Napájení elektronických zařízení (přednášky)

| Kategorie: Skripta  | Tento dokument chci!

Elektronická zařízení potřebují ke své činnosti zdroj elektrické energie a to nejčastěji ve formě stejnosměrného DC výkonu. Postupem času zastarala klasická koncepce napájecích zdrojů proti napájenému zařízení tak mohutně, že disproporce byla nepřiměřená. Proto je možno cca od začátku 70-tých let 20. století pozorovat snahu i renomovaných firem tuto otázku řešit. U nás jsou tyto pokusy spojeny se jménem Ing.Kabeše, ve světě s tak proslulými firmami jako Hewlett§Packard a jiné. Každý napájecí zdroj lze podle Theveninovy věty nahradit sériovým spojením ideálního zdroje napětí a jeho ...

Vydal: FEKT VUT Brno Autor: UREL - Vlastislav Novotný, Pavel Vorel, Miroslav Patočka

Strana 83 z 139

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
30), pro roste výstupní napětí nade všechny meze.37) Všimněme si, při velké střídě (tj. Musí proto platit: 1 1 t I LU ∆ = (8. nutno počítat vždy nejhorší variantou režimu ohledem střídu. možné proto, indukčností neteče žádný proud, tedy nulové i di/dt tím napětí Tento stav trvá okamžiku sepnutí tranzistoru.34) 1max IID (8. Popis činnosti režimu přerušovaných proudů: Princip činnosti stejný jako režimu spojitých proudů.31) Velikost zvlnění opět závisí střídě. Proto svorkách objeví napětí (tj. pomocí doby t1. Opět tohoto měniče nastávají navíc problémy přepěťovými špičkami parazitních indukčnostech, které byly popsány kap. Ui, jedná-li motor generátorickém režimu) namísto napětí U2.6 měniče snižujícího.83 Zvlnění vstupního proudu: V době (tranzistor sepnut) proud i1(t) zvýší ∆I. 8. Střední hodnota vstupního proudu je ovšem tak malá, někdy během doby klesající proud i1(t), udržovaný jen tlumivkou klesne na nulu (dříve než skončí). Velikost ∆I určíme např. .35) ( )sIIDstř (8.32) sIICstř (8. Pozor, podle (8. Napěťové dimenzování polovodičů: Tranzistor namáhán napětím (je-li vypnut tedy dioda otevřena).8) vyjádříme ∆I: fL sU L sTU I 11 ==∆ (8. Jev vidíme obr. Napěťové namáhání polovodičů roste při zvyšování střídy (roste U2).30) Za dosadíme vztah (8. velkém výstupním napětí U2) více proudově namáhán tranzistor než dioda naopak.11. Tranzistor dimenzujeme špičkový proud, diodu střední. Proudové dimenzování polovodičů: Zanedbáme-li pilovité zvlnění proudu iC(t) tranzistorem iD(t) diodou, lze určit jejich špičkovou, střední efektivní hodnotu pomocí následujících vztahů (viz. obr. době tutéž velikost sníží. tom okamžiku zavře dioda měniči pak nevede ani ani zdroj je zcela odpojen.33) sIICef (8. Podobně dioda je namáhána tímtéž napětím při sepnutém tranzistoru. Během tlumivce napětí U1. 8. 8. zřejmé, maximální zvlnění nastane při maximální střídě (blízké jedné).36) sIIDef 11 (8.10): 1max IIC (8