Přechod báze kolektor nepředstavuje pro tyto díry žádnou bariéru
a jsou naopak elektrickým polem přechodové vrstvě urychlovány zvět
šují tak kolektorový proud.
V tenké oblasti báze elektrické pole velmi malé, díry proto difundu
jí převážně následkem své tepelné pohyblivosti napříč bází kolektoru. Tím zkrátí doba průletu děr
bází zlepší frekvenční vlastnosti tranzistoru. Hrotové diody jsou tedy vhodnější pro
vyšší frekvence menší proudová zatížení než plošné diody.1
je nakreslena základní struktura tranzistoru, tomto případě po
larity PNP, vyznačenými provozními napětími proudy. Druhý přechod,
kolektor báze, polarizován vždy zpětném směru. Tranzistor je
již schopen zesilovat proud. Potom bude zánik páru díra elektron,
nazývaný rekombinace, také minimální.
emitor báze kolektor
Obr.podobná.
30
.
Aby mohl emitorový proud nejvíce působit kolektorový, musí být
tloušťka báze nejmenší. Proto proud tekoucí přechodem emitor —
báze skládá téměř výhradně majoritních nosičů proudem
děrovým. Princip činnosti
tranzistoru
Tranzistor skládá tří oblastí: emitoru, báze kolektoru. 2.1. Principem zesilování zvyšování kon
centrace nosičů nábojů, které podílejí vedení proudu. emitor báze, otevřen. obr.
V emitoru převládají nosiče náboje toho druhu, jakého po
lovodič zhotoven. Bázi
tvoří polovodič vždy opačného typu než emitor kolektor. 2. Emitor
je elektricky polarizován tak, aby měl vzhledem bázi takové před-
pětí, při němž přechod PN, tj. Usměrňující přechod tvořen dotykem zahroceného drátku
(většinou wolframu) polovodiči.
Spojením přechodů přechodu vzniká tranzistor
