitě menší než asi p,F indukčností menší než 100 lze určit rezonanční metodou podle obr. 10.rezistor Rxje nahrazen kondenzátorem Cxnebo indukčností Lx. Při tomto měření zanedbáváme ztrátové odpory kondenzátoru cívek. Můstková metoda měření impedancí nanční obvod. Můstek složený čtyř impedancí Z, až napájen jedné úhlopříčce napětím generátoru druhé úhlopříčce měřeno napětí voltmetrem Jestliže platí Z Z3 Z2 Z4 335 .5. Ze vztahu pro paralelní rezonanci určí neznámá hodnota indukčností nebo kapacity. 1 2n C K přesným metodám měření odporů, kapacit indukčností patří můstko­ vá metoda. 10. 10