Obvody zesilovačů a přijímačů

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Milan Syrovátko

Strana 31 z 360

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Jedním z nich jsou tzv. prahovém napětí daném typem materiálu polovodiče. usměrňovači diody. Každá dioda určitý dovolený mezní proud 31 . Jejich voltampérová charakteristika nemá tak lineární průběh ostré zlomy, jak výplývá zjednodušeného popisu činnosti. DIODY TYRISTORY Princip činnosti polovodičových diod jsme již uvedli. nepropustného stavu nepřechází při nulovém napě­ tí, nýbrž při určitém vyšším napětí, tzv. výkonovému zesílení však tomto zapojení dochází, protože vstupní impedance emito­ ru několik řádků menší než impedance kolektoru. Skutečná dioda vykazuje přímém směru jistý nenulový odpor, podob­ ně jako zpětném směru nemá odpor nekonečně veliký. zapojení společnou bází jako / c Je zřejmé, tento výraz bude vždy menší než jedna. Proto bývá častěji definováno proudové zesílení tranzistoru zapojení společným emito- rem jako f , ^211! Pro informaci uveďme, zesilovací činitel ho1E tranzistoru bývá 50 až 800, vstupní odpor emitoru stovky ohmů výstupní odpor kolektoru stovky kiloohmů.1. Speciální typy jsou určeny pro zesilování frekvenč­ ním pásmu několik gigahertzů. Mezi vývody anody katody kapacitu závislou velikosti polaritě vnějšího přiloženého napětí.základě předchozího rozboru můžeme definovat proudový zesilova­ cí činitel tranzistoru tzv. hlediska použití elektronických obvodech existuje mnoho druhů diod. Dále si popíšeme jednotlivé druhy polovodičových součástek, především s ohledem jejich vlastnosti možnosti použití. Princip činnosti ostatních základních polovodičových součástek vždy založen působení styku dvou nebo více vrstev polovodičů různého typu vodivosti, když vnitřní uspořádání moderních tranzistorů podstatně složitější, než bylo uvedeno. 2