Elektronická zařízení potřebují ke své činnosti zdroj elektrické energie a to nejčastěji ve formě stejnosměrného DC výkonu. Postupem času zastarala klasická koncepce napájecích zdrojů proti napájenému zařízení tak mohutně, že disproporce byla nepřiměřená. Proto je možno cca od začátku 70-tých let 20. století pozorovat snahu i renomovaných firem tuto otázku řešit. U nás jsou tyto pokusy spojeny se jménem Ing.Kabeše, ve světě s tak proslulými firmami jako Hewlett§Packard a jiné. Každý napájecí zdroj lze podle Theveninovy věty nahradit sériovým spojením ideálního zdroje napětí a jeho ...
Vydal: FEKT VUT Brno
Autor: UREL - Vlastislav Novotný, Pavel Vorel, Miroslav Patočka
Strana 78 z 139
Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.
23)
Je tedy přímo úměrný pracovnímu kmitočtu měniče.
Přepínací ztrátový výkon ale každém případě dán vztahem:
( )fWWP offonpř (8.22)
b) Přepínací ztráty tranzistoru
Proces spínání vypínání tranzistoru neprobíhá nekonečně rychle, čili určitou dobu tranzistor
v aktivní oblasti, kdy něm vzniká velký okamžitý ztrátový výkon.18)
( )sIIDstř (8. sepnutého unipolárního výkonového tranzistoru
MOSFET přímo udávána hodnota odporu RDSon sepnutém stavu.19). třeba počítat vždy nejhorším možným
režimem (střída). Čili třeba dimenzovat tranzistor tento špičkový proud.
Tranzistor musí být volen tak, aby špičkový proud ICmax dle (8. Při
procesu zapínání tranzistoru přebírá tranzistor postupně proud diody. Ztrátový výkon tedy úměrný
kvadrátu ef. Při jednom zapnutí promění
v teplo energie Won, při jednom vypnutí Woff.
Tedy:
CstřCEsatT IUP (8. Vzniká tzv. stanovení těchto energií třeba přesnějšího rozboru
přepínacích procesů tranzistoru celém měniči.20)
Všimněme si, při velké střídě (tj. Teče-li již celý proud
tranzistorem, mělo znamenat uzavření diody skokový vzrůst napětí nuly (v
závěrném směru). Dioda však schopna jistou zotavovací dobu vést proud opačného směru, je-li
jí závěrné napětí příliš prudce vnuceno sepnutím tranzistoru. tranzistorů IGBT bývají poslední dobou energie
uváděny podrobných katalozích. hodnoty proudu:
2
CefDSonT IRP (8.
Poznámka:
Přídavné přepínací ztráty vznikají nulové diodě vlivem její nenulové zotavovací doby trr. komutační zkrat, zkratový
. velké výstupní napětí, blízké vstupnímu) více proudově
namáhán tranzistor než nulová dioda naopak.21)
Bipolární tranzistor (jednoduchý Darlington) lze sepnutém stavu přibližně nahradit odporem,
jehož hodnota určena sklonem mezní přímky.78
sIICef 2
(8.
Ztrátový výkon polovodičů:
a) Ztráty vedením
Sepnutý bipolární Darlington tranzistor IGBT lze zjednodušeně představit omezeném rozsahu
proudů) jako prvek konstantním saturačním napětím UCEsat, nezávislým procházejícím proudu.
Diodu pak dimenzujeme proud střední dle (8.17)
2max
IID (8.15) nepřesahoval jeho typový
kolektorový proud (katalogový údaj).19)
sIIDef 12
(8
