Materiál týmu pracovníků elektrotechnických laboratoří

| Kategorie: Skripta  | Tento dokument chci!

Ukázka skript Elektrotechnická měření - pracovní sešit pro třetí ročník KONTROLA A CEJCHOVÁNÍ MĚŘÍCÍCH PŘÍSTROJŮ - Kontrola spočívá ve stanovení chyby kontrolované stupnice. - Cejchování spočívá v nakreslení nové stupnice, přičemž měrné body vynášíme podle normálového přístroje. Při kontrole postupujeme tak, že celé dílky nastavujeme na kontrolovaném přístroji a na přesném přístroji odečítáme správný údaj. Používáme ten druh proudu pro který je přístroj určen. 1) Kontrola voltmetru Výpočty: absolutní chyba: Ap= N- naměřená hodnota (hodnota na kontrolovaném přístroji) S- skutečná hodnota (hodnota na přesném přístroji) korekce: K= relativní chyba: ÓRM = M= měřící rozsah Třídu přesnosti určíme tak, že zjištěnou největší relativní chybu zaokrouhlíme na nejbližší vyšší hodnotu tříd přesnosti stanovených normou z řady 0,1; 0,2; 0,5; 1; 1,5; 2,5; 5. Korekční křivka- závislost K= f (a) Jediná křivka jejíž body spojujeme přímkami (neprokládáme) Příklad tabulky: Kontrolovaný voltmetr přesný voltmetr ...

Autor: Střední průmyslová škola a Vyšší odborná škola, Chomutov

Strana 60 z 125

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Měření charakteristiky diaku její zobrazení osciloskopu 18. Měření jalového výkonu Gorgessovým můstkem 14. Měření výkonu metodou dvou wattmetrů 13. Měření kapacity Ohmovou metodou Scheringovým můstkem 11. Kontrola cejchování V,A W 2. Měření odporů srovnávací metodou substituční metodou 4. Měření odporů Thomsonovým můstkem 6. Měření jednofázovém transformátoru I 12. Měření odporů Wheatstonovým můstkem 5. Měření charakteristik bipolárního tranzistoru 19. Měření indukčnosti kapacity rezonanční metodou 10. součástek 24. Měření jednofázovém transformátoru II 15. Absolvování přezkoušení podmínkou klasifikace. Měření ztrát železe Epsteinovým přístrojem 16. Měření logických obvodech TTL II 23. Měření vlastností tranzistoru MOSFET Během školního roku budou provedena praktická přezkoušení vždy po naměření úloh. Měření odporů Ohmovou metodou 3. Základní měření osciloskopem 9. Měření logických obvodech TTL I 22. Měření charakteristik tranzistoru MOSFET 20. Měření statických dynamických parametrů optočlenu 21. Měření charakteristik doby zotavení polovodičových diod 17. Měření vlastní vzájemné indukčnosti Ohmovou metodou 7. Měření idukčnosti jádrem V,A W 8. Měření charakteristik fotoel.V3PRAKTICKÁ MĚŘENÍ SEZNAM ÚLOH školní rok 2012/2013 ÚLOHA REFERÁTY 1.