Obvody zesilovačů a přijímačů

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Milan Syrovátko

Strana 30 z 360

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Tím zkrátí doba průletu děr bází zlepší frekvenční vlastnosti tranzistoru.1. Přechod báze kolektor nepředstavuje pro tyto díry žádnou bariéru a jsou naopak elektrickým polem přechodové vrstvě urychlovány zvět­ šují tak kolektorový proud. Princip činnosti tranzistoru Tranzistor skládá tří oblastí: emitoru, báze kolektoru. obr. Hrotové diody jsou tedy vhodnější pro vyšší frekvence menší proudová zatížení než plošné diody. Tranzistor je již schopen zesilovat proud.podobná. 2. Aby mohl emitorový proud nejvíce působit kolektorový, musí být tloušťka báze nejmenší. V tenké oblasti báze elektrické pole velmi malé, díry proto difundu­ jí převážně následkem své tepelné pohyblivosti napříč bází kolektoru. Proto proud tekoucí přechodem emitor — báze skládá téměř výhradně majoritních nosičů proudem děrovým. Potom bude zánik páru díra elektron, nazývaný rekombinace, také minimální. Druhý přechod, kolektor báze, polarizován vždy zpětném směru. 30 . Usměrňující přechod tvořen dotykem zahroceného drátku (většinou wolframu) polovodiči. emitor báze kolektor Obr. emitor báze, otevřen. Spojením přechodů přechodu vzniká tranzistor. V emitoru převládají nosiče náboje toho druhu, jakého po­ lovodič zhotoven.1 je nakreslena základní struktura tranzistoru, tomto případě po­ larity PNP, vyznačenými provozními napětími proudy. 2. Principem zesilování zvyšování kon­ centrace nosičů nábojů, které podílejí vedení proudu. Emitor je elektricky polarizován tak, aby měl vzhledem bázi takové před- pětí, při němž přechod PN, tj. Bázi tvoří polovodič vždy opačného typu než emitor kolektor