Napájení elektronických zařízení (přednášky)

| Kategorie: Skripta  | Tento dokument chci!

Elektronická zařízení potřebují ke své činnosti zdroj elektrické energie a to nejčastěji ve formě stejnosměrného DC výkonu. Postupem času zastarala klasická koncepce napájecích zdrojů proti napájenému zařízení tak mohutně, že disproporce byla nepřiměřená. Proto je možno cca od začátku 70-tých let 20. století pozorovat snahu i renomovaných firem tuto otázku řešit. U nás jsou tyto pokusy spojeny se jménem Ing.Kabeše, ve světě s tak proslulými firmami jako Hewlett§Packard a jiné. Každý napájecí zdroj lze podle Theveninovy věty nahradit sériovým spojením ideálního zdroje napětí a jeho ...

Vydal: FEKT VUT Brno Autor: UREL - Vlastislav Novotný, Pavel Vorel, Miroslav Patočka

Strana 119 z 139

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
9.6 nakreslena hysterezní smyčka pro jádro transformátoru jednočinného dvojčinného propustného měniče. případné rozptylové indukčnosti totiž jinak vznikají napěťové překmity namáhající tranzistor při jeho vypnutí. Komutace primárního napětí transformátoru je pak zajištěna použitím dvou primárních vinutí místo jednoho původního. např. V méně náročných aplikacích lze velmi často setkat variantou dvojčinného propustného měniče zvanou „push-pull“. magnetizaci jádra. obr. Jinak došlo krátkodobému současnému sepnutí obou tranzistorů větvi. 9. .3. 3) Nutno zajistit tzv. Jedná podobný nepříznivý jev jako u jednočinného měniče demagnetizačním vinutím, viz.119 uvedeno kap.7. 4) nutné zajistit dokonalou symetrii buzení pro zaručení nulové střední hodnoty u1, jinak dojde k ss. Nejedná již můstkové zapojení avšak funkce režim sycení transformátoru jsou totožné.2 jsou hysterezní ztráty úměrné ploše hysterezní smyčky. V zapojení jsou použity pouze dva spínací tranzistory. zapojení „push-pull“ podílí příslušný tranzistor diodou ležící antiparalelně k druhému tranzistoru (tj. zřejmé, pro správnou činnost pak potřebná dokonale těsná vazba mezi oběma primárními vinutími.2. Vidíme, že plocha smyčky asi čtyřikrát větší než plocha smyčky b), neboť lineární rozměry vzrostly dvakrát. sekundární straně je zapojení shodné můstkovým. V můstkovém zapojení vedení proudu dané polarity podílí příslušný tranzistor svou protilehlou diodou. Integrované obvody pro řízení pulsních měničů jsou sice tomu uzpůsobeny, ale dochází výraznému zvýšení složitosti systému. Nevýhody oproti jednočinnému můstkovému měniči: 1) Složitější řízení silový obvod. 2) Přibližně čtyřikrát větší hysterezní ztráty jádře. D1).2. praxi musíme zapínací signál pro druhou úhlopříčku opozdit vypínacím signálem úhlopříčky první dobu t0, zvanou odskok, mrtvá doba, dead time. a) b) S2 H B Bmax -Bmax H B Bmax BR S1 0 0 Obr 9. Schéma zapojení obr. kap. ochrannou dobu režimu plného otevření, kdy vypnutí jedné úhlopříčky zapínáme teoreticky okamžitě druhou. 9.6 Magnetizace jádra transformátoru měniče a) dvojčinný propustný měnič b) jednočinný propustný měnič Vlastnosti měniče: Výhoda oproti jednočinnému můstkovému měniči: Poloviční počet závitů pro stejný kmitočet stejné jádro tlustší použitelné vodiče větší možný přenášený výkon