Elektronická zařízení potřebují ke své činnosti zdroj elektrické energie a to nejčastěji ve formě stejnosměrného DC výkonu. Postupem času zastarala klasická koncepce napájecích zdrojů proti napájenému zařízení tak mohutně, že disproporce byla nepřiměřená. Proto je možno cca od začátku 70-tých let 20. století pozorovat snahu i renomovaných firem tuto otázku řešit. U nás jsou tyto pokusy spojeny se jménem Ing.Kabeše, ve světě s tak proslulými firmami jako Hewlett§Packard a jiné. Každý napájecí zdroj lze podle Theveninovy věty nahradit sériovým spojením ideálního zdroje napětí a jeho ...
Vydal: FEKT VUT Brno
Autor: UREL - Vlastislav Novotný, Pavel Vorel, Miroslav Patočka
Strana 77 z 139
Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.
7d) zřejmé, maximální (tj. obr 8.12)
dostaneme:
fL
U
I
4
1
max pro 0,5 (8.12) dle derivaci položíme rovnu nule:
( 0211
=−=
∆
s
fL
U
ds
Id
(8.12)
Kde pracovní kmitočet měniče.11)
Dosadíme (8.
Velikost impulsu závisí velikosti proudu rychlosti vypínání (tedy strmosti di/dt) na
velikosti zmíněné indukčnosti.14)
Z obr.
Napěťové dimenzování polovodičů:
Tranzistor namáhán (ve vypnutém stavu) napětím U1, podobně dioda (při sepnutém
tranzistoru). Hledáme maximum tohoto zvlnění.13)
Z rovnice (8.7):
2max
IIC (8. mají kromě toho úkol i
omezení přepínacích ztrát tranzistoru.
Vidíme, velikost zvlnění závisí střídě. Výsledkem skutečnost, oba prvky nutno dimenzovat napětí
rovné raději dvojnásobku U1. Pro omezení parazitní indukčnosti nutné, aby plocha zmíněné smyčky
byla nejmenší tj.
K omezení překmitů také používají různé odlehčovací obvody.77
Odsud plyne vztah pro ∆I:
( )
L
tUU
I 121
−
=∆ (8. špičkový) proud tranzistoru diody ∆I/2 větší než střední
hodnota I2.9):
( )
fL
ssU
L
sTsU
I
−
=
−
=∆
11 11
(8.13) vidíme, maximum nastává při 0,5. Při procesu zániku proudu tranzistorem (vypínání tranzistoru) vzniká přídavný napěťový
impuls parazitní indukčnosti smyčky, tvořené prvky: zdroj U1, tranzistor nulová dioda D. dosazení 0,5 vztahu (8. výkonový impulsní bezindukční kondenzátor (svitkový, nejlépe
s polypropylénovým dielektrikem) umístěný paralelně přívodům ale nejtěsněji dvojici
tranzistoru diody.8) (8.15)
sIICstř (8.16)
.
Proudové dimenzování polovodičů:
Zanedbáme-li pilovité zvlnění proudu iC(t) tranzistorem iD(t) diodou, lze určit jejich špičkovou,
střední efektivní hodnotu pomocí vztahů (odvození viz. Proto nelze dovolit zvlnění proudu velké, čili tlumivka dostatečnou indukčností nutná. 8. zdroj U1, tranzistor dioda musí být umístěny nejblíže sebe. Derivujeme tedy
vztah (8. praxi to
znamená nutnost použít kvalitní, tzv
