Elektronická zařízení potřebují ke své činnosti zdroj elektrické energie a to nejčastěji ve formě stejnosměrného DC výkonu. Postupem času zastarala klasická koncepce napájecích zdrojů proti napájenému zařízení tak mohutně, že disproporce byla nepřiměřená. Proto je možno cca od začátku 70-tých let 20. století pozorovat snahu i renomovaných firem tuto otázku řešit. U nás jsou tyto pokusy spojeny se jménem Ing.Kabeše, ve světě s tak proslulými firmami jako Hewlett§Packard a jiné. Každý napájecí zdroj lze podle Theveninovy věty nahradit sériovým spojením ideálního zdroje napětí a jeho ...
Vydal: FEKT VUT Brno
Autor: UREL - Vlastislav Novotný, Pavel Vorel, Miroslav Patočka
Strana 78 z 139
Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.
19). Dioda však schopna jistou zotavovací dobu vést proud opačného směru, je-li
jí závěrné napětí příliš prudce vnuceno sepnutím tranzistoru. Čili třeba dimenzovat tranzistor tento špičkový proud.22)
b) Přepínací ztráty tranzistoru
Proces spínání vypínání tranzistoru neprobíhá nekonečně rychle, čili určitou dobu tranzistor
v aktivní oblasti, kdy něm vzniká velký okamžitý ztrátový výkon. Vzniká tzv. Ztrátový výkon tedy úměrný
kvadrátu ef. Teče-li již celý proud
tranzistorem, mělo znamenat uzavření diody skokový vzrůst napětí nuly (v
závěrném směru).
Poznámka:
Přídavné přepínací ztráty vznikají nulové diodě vlivem její nenulové zotavovací doby trr.21)
Bipolární tranzistor (jednoduchý Darlington) lze sepnutém stavu přibližně nahradit odporem,
jehož hodnota určena sklonem mezní přímky. stanovení těchto energií třeba přesnějšího rozboru
přepínacích procesů tranzistoru celém měniči.20)
Všimněme si, při velké střídě (tj.
Přepínací ztrátový výkon ale každém případě dán vztahem:
( )fWWP offonpř (8. třeba počítat vždy nejhorším možným
režimem (střída).78
sIICef 2
(8.
Ztrátový výkon polovodičů:
a) Ztráty vedením
Sepnutý bipolární Darlington tranzistor IGBT lze zjednodušeně představit omezeném rozsahu
proudů) jako prvek konstantním saturačním napětím UCEsat, nezávislým procházejícím proudu. Při
procesu zapínání tranzistoru přebírá tranzistor postupně proud diody. tranzistorů IGBT bývají poslední dobou energie
uváděny podrobných katalozích.18)
( )sIIDstř (8. sepnutého unipolárního výkonového tranzistoru
MOSFET přímo udávána hodnota odporu RDSon sepnutém stavu. velké výstupní napětí, blízké vstupnímu) více proudově
namáhán tranzistor než nulová dioda naopak.
Tranzistor musí být volen tak, aby špičkový proud ICmax dle (8.23)
Je tedy přímo úměrný pracovnímu kmitočtu měniče.
Diodu pak dimenzujeme proud střední dle (8. komutační zkrat, zkratový
.15) nepřesahoval jeho typový
kolektorový proud (katalogový údaj). Při jednom zapnutí promění
v teplo energie Won, při jednom vypnutí Woff. hodnoty proudu:
2
CefDSonT IRP (8.
Tedy:
CstřCEsatT IUP (8.19)
sIIDef 12
(8.17)
2max
IID (8
