Napájení elektronických zařízení (přednášky)

| Kategorie: Skripta  | Tento dokument chci!

Elektronická zařízení potřebují ke své činnosti zdroj elektrické energie a to nejčastěji ve formě stejnosměrného DC výkonu. Postupem času zastarala klasická koncepce napájecích zdrojů proti napájenému zařízení tak mohutně, že disproporce byla nepřiměřená. Proto je možno cca od začátku 70-tých let 20. století pozorovat snahu i renomovaných firem tuto otázku řešit. U nás jsou tyto pokusy spojeny se jménem Ing.Kabeše, ve světě s tak proslulými firmami jako Hewlett§Packard a jiné. Každý napájecí zdroj lze podle Theveninovy věty nahradit sériovým spojením ideálního zdroje napětí a jeho ...

Vydal: FEKT VUT Brno Autor: UREL - Vlastislav Novotný, Pavel Vorel, Miroslav Patočka

Strana 77 z 139

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
mají kromě toho úkol i omezení přepínacích ztrát tranzistoru. Vidíme, velikost zvlnění závisí střídě.13) vidíme, maximum nastává při 0,5. 8. praxi to znamená nutnost použít kvalitní, tzv.12) dle derivaci položíme rovnu nule: ( 0211 =−= ∆ s fL U ds Id (8. Pro omezení parazitní indukčnosti nutné, aby plocha zmíněné smyčky byla nejmenší tj.16) .15) sIICstř (8. obr 8. Při procesu zániku proudu tranzistorem (vypínání tranzistoru) vzniká přídavný napěťový impuls parazitní indukčnosti smyčky, tvořené prvky: zdroj U1, tranzistor nulová dioda D.11) Dosadíme (8.9): ( ) fL ssU L sTsU I − = − =∆ 11 11 (8. zdroj U1, tranzistor dioda musí být umístěny nejblíže sebe.12) Kde pracovní kmitočet měniče. dosazení 0,5 vztahu (8. Proto nelze dovolit zvlnění proudu velké, čili tlumivka dostatečnou indukčností nutná.14) Z obr. výkonový impulsní bezindukční kondenzátor (svitkový, nejlépe s polypropylénovým dielektrikem) umístěný paralelně přívodům ale nejtěsněji dvojici tranzistoru diody. Napěťové dimenzování polovodičů: Tranzistor namáhán (ve vypnutém stavu) napětím U1, podobně dioda (při sepnutém tranzistoru).77 Odsud plyne vztah pro ∆I: ( ) L tUU I 121 − =∆ (8.7): 2max IIC (8.8) (8. Derivujeme tedy vztah (8.12) dostaneme: fL U I 4 1 max pro 0,5 (8. Hledáme maximum tohoto zvlnění. Proudové dimenzování polovodičů: Zanedbáme-li pilovité zvlnění proudu iC(t) tranzistorem iD(t) diodou, lze určit jejich špičkovou, střední efektivní hodnotu pomocí vztahů (odvození viz. Velikost impulsu závisí velikosti proudu rychlosti vypínání (tedy strmosti di/dt) na velikosti zmíněné indukčnosti. Výsledkem skutečnost, oba prvky nutno dimenzovat napětí rovné raději dvojnásobku U1.13) Z rovnice (8. špičkový) proud tranzistoru diody ∆I/2 větší než střední hodnota I2.7d) zřejmé, maximální (tj. K omezení překmitů také používají různé odlehčovací obvody