Napájení elektronických zařízení (přednášky)

| Kategorie: Skripta  | Tento dokument chci!

Elektronická zařízení potřebují ke své činnosti zdroj elektrické energie a to nejčastěji ve formě stejnosměrného DC výkonu. Postupem času zastarala klasická koncepce napájecích zdrojů proti napájenému zařízení tak mohutně, že disproporce byla nepřiměřená. Proto je možno cca od začátku 70-tých let 20. století pozorovat snahu i renomovaných firem tuto otázku řešit. U nás jsou tyto pokusy spojeny se jménem Ing.Kabeše, ve světě s tak proslulými firmami jako Hewlett§Packard a jiné. Každý napájecí zdroj lze podle Theveninovy věty nahradit sériovým spojením ideálního zdroje napětí a jeho ...

Vydal: FEKT VUT Brno Autor: UREL - Vlastislav Novotný, Pavel Vorel, Miroslav Patočka

Strana 95 z 139

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
V inverzním režimu jsou totiž principiálně nevodivé díky své čtyřvrstvové PNPN struktuře.18b). Pokud je fyzikálně upravena tak, aby vykazovala velmi krátkou zotavovací dobu trr (většina moderních tranzistorů MOSFET), pak plně využitelná jako antiparalelní nulová dioda (další externí dioda se již obvodu ani nezapojuje).18. Zdálo proto, výhodnější jednodušší systém spínání obou tranzistorů ve větvi. V obou větvích tedy platí, stále jeden tranzistorů sepnut. případě pomalé substrátové diody ale nutno její funkci znemožnit externí diodou, zapojenou seriově tranzistoru spínání obou tranzistorů větvi pak lze klidně použít, neboť neaktuálnímu tranzistoru sériová dioda brání vést proud. Při systému spínání pouze aktuálního tranzistoru větvi třeba mít přesnou informaci polaritě proudu (čidlo proudu), aby bylo možno rozhodnout, který tranzistorů právě aktuální. Spínáme-li pak neaktuální tranzistor větvi ležící antiparalelně této diodě, provozujeme jej vlastně inverzním režimu, který může být nebezpečný (bipolární tranzistory) nebo naopak výhodný (některé MOSFET tranzistory) anebo nemá žádný účinek (IGBT). parazitní substrátová dioda, která neodstranitelnou součástí čipu, tranzistoru zapojena antiparalelně. vyšší účinnost). Při spínání obou tranzistorů větvi (obr 8. Je zbytečné neaktuální tranzistor větvi spínat. Zanedbáme opět celkový odpor smyčkách uzavírajících přes tlumivku proto průběhy proudů měniči aproximujeme šikmými přímkami. Zde uplatní tzv. 8. Název bipolární řízení pochází faktu, průběh u2(t) sestává impulsů střídající se, (tedy dvojí) polaritou. tím vzniká úbytek napětí. takovém případě varianta řízení spínáním obou tranzistorů větvi výhodná nejen pro svou jednoduchost. Tak dostáváme systému spínání jen jednoho aktuálního tranzistoru větvi (obr 8. Má-li proud směr vyznačený obr. • tranzistorů IGBT lze rovněž spínání obou tranzistorů větvi bez nebezpečí použít. Celkové ztráty vedením jsou pak menší než při spínání jen aktuálního tranzistoru větvi (tj. . 8. a) bipolární řízení Princip bipolárního řízení naznačen obr.95 zdůrazníme, zátěž induktivní charakter. Díky jeho dlouhé zotavovací době trr narostou přepínací ztráty dojde přehřátí tranzistoru případnou destrukcí. Proto proud externí diody převezme přechod B-C. Sepnutý „neaktuální“ tranzistor MOSFET vede totiž dobře inverzním režimu úbytek něm pak může být menší, než kdyby proud vedla jen příslušná antiparalelní nulová dioda. Buď jsou sepnuty tranzistory TAH TBD tvořící jednu úhlopříčku nebo TAD TBH tvořící druhou úhlopříčku.17, pak při sepnutých tranzistorech TAH TBD prvé úhlopříčky vedou proud tyto tranzistory, při sepnuté opačné druhé úhlopříčce vedou proud pouze diody D3, protože TBH TAD proud tohoto směru vést principiálně neumí (inverzní režim). • Jiná situace výkonových tranzistorů MOSFET. Po vypnutí aktuálního tranzistoru převezme proud jeho protilehlá dioda.18a) spínáme střídavě oba tranzistory každé větví, nezávisle směru proudu I2. • sepnutého bipolárního tranzistoru NPN inverzním režimu otevře přechod B-C, který se chová jako pomalá dioda menším prahovým napětím, než zmíněná externí dioda antiparalelní. Při opačné polaritě proudu jsou neaktuální TAH TBD. Ovšem zvýšení účinnosti pak již pochopitelně nedochází. Ale skutečnosti záleží ještě typu použitých tranzistorů. Při daném směru proudu tedy větvi tranzistor TAD neaktuální větvi neaktuální TBH. Při spínání obou tranzistorů větvi samozřejmě potřeba není, vždy střídavě jeden tranzistor povede druhý bude spínat zbytečně