Elektronická zařízení potřebují ke své činnosti zdroj elektrické energie a to nejčastěji ve formě stejnosměrného DC výkonu. Postupem času zastarala klasická koncepce napájecích zdrojů proti napájenému zařízení tak mohutně, že disproporce byla nepřiměřená. Proto je možno cca od začátku 70-tých let 20. století pozorovat snahu i renomovaných firem tuto otázku řešit. U nás jsou tyto pokusy spojeny se jménem Ing.Kabeše, ve světě s tak proslulými firmami jako Hewlett§Packard a jiné. Každý napájecí zdroj lze podle Theveninovy věty nahradit sériovým spojením ideálního zdroje napětí a jeho ...
Vydal: FEKT VUT Brno
Autor: UREL - Vlastislav Novotný, Pavel Vorel, Miroslav Patočka
Strana 78 z 139
Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.
Při jednom zapnutí promění
v teplo energie Won, při jednom vypnutí Woff. stanovení těchto energií třeba přesnějšího rozboru
přepínacích procesů tranzistoru celém měniči.19)
sIIDef 12
(8. Ztrátový výkon tedy úměrný
kvadrátu ef. komutační zkrat, zkratový
.
Ztrátový výkon polovodičů:
a) Ztráty vedením
Sepnutý bipolární Darlington tranzistor IGBT lze zjednodušeně představit omezeném rozsahu
proudů) jako prvek konstantním saturačním napětím UCEsat, nezávislým procházejícím proudu.78
sIICef 2
(8. Při
procesu zapínání tranzistoru přebírá tranzistor postupně proud diody.
Poznámka:
Přídavné přepínací ztráty vznikají nulové diodě vlivem její nenulové zotavovací doby trr.
Diodu pak dimenzujeme proud střední dle (8.18)
( )sIIDstř (8. Čili třeba dimenzovat tranzistor tento špičkový proud. třeba počítat vždy nejhorším možným
režimem (střída).17)
2max
IID (8.22)
b) Přepínací ztráty tranzistoru
Proces spínání vypínání tranzistoru neprobíhá nekonečně rychle, čili určitou dobu tranzistor
v aktivní oblasti, kdy něm vzniká velký okamžitý ztrátový výkon. Dioda však schopna jistou zotavovací dobu vést proud opačného směru, je-li
jí závěrné napětí příliš prudce vnuceno sepnutím tranzistoru.21)
Bipolární tranzistor (jednoduchý Darlington) lze sepnutém stavu přibližně nahradit odporem,
jehož hodnota určena sklonem mezní přímky.
Tedy:
CstřCEsatT IUP (8. tranzistorů IGBT bývají poslední dobou energie
uváděny podrobných katalozích.15) nepřesahoval jeho typový
kolektorový proud (katalogový údaj). Teče-li již celý proud
tranzistorem, mělo znamenat uzavření diody skokový vzrůst napětí nuly (v
závěrném směru). sepnutého unipolárního výkonového tranzistoru
MOSFET přímo udávána hodnota odporu RDSon sepnutém stavu. hodnoty proudu:
2
CefDSonT IRP (8.
Přepínací ztrátový výkon ale každém případě dán vztahem:
( )fWWP offonpř (8.19). velké výstupní napětí, blízké vstupnímu) více proudově
namáhán tranzistor než nulová dioda naopak.23)
Je tedy přímo úměrný pracovnímu kmitočtu měniče.20)
Všimněme si, při velké střídě (tj.
Tranzistor musí být volen tak, aby špičkový proud ICmax dle (8. Vzniká tzv
