Elektronická zařízení potřebují ke své činnosti zdroj elektrické energie a to nejčastěji ve formě stejnosměrného DC výkonu. Postupem času zastarala klasická koncepce napájecích zdrojů proti napájenému zařízení tak mohutně, že disproporce byla nepřiměřená. Proto je možno cca od začátku 70-tých let 20. století pozorovat snahu i renomovaných firem tuto otázku řešit. U nás jsou tyto pokusy spojeny se jménem Ing.Kabeše, ve světě s tak proslulými firmami jako Hewlett§Packard a jiné. Každý napájecí zdroj lze podle Theveninovy věty nahradit sériovým spojením ideálního zdroje napětí a jeho ...
Vydal: FEKT VUT Brno
Autor: UREL - Vlastislav Novotný, Pavel Vorel, Miroslav Patočka
Strana 78 z 139
Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.
Ztrátový výkon tedy úměrný
kvadrátu ef. Při jednom zapnutí promění
v teplo energie Won, při jednom vypnutí Woff.
Ztrátový výkon polovodičů:
a) Ztráty vedením
Sepnutý bipolární Darlington tranzistor IGBT lze zjednodušeně představit omezeném rozsahu
proudů) jako prvek konstantním saturačním napětím UCEsat, nezávislým procházejícím proudu. komutační zkrat, zkratový
.
Tedy:
CstřCEsatT IUP (8. Teče-li již celý proud
tranzistorem, mělo znamenat uzavření diody skokový vzrůst napětí nuly (v
závěrném směru).
Poznámka:
Přídavné přepínací ztráty vznikají nulové diodě vlivem její nenulové zotavovací doby trr. velké výstupní napětí, blízké vstupnímu) více proudově
namáhán tranzistor než nulová dioda naopak. stanovení těchto energií třeba přesnějšího rozboru
přepínacích procesů tranzistoru celém měniči. třeba počítat vždy nejhorším možným
režimem (střída).
Přepínací ztrátový výkon ale každém případě dán vztahem:
( )fWWP offonpř (8. Dioda však schopna jistou zotavovací dobu vést proud opačného směru, je-li
jí závěrné napětí příliš prudce vnuceno sepnutím tranzistoru. hodnoty proudu:
2
CefDSonT IRP (8.18)
( )sIIDstř (8.17)
2max
IID (8.
Diodu pak dimenzujeme proud střední dle (8. Při
procesu zapínání tranzistoru přebírá tranzistor postupně proud diody.23)
Je tedy přímo úměrný pracovnímu kmitočtu měniče.19)
sIIDef 12
(8.20)
Všimněme si, při velké střídě (tj.15) nepřesahoval jeho typový
kolektorový proud (katalogový údaj). tranzistorů IGBT bývají poslední dobou energie
uváděny podrobných katalozích.22)
b) Přepínací ztráty tranzistoru
Proces spínání vypínání tranzistoru neprobíhá nekonečně rychle, čili určitou dobu tranzistor
v aktivní oblasti, kdy něm vzniká velký okamžitý ztrátový výkon.78
sIICef 2
(8.19). Vzniká tzv. sepnutého unipolárního výkonového tranzistoru
MOSFET přímo udávána hodnota odporu RDSon sepnutém stavu.
Tranzistor musí být volen tak, aby špičkový proud ICmax dle (8.21)
Bipolární tranzistor (jednoduchý Darlington) lze sepnutém stavu přibližně nahradit odporem,
jehož hodnota určena sklonem mezní přímky. Čili třeba dimenzovat tranzistor tento špičkový proud
