Napájení elektronických zařízení (přednášky)

| Kategorie: Skripta  | Tento dokument chci!

Elektronická zařízení potřebují ke své činnosti zdroj elektrické energie a to nejčastěji ve formě stejnosměrného DC výkonu. Postupem času zastarala klasická koncepce napájecích zdrojů proti napájenému zařízení tak mohutně, že disproporce byla nepřiměřená. Proto je možno cca od začátku 70-tých let 20. století pozorovat snahu i renomovaných firem tuto otázku řešit. U nás jsou tyto pokusy spojeny se jménem Ing.Kabeše, ve světě s tak proslulými firmami jako Hewlett§Packard a jiné. Každý napájecí zdroj lze podle Theveninovy věty nahradit sériovým spojením ideálního zdroje napětí a jeho ...

Vydal: FEKT VUT Brno Autor: UREL - Vlastislav Novotný, Pavel Vorel, Miroslav Patočka

Strana 95 z 139

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
• sepnutého bipolárního tranzistoru NPN inverzním režimu otevře přechod B-C, který se chová jako pomalá dioda menším prahovým napětím, než zmíněná externí dioda antiparalelní. Ale skutečnosti záleží ještě typu použitých tranzistorů. Buď jsou sepnuty tranzistory TAH TBD tvořící jednu úhlopříčku nebo TAD TBH tvořící druhou úhlopříčku. Zanedbáme opět celkový odpor smyčkách uzavírajících přes tlumivku proto průběhy proudů měniči aproximujeme šikmými přímkami. Je zbytečné neaktuální tranzistor větvi spínat. Název bipolární řízení pochází faktu, průběh u2(t) sestává impulsů střídající se, (tedy dvojí) polaritou. Při systému spínání pouze aktuálního tranzistoru větvi třeba mít přesnou informaci polaritě proudu (čidlo proudu), aby bylo možno rozhodnout, který tranzistorů právě aktuální.17, pak při sepnutých tranzistorech TAH TBD prvé úhlopříčky vedou proud tyto tranzistory, při sepnuté opačné druhé úhlopříčce vedou proud pouze diody D3, protože TBH TAD proud tohoto směru vést principiálně neumí (inverzní režim).95 zdůrazníme, zátěž induktivní charakter. a) bipolární řízení Princip bipolárního řízení naznačen obr. Díky jeho dlouhé zotavovací době trr narostou přepínací ztráty dojde přehřátí tranzistoru případnou destrukcí. Při spínání obou tranzistorů větvi samozřejmě potřeba není, vždy střídavě jeden tranzistor povede druhý bude spínat zbytečně. V obou větvích tedy platí, stále jeden tranzistorů sepnut. Pokud je fyzikálně upravena tak, aby vykazovala velmi krátkou zotavovací dobu trr (většina moderních tranzistorů MOSFET), pak plně využitelná jako antiparalelní nulová dioda (další externí dioda se již obvodu ani nezapojuje). Při opačné polaritě proudu jsou neaktuální TAH TBD. Celkové ztráty vedením jsou pak menší než při spínání jen aktuálního tranzistoru větvi (tj. Při spínání obou tranzistorů větvi (obr 8. Proto proud externí diody převezme přechod B-C.18a) spínáme střídavě oba tranzistory každé větví, nezávisle směru proudu I2. Tak dostáváme systému spínání jen jednoho aktuálního tranzistoru větvi (obr 8. Po vypnutí aktuálního tranzistoru převezme proud jeho protilehlá dioda. 8. Sepnutý „neaktuální“ tranzistor MOSFET vede totiž dobře inverzním režimu úbytek něm pak může být menší, než kdyby proud vedla jen příslušná antiparalelní nulová dioda. takovém případě varianta řízení spínáním obou tranzistorů větvi výhodná nejen pro svou jednoduchost. vyšší účinnost). • Jiná situace výkonových tranzistorů MOSFET. Při daném směru proudu tedy větvi tranzistor TAD neaktuální větvi neaktuální TBH.18b). 8. V inverzním režimu jsou totiž principiálně nevodivé díky své čtyřvrstvové PNPN struktuře. Spínáme-li pak neaktuální tranzistor větvi ležící antiparalelně této diodě, provozujeme jej vlastně inverzním režimu, který může být nebezpečný (bipolární tranzistory) nebo naopak výhodný (některé MOSFET tranzistory) anebo nemá žádný účinek (IGBT). Zde uplatní tzv. tím vzniká úbytek napětí. parazitní substrátová dioda, která neodstranitelnou součástí čipu, tranzistoru zapojena antiparalelně. • tranzistorů IGBT lze rovněž spínání obou tranzistorů větvi bez nebezpečí použít. Zdálo proto, výhodnější jednodušší systém spínání obou tranzistorů ve větvi. Má-li proud směr vyznačený obr. Ovšem zvýšení účinnosti pak již pochopitelně nedochází. .18. případě pomalé substrátové diody ale nutno její funkci znemožnit externí diodou, zapojenou seriově tranzistoru spínání obou tranzistorů větvi pak lze klidně použít, neboť neaktuálnímu tranzistoru sériová dioda brání vést proud