Proto bývá častěji
definováno proudové zesílení tranzistoru zapojení společným emito-
rem jako f
, ^211!
Pro informaci uveďme, zesilovací činitel ho1E tranzistoru bývá 50
až 800, vstupní odpor emitoru stovky ohmů výstupní odpor kolektoru
stovky kiloohmů. usměrňovači diody. prahovém napětí daném typem
materiálu polovodiče. Mezi vývody
anody katody kapacitu závislou velikosti polaritě vnějšího
přiloženého napětí.
2. zapojení společnou bází jako
/ c
Je zřejmé, tento výraz bude vždy menší než jedna. Dále si
popíšeme jednotlivé druhy polovodičových součástek, především
s ohledem jejich vlastnosti možnosti použití. DIODY TYRISTORY
Princip činnosti polovodičových diod jsme již uvedli. hlediska
použití elektronických obvodech existuje mnoho druhů diod. Speciální typy jsou určeny pro zesilování frekvenč
ním pásmu několik gigahertzů. Princip činnosti ostatních základních
polovodičových součástek vždy založen působení styku dvou nebo
více vrstev polovodičů různého typu vodivosti, když vnitřní uspořádání
moderních tranzistorů podstatně složitější, než bylo uvedeno. Jejich voltampérová charakteristika
nemá tak lineární průběh ostré zlomy, jak výplývá zjednodušeného
popisu činnosti. výkonovému
zesílení však tomto zapojení dochází, protože vstupní impedance emito
ru několik řádků menší než impedance kolektoru. Jedním
z nich jsou tzv.základě předchozího rozboru můžeme definovat proudový zesilova
cí činitel tranzistoru tzv.1. Každá dioda určitý dovolený mezní proud
31
. nepropustného stavu nepřechází při nulovém napě
tí, nýbrž při určitém vyšším napětí, tzv.
Skutečná dioda vykazuje přímém směru jistý nenulový odpor, podob
ně jako zpětném směru nemá odpor nekonečně veliký
