Elektronická zařízení potřebují ke své činnosti zdroj elektrické energie a to nejčastěji ve formě stejnosměrného DC výkonu. Postupem času zastarala klasická koncepce napájecích zdrojů proti napájenému zařízení tak mohutně, že disproporce byla nepřiměřená. Proto je možno cca od začátku 70-tých let 20. století pozorovat snahu i renomovaných firem tuto otázku řešit. U nás jsou tyto pokusy spojeny se jménem Ing.Kabeše, ve světě s tak proslulými firmami jako Hewlett§Packard a jiné. Každý napájecí zdroj lze podle Theveninovy věty nahradit sériovým spojením ideálního zdroje napětí a jeho ...
Vydal: FEKT VUT Brno
Autor: UREL - Vlastislav Novotný, Pavel Vorel, Miroslav Patočka
Strana 83 z 139
Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.
8.33)
sIICef (8.
Opět tohoto měniče nastávají navíc problémy přepěťovými špičkami parazitních indukčnostech,
které byly popsány kap.30), pro roste výstupní napětí nade všechny meze. obr.31)
Velikost zvlnění opět závisí střídě. Jev vidíme obr. Musí proto platit:
1
1
t
I
LU
∆
= (8. Pozor, podle (8. Tranzistor dimenzujeme špičkový proud, diodu střední. Ui, jedná-li motor generátorickém
režimu) namísto napětí U2.30)
Za dosadíme vztah (8. Střední hodnota vstupního proudu je
ovšem tak malá, někdy během doby klesající proud i1(t), udržovaný jen tlumivkou klesne na
nulu (dříve než skončí). tom okamžiku zavře dioda měniči pak nevede ani ani zdroj
je zcela odpojen. možné proto, indukčností neteče žádný proud, tedy nulové i
di/dt tím napětí Tento stav trvá okamžiku sepnutí tranzistoru.6 měniče snižujícího.83
Zvlnění vstupního proudu:
V době (tranzistor sepnut) proud i1(t) zvýší ∆I.32)
sIICstř (8.
Popis činnosti režimu přerušovaných proudů:
Princip činnosti stejný jako režimu spojitých proudů.8) vyjádříme ∆I:
fL
sU
L
sTU
I 11
==∆ (8. Během tlumivce napětí U1.36)
sIIDef 11
(8.35)
( )sIIDstř (8.37)
Všimněme si, při velké střídě (tj. 8. Proto svorkách objeví napětí (tj.
Napěťové dimenzování polovodičů:
Tranzistor namáhán napětím (je-li vypnut tedy dioda otevřena). 8. velkém výstupním napětí U2) více proudově namáhán tranzistor
než dioda naopak. Napěťové namáhání polovodičů roste při
zvyšování střídy (roste U2).34)
1max
IID (8.
. pomocí doby t1. Velikost ∆I
určíme např.
Proudové dimenzování polovodičů:
Zanedbáme-li pilovité zvlnění proudu iC(t) tranzistorem iD(t) diodou, lze určit jejich špičkovou,
střední efektivní hodnotu pomocí následujících vztahů (viz. zřejmé, maximální zvlnění nastane při maximální střídě
(blízké jedné). nutno počítat
vždy nejhorší variantou režimu ohledem střídu. Podobně dioda je
namáhána tímtéž napětím při sepnutém tranzistoru.11. době tutéž velikost sníží.10):
1max
IIC (8
