Moderní bezdrátová komunikace (přednášky)

| Kategorie: Skripta  | Tento dokument chci!

V úvodní kapitole společně projdeme cestou objevů, nápadů i omylů, které umožnily vývoj prostředků pro bezdrátovou komunikaci až do jejich současné podoby. Dříve, než se vydáme na procházku historií, definujme si cíl, ke kterému chceme dojít. Komunikace je obecně charakterizována výměnou informací mezi dvěma (nebo více) uživateli.

Vydal: FEKT VUT Brno Autor: UREL - Martin Slanina

Strana 19 z 170

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Obvody SSI byly kl´ıˇcov´e prvn´ıch kosmick´ych projektech programy Minuteman Apollo potˇrebovaly lehk´e digit´aln´ı poˇc´ıtaˇce pro sv´e ˇr´ıd´ıc´ı syst´emy.4. Nˇekter´e spoje byly tvoˇreny dr´atov´ymi v´yvody samotn´ych souˇc´astek. 1. Takov´e obvody oznaˇcujeme pojmem Small-Scale Integration (SSI) obvody mal´ym stupnˇem integrace.Modern´ı bezdr´atov´a komunikace kladatel firmy Sony Masaru Ibuka.12: Tranzistorov´y pˇrij´ımaˇc Ragency TR-1 (vlevo) Sony TR-55 (vpravo). Tyto obvody byly ekonomick´eho hlediska velmi atraktivn´ı, protoˇze jejich v´yroba byla jen m´alo draˇzˇs´ı podovn´an´ı SSI, ale umoˇzˇnovaly v´yrobu mnohem sloˇzitˇejˇs´ıch syst´em˚u pˇri vyuˇzit´ı menˇs´ıch desek, jednoduˇsˇs´ım osazov´an´ım (bylo nutn´e osadit menˇs´ı poˇcet souˇc´astek) a mnoha dalˇs´ımi v´yhodami.12). let byly pˇredstaveny obvody integruj´ıc´ı stovky tranzistor˚u jedin´em ˇcipu – takov´e obvody oznaˇcuj´ı jako Medium-Scale Integration (MSI) obvody stˇredn´ım stupnˇem integrace. Pozdˇeji tak integrovan´e obvody zaˇcaly objevovat spotˇrebn´ı elektronice. TR-55 mnoha ohledech podobal pˇrij´ımaˇci TR-1 (oba pˇr´ıstroje jsou zn´azornˇeny obr. Integrovan´e obvody jako 1kB RAM, kalkul´atorov´e ˇcipy prvn´ı mikroprocesory, kter´e zaˇcaly b´yt vyr´abˇeny zaˇc´atku 70. let 20. 1. Dalˇs´ı v´yvoj vedl polovinˇe 70. roce 1956 se Dummer pokusil postavit takov´y obvod, bohuˇzel bez ´uspˇechu. Obr. Byl rovnˇeˇz nap´ajen bateri´ı napˇet´ım 22,5 mnoho pokroˇcilejˇs´ı byl napˇr. Dalˇs´ı v´yvoj t´eto technologie sah´a aˇz oblasti hybridn´ıch monolitick´ych obvod˚u tak, jak zn´ame dnes. Intenzivn´ı v´yvoj v t´eto oblasti vy´ustil vyroben´ı prvn´ı desky ploˇsn´ych spoj˚u. Prvn´ı integrovan´e obvody obsahovaly pouze nˇekolik tranzistor˚u ˇr´adovˇe des´ıtky. Pˇri jeho uveden´ı byl tak´e poprv´e pouˇzit fi- remn´ı n´azev ”Sony”.4 Integrovan´e obvody Do zaˇc´atku 40. sedmitranzistorov´y pˇrij´ımaˇc Sony TR-7 (1957), kter´y bez probl´em˚u fungoval obyˇcejn´e ˇcl´anky sv´ym pˇr´ıjmem mohl rovnat elektronkov´ymi pˇrij´ımaˇci. S n´apadem v´yrobu monolitick´eho integrovan´eho obvodu pˇriˇsel roce 1952 A. Na konci 60. Pro tyto programy byly zkoupeny t´emˇeˇr veˇsker´e integrovan´e obvody, vyroben´e letech 1960 1963, z´aroveˇn tyto programy tvoˇrily popt´avku, kter´a zajistila fi- nancov´an´ı v´yvoje vylepˇsen´ı, ˇc´ımˇz podaˇrilo v´yraznˇe sn´ıˇzit v´yrobn´ı n´aklady integrovan´ych obvod˚u. stolet´ı vyr´abˇely r´adiov´e vys´ılaˇca pˇrij´ımaˇce pˇripevnˇen´ım hlavn´ıch souˇc´ast´ı dˇrevˇen´e nebo kovov´e ˇsas´ı vytvoˇren´ım vodiv´ych spoj˚u pomoc´ı mˇedˇen´ych dr´at˚u. Dummer, pracuj´ıc´ı pro Radarovou spoleˇcnost Britsk´eho ministerstva obrany. let obvod˚um Large-Scale Integration (LSI) obvody vy- sok´ym stupnˇem integrace, kter´e obsahuj´ı tis´ıce tranzistor˚u jedin´em ˇcipu. 1. Opravdov´e LSI obvody, bl´ıˇz´ıc´ı 000 tranzistor˚um . pr˚ubˇehu druh´e svˇetov´e v´alky objevila velk´a popt´avka zmenˇsen´ı velikosti elektronick´ych zaˇr´ızen´ı. Vyrobit prvn´ı integrovan´y obvod podaˇrilo zcela nez´avisle dvˇema vˇedc˚um: Kilbymu ze spoleˇcnosti Texas Instruments ´unoru 1959 Noyceovi Fairchild Semiconductor dubnu 1961. Ibuka z´ıskal zvl´aˇstn´ı povolen´ı japonsk´eho ministerstva financ´ı zaplacen´ı licenˇcn´ıho poplatku v´yˇsi 000 dolar˚u roce 1955 firma Sony uvedla sv˚uj vlastn´ı kapesn´ı tranzistorov´y pˇrij´ımaˇc TR-55. Zat´ımco ˇr´ıd´ıc´ı syst´em pro projekt Apollo byl hnac´ım motorem v´yvoje integrovan´ych obvod˚u, projekt Minuteman missile pˇrispˇel k jejich masov´e produkci. let, mˇely asi 000 tranzistor˚u