Modelování mikrovlnných struktur na bázi SIIG

| Kategorie: Diplomové, bakalářské práce  | Tento dokument chci!

Dobře známý dielektrický vlnovod se zemní deskou dosahuje v oblasti milimetrových vlnzajímavých výsledků. Oproti běžným typům vedení a vlnovodů se vyznačuje především svýmnízkým průchozím útlumem pro kmitočty blížící se 100 GHz. Tato práce se detailně zabývájeho vlastnostmi a především typem úpravy vysokopermitivitního substrátu pro dosaženíimplementace vlnovodu do dielektrické desky (SIIG). Práce dále obsahuje i návrhy pro různézpůsoby přechodu z běžně používaných vedení a vlnovodů. Za pomoci simulace, využívajícímetodu konečných prvků, je dosaženo hodnoty útlumu pod hranici 2 dB, která odpovídá délcevlnovodu 2 cm a obsahuje mimo samotného vlnovodu i dvojici přechodů. V neposlední řaděje v této práci navržen také způsob výroby a uplatnění SIIG vlnovodu v praxi.

Vydal: FEKT VUT Brno Autor: Tomáš Teplý

Strana 35 z 45

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
5. .35 Obr.2: Srovnání průchozího útlumu CPW mikropáskového přechodu (s21 parametr). 5.3) hodnoty získané počítačovou analýzou. Pro tento výpočet opět nutné použít ideální bezztrátový model vlnovodu. Zde jsou ve stejném barevném provedení jako předešlých dvou obrázků pro srovnání vyneseny výsledky vyzařování, získané aplikaci rovnice (2.4). Nechtěnnému parazitnímu vyzařování věnuje další obrázek (obr. dosažení horní zmíněné hranice ovšem schopnost přenášení EM vln výrazně zhorší dokonce křivka vystoupá vyšší hodnoty vyzařování okolního prostoru než 50%. V rozmezí 100 GHz klesne vyzařování pod hranici vykazuje opět lepší výsledky než mikropáskový přechod. vypočítaných průběhů zřejmé, výrazně vyššího vyzařování dosahuje CPW přechod frekvencích v blízkosti GHz, avšak tato kmitočtová oblast nachází nepropustném pásmu vedení. Obr. 5. přímé závislosti znamená, více než polovina vstupní energie je během přenosu vedením vyzářena okolního prostoru.3: Srovnání činitele odrazu vstupu CPW mikropáskového přechodu (s11 parametr)