Napájení elektronických zařízení (přednášky)

| Kategorie: Skripta  | Tento dokument chci!

Elektronická zařízení potřebují ke své činnosti zdroj elektrické energie a to nejčastěji ve formě stejnosměrného DC výkonu. Postupem času zastarala klasická koncepce napájecích zdrojů proti napájenému zařízení tak mohutně, že disproporce byla nepřiměřená. Proto je možno cca od začátku 70-tých let 20. století pozorovat snahu i renomovaných firem tuto otázku řešit. U nás jsou tyto pokusy spojeny se jménem Ing.Kabeše, ve světě s tak proslulými firmami jako Hewlett§Packard a jiné. Každý napájecí zdroj lze podle Theveninovy věty nahradit sériovým spojením ideálního zdroje napětí a jeho ...

Vydal: FEKT VUT Brno Autor: UREL - Vlastislav Novotný, Pavel Vorel, Miroslav Patočka

Strana 78 z 139

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
sepnutého unipolárního výkonového tranzistoru MOSFET přímo udávána hodnota odporu RDSon sepnutém stavu. Čili třeba dimenzovat tranzistor tento špičkový proud.17) 2max IID (8.23) Je tedy přímo úměrný pracovnímu kmitočtu měniče. tranzistorů IGBT bývají poslední dobou energie uváděny podrobných katalozích. Přepínací ztrátový výkon ale každém případě dán vztahem: ( )fWWP offonpř (8.20) Všimněme si, při velké střídě (tj.21) Bipolární tranzistor (jednoduchý Darlington) lze sepnutém stavu přibližně nahradit odporem, jehož hodnota určena sklonem mezní přímky. Vzniká tzv. velké výstupní napětí, blízké vstupnímu) více proudově namáhán tranzistor než nulová dioda naopak. Při jednom zapnutí promění v teplo energie Won, při jednom vypnutí Woff. Ztrátový výkon polovodičů: a) Ztráty vedením Sepnutý bipolární Darlington tranzistor IGBT lze zjednodušeně představit omezeném rozsahu proudů) jako prvek konstantním saturačním napětím UCEsat, nezávislým procházejícím proudu. Teče-li již celý proud tranzistorem, mělo znamenat uzavření diody skokový vzrůst napětí nuly (v závěrném směru). Tedy: CstřCEsatT IUP (8. třeba počítat vždy nejhorším možným režimem (střída).19) sIIDef 12 (8.15) nepřesahoval jeho typový kolektorový proud (katalogový údaj). Ztrátový výkon tedy úměrný kvadrátu ef.18) ( )sIIDstř (8.22) b) Přepínací ztráty tranzistoru Proces spínání vypínání tranzistoru neprobíhá nekonečně rychle, čili určitou dobu tranzistor v aktivní oblasti, kdy něm vzniká velký okamžitý ztrátový výkon. Při procesu zapínání tranzistoru přebírá tranzistor postupně proud diody.19). Dioda však schopna jistou zotavovací dobu vést proud opačného směru, je-li jí závěrné napětí příliš prudce vnuceno sepnutím tranzistoru. Tranzistor musí být volen tak, aby špičkový proud ICmax dle (8. Diodu pak dimenzujeme proud střední dle (8. stanovení těchto energií třeba přesnějšího rozboru přepínacích procesů tranzistoru celém měniči. Poznámka: Přídavné přepínací ztráty vznikají nulové diodě vlivem její nenulové zotavovací doby trr. komutační zkrat, zkratový .78 sIICef 2 (8. hodnoty proudu: 2 CefDSonT IRP (8