2. obr.1
je nakreslena základní struktura tranzistoru, tomto případě po
larity PNP, vyznačenými provozními napětími proudy. Principem zesilování zvyšování kon
centrace nosičů nábojů, které podílejí vedení proudu.1. Bázi
tvoří polovodič vždy opačného typu než emitor kolektor.
V emitoru převládají nosiče náboje toho druhu, jakého po
lovodič zhotoven.
V tenké oblasti báze elektrické pole velmi malé, díry proto difundu
jí převážně následkem své tepelné pohyblivosti napříč bází kolektoru. Princip činnosti
tranzistoru
Tranzistor skládá tří oblastí: emitoru, báze kolektoru.
30
. Tím zkrátí doba průletu děr
bází zlepší frekvenční vlastnosti tranzistoru.
Přechod báze kolektor nepředstavuje pro tyto díry žádnou bariéru
a jsou naopak elektrickým polem přechodové vrstvě urychlovány zvět
šují tak kolektorový proud. emitor báze, otevřen.
emitor báze kolektor
Obr. Hrotové diody jsou tedy vhodnější pro
vyšší frekvence menší proudová zatížení než plošné diody.podobná. Potom bude zánik páru díra elektron,
nazývaný rekombinace, také minimální.
Spojením přechodů přechodu vzniká tranzistor. Emitor
je elektricky polarizován tak, aby měl vzhledem bázi takové před-
pětí, při němž přechod PN, tj. Tranzistor je
již schopen zesilovat proud.
Aby mohl emitorový proud nejvíce působit kolektorový, musí být
tloušťka báze nejmenší. Druhý přechod,
kolektor báze, polarizován vždy zpětném směru. Proto proud tekoucí přechodem emitor —
báze skládá téměř výhradně majoritních nosičů proudem
děrovým. Usměrňující přechod tvořen dotykem zahroceného drátku
(většinou wolframu) polovodiči. 2
