Elektronická zařízení potřebují ke své činnosti zdroj elektrické energie a to nejčastěji ve formě stejnosměrného DC výkonu. Postupem času zastarala klasická koncepce napájecích zdrojů proti napájenému zařízení tak mohutně, že disproporce byla nepřiměřená. Proto je možno cca od začátku 70-tých let 20. století pozorovat snahu i renomovaných firem tuto otázku řešit. U nás jsou tyto pokusy spojeny se jménem Ing.Kabeše, ve světě s tak proslulými firmami jako Hewlett§Packard a jiné. Každý napájecí zdroj lze podle Theveninovy věty nahradit sériovým spojením ideálního zdroje napětí a jeho ...
Vydal: FEKT VUT Brno
Autor: UREL - Vlastislav Novotný, Pavel Vorel, Miroslav Patočka
Strana 119 z 139
Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.
7.2. obr. Nejedná již můstkové zapojení avšak funkce režim sycení transformátoru
jsou totožné.2.3.
Nevýhody oproti jednočinnému můstkovému měniči:
1) Složitější řízení silový obvod. praxi musíme zapínací signál pro druhou úhlopříčku
opozdit vypínacím signálem úhlopříčky první dobu t0, zvanou odskok, mrtvá doba, dead time.6 Magnetizace jádra transformátoru měniče
a) dvojčinný propustný měnič
b) jednočinný propustný měnič
Vlastnosti měniče:
Výhoda oproti jednočinnému můstkovému měniči:
Poloviční počet závitů pro stejný kmitočet stejné jádro tlustší použitelné vodiče větší možný
přenášený výkon.2 jsou hysterezní ztráty úměrné ploše hysterezní smyčky.
Jinak došlo krátkodobému současnému sepnutí obou tranzistorů větvi. zřejmé, pro správnou činnost pak potřebná dokonale
těsná vazba mezi oběma primárními vinutími. např. D1). 9.
V méně náročných aplikacích lze velmi často setkat variantou dvojčinného propustného měniče
zvanou „push-pull“. magnetizaci jádra.6 nakreslena
hysterezní smyčka pro jádro transformátoru jednočinného dvojčinného propustného měniče. Komutace primárního napětí transformátoru je
pak zajištěna použitím dvou primárních vinutí místo jednoho původního. případné rozptylové indukčnosti totiž jinak vznikají
napěťové překmity namáhající tranzistor při jeho vypnutí. zapojení „push-pull“ podílí příslušný tranzistor diodou ležící antiparalelně
k druhému tranzistoru (tj. Integrované obvody pro řízení pulsních měničů jsou sice tomu
uzpůsobeny, ale dochází výraznému zvýšení složitosti systému. Jedná podobný nepříznivý jev jako u
jednočinného měniče demagnetizačním vinutím, viz. 9. sekundární straně je
zapojení shodné můstkovým.
. Vidíme,
že plocha smyčky asi čtyřikrát větší než plocha smyčky b), neboť lineární rozměry vzrostly
dvakrát. Schéma zapojení obr. 9.
V můstkovém zapojení vedení proudu dané polarity podílí příslušný tranzistor svou
protilehlou diodou.
3) Nutno zajistit tzv. ochrannou dobu režimu plného otevření, kdy vypnutí jedné úhlopříčky
zapínáme teoreticky okamžitě druhou.119
uvedeno kap. kap.
2) Přibližně čtyřikrát větší hysterezní ztráty jádře.
V zapojení jsou použity pouze dva spínací tranzistory.
4) nutné zajistit dokonalou symetrii buzení pro zaručení nulové střední hodnoty u1, jinak dojde k
ss.
a) b)
S2
H
B
Bmax
-Bmax
H
B
Bmax
BR
S1
0 0
Obr 9
