Napájení elektronických zařízení (přednášky)

| Kategorie: Skripta  | Tento dokument chci!

Elektronická zařízení potřebují ke své činnosti zdroj elektrické energie a to nejčastěji ve formě stejnosměrného DC výkonu. Postupem času zastarala klasická koncepce napájecích zdrojů proti napájenému zařízení tak mohutně, že disproporce byla nepřiměřená. Proto je možno cca od začátku 70-tých let 20. století pozorovat snahu i renomovaných firem tuto otázku řešit. U nás jsou tyto pokusy spojeny se jménem Ing.Kabeše, ve světě s tak proslulými firmami jako Hewlett§Packard a jiné. Každý napájecí zdroj lze podle Theveninovy věty nahradit sériovým spojením ideálního zdroje napětí a jeho ...

Vydal: FEKT VUT Brno Autor: UREL - Vlastislav Novotný, Pavel Vorel, Miroslav Patočka

Strana 95 z 139

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Ale skutečnosti záleží ještě typu použitých tranzistorů. Zde uplatní tzv. V inverzním režimu jsou totiž principiálně nevodivé díky své čtyřvrstvové PNPN struktuře. Zdálo proto, výhodnější jednodušší systém spínání obou tranzistorů ve větvi. Díky jeho dlouhé zotavovací době trr narostou přepínací ztráty dojde přehřátí tranzistoru případnou destrukcí. Při daném směru proudu tedy větvi tranzistor TAD neaktuální větvi neaktuální TBH.18. takovém případě varianta řízení spínáním obou tranzistorů větvi výhodná nejen pro svou jednoduchost. 8. Pokud je fyzikálně upravena tak, aby vykazovala velmi krátkou zotavovací dobu trr (většina moderních tranzistorů MOSFET), pak plně využitelná jako antiparalelní nulová dioda (další externí dioda se již obvodu ani nezapojuje). V obou větvích tedy platí, stále jeden tranzistorů sepnut. Proto proud externí diody převezme přechod B-C. Ovšem zvýšení účinnosti pak již pochopitelně nedochází.95 zdůrazníme, zátěž induktivní charakter. Při spínání obou tranzistorů větvi samozřejmě potřeba není, vždy střídavě jeden tranzistor povede druhý bude spínat zbytečně. Při systému spínání pouze aktuálního tranzistoru větvi třeba mít přesnou informaci polaritě proudu (čidlo proudu), aby bylo možno rozhodnout, který tranzistorů právě aktuální. Má-li proud směr vyznačený obr. Při spínání obou tranzistorů větvi (obr 8. Při opačné polaritě proudu jsou neaktuální TAH TBD. Je zbytečné neaktuální tranzistor větvi spínat. 8. • tranzistorů IGBT lze rovněž spínání obou tranzistorů větvi bez nebezpečí použít. • Jiná situace výkonových tranzistorů MOSFET. Zanedbáme opět celkový odpor smyčkách uzavírajících přes tlumivku proto průběhy proudů měniči aproximujeme šikmými přímkami. Po vypnutí aktuálního tranzistoru převezme proud jeho protilehlá dioda. • sepnutého bipolárního tranzistoru NPN inverzním režimu otevře přechod B-C, který se chová jako pomalá dioda menším prahovým napětím, než zmíněná externí dioda antiparalelní. případě pomalé substrátové diody ale nutno její funkci znemožnit externí diodou, zapojenou seriově tranzistoru spínání obou tranzistorů větvi pak lze klidně použít, neboť neaktuálnímu tranzistoru sériová dioda brání vést proud. Tak dostáváme systému spínání jen jednoho aktuálního tranzistoru větvi (obr 8. Název bipolární řízení pochází faktu, průběh u2(t) sestává impulsů střídající se, (tedy dvojí) polaritou. Sepnutý „neaktuální“ tranzistor MOSFET vede totiž dobře inverzním režimu úbytek něm pak může být menší, než kdyby proud vedla jen příslušná antiparalelní nulová dioda.18a) spínáme střídavě oba tranzistory každé větví, nezávisle směru proudu I2. tím vzniká úbytek napětí. vyšší účinnost). Celkové ztráty vedením jsou pak menší než při spínání jen aktuálního tranzistoru větvi (tj. . Spínáme-li pak neaktuální tranzistor větvi ležící antiparalelně této diodě, provozujeme jej vlastně inverzním režimu, který může být nebezpečný (bipolární tranzistory) nebo naopak výhodný (některé MOSFET tranzistory) anebo nemá žádný účinek (IGBT). a) bipolární řízení Princip bipolárního řízení naznačen obr. Buď jsou sepnuty tranzistory TAH TBD tvořící jednu úhlopříčku nebo TAD TBH tvořící druhou úhlopříčku. parazitní substrátová dioda, která neodstranitelnou součástí čipu, tranzistoru zapojena antiparalelně.17, pak při sepnutých tranzistorech TAH TBD prvé úhlopříčky vedou proud tyto tranzistory, při sepnuté opačné druhé úhlopříčce vedou proud pouze diody D3, protože TBH TAD proud tohoto směru vést principiálně neumí (inverzní režim).18b)