Obvody zesilovačů a přijímačů

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Milan Syrovátko

Strana 30 z 360

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
V tenké oblasti báze elektrické pole velmi malé, díry proto difundu­ jí převážně následkem své tepelné pohyblivosti napříč bází kolektoru. Potom bude zánik páru díra elektron, nazývaný rekombinace, také minimální. Usměrňující přechod tvořen dotykem zahroceného drátku (většinou wolframu) polovodiči. 2. obr.1. 30 . Hrotové diody jsou tedy vhodnější pro vyšší frekvence menší proudová zatížení než plošné diody. Druhý přechod, kolektor báze, polarizován vždy zpětném směru. Proto proud tekoucí přechodem emitor — báze skládá téměř výhradně majoritních nosičů proudem děrovým. Emitor je elektricky polarizován tak, aby měl vzhledem bázi takové před- pětí, při němž přechod PN, tj. V emitoru převládají nosiče náboje toho druhu, jakého po­ lovodič zhotoven. Spojením přechodů přechodu vzniká tranzistor. Princip činnosti tranzistoru Tranzistor skládá tří oblastí: emitoru, báze kolektoru. emitor báze, otevřen.podobná. Bázi tvoří polovodič vždy opačného typu než emitor kolektor. Aby mohl emitorový proud nejvíce působit kolektorový, musí být tloušťka báze nejmenší. Principem zesilování zvyšování kon­ centrace nosičů nábojů, které podílejí vedení proudu. Přechod báze kolektor nepředstavuje pro tyto díry žádnou bariéru a jsou naopak elektrickým polem přechodové vrstvě urychlovány zvět­ šují tak kolektorový proud. Tranzistor je již schopen zesilovat proud. Tím zkrátí doba průletu děr bází zlepší frekvenční vlastnosti tranzistoru.1 je nakreslena základní struktura tranzistoru, tomto případě po­ larity PNP, vyznačenými provozními napětími proudy. 2. emitor báze kolektor Obr