Elektronická zařízení potřebují ke své činnosti zdroj elektrické energie a to nejčastěji ve formě stejnosměrného DC výkonu. Postupem času zastarala klasická koncepce napájecích zdrojů proti napájenému zařízení tak mohutně, že disproporce byla nepřiměřená. Proto je možno cca od začátku 70-tých let 20. století pozorovat snahu i renomovaných firem tuto otázku řešit. U nás jsou tyto pokusy spojeny se jménem Ing.Kabeše, ve světě s tak proslulými firmami jako Hewlett§Packard a jiné. Každý napájecí zdroj lze podle Theveninovy věty nahradit sériovým spojením ideálního zdroje napětí a jeho ...
Vydal: FEKT VUT Brno
Autor: UREL - Vlastislav Novotný, Pavel Vorel, Miroslav Patočka
Strana 77 z 139
Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.
12)
Kde pracovní kmitočet měniče.16)
.77
Odsud plyne vztah pro ∆I:
( )
L
tUU
I 121
−
=∆ (8.
Proudové dimenzování polovodičů:
Zanedbáme-li pilovité zvlnění proudu iC(t) tranzistorem iD(t) diodou, lze určit jejich špičkovou,
střední efektivní hodnotu pomocí vztahů (odvození viz.12)
dostaneme:
fL
U
I
4
1
max pro 0,5 (8. Proto nelze dovolit zvlnění proudu velké, čili tlumivka dostatečnou indukčností nutná.13)
Z rovnice (8.9):
( )
fL
ssU
L
sTsU
I
−
=
−
=∆
11 11
(8. Hledáme maximum tohoto zvlnění.14)
Z obr.11)
Dosadíme (8. Výsledkem skutečnost, oba prvky nutno dimenzovat napětí
rovné raději dvojnásobku U1. Při procesu zániku proudu tranzistorem (vypínání tranzistoru) vzniká přídavný napěťový
impuls parazitní indukčnosti smyčky, tvořené prvky: zdroj U1, tranzistor nulová dioda D. mají kromě toho úkol i
omezení přepínacích ztrát tranzistoru. výkonový impulsní bezindukční kondenzátor (svitkový, nejlépe
s polypropylénovým dielektrikem) umístěný paralelně přívodům ale nejtěsněji dvojici
tranzistoru diody.7d) zřejmé, maximální (tj.12) dle derivaci položíme rovnu nule:
( 0211
=−=
∆
s
fL
U
ds
Id
(8. zdroj U1, tranzistor dioda musí být umístěny nejblíže sebe. praxi to
znamená nutnost použít kvalitní, tzv. špičkový) proud tranzistoru diody ∆I/2 větší než střední
hodnota I2.
Napěťové dimenzování polovodičů:
Tranzistor namáhán (ve vypnutém stavu) napětím U1, podobně dioda (při sepnutém
tranzistoru). obr 8. 8.8) (8.7):
2max
IIC (8. Derivujeme tedy
vztah (8. dosazení 0,5 vztahu (8.13) vidíme, maximum nastává při 0,5.
K omezení překmitů také používají různé odlehčovací obvody.
Vidíme, velikost zvlnění závisí střídě.15)
sIICstř (8. Pro omezení parazitní indukčnosti nutné, aby plocha zmíněné smyčky
byla nejmenší tj.
Velikost impulsu závisí velikosti proudu rychlosti vypínání (tedy strmosti di/dt) na
velikosti zmíněné indukčnosti
