Materiál týmu pracovníků elektrotechnických laboratoří

| Kategorie: Skripta  | Tento dokument chci!

Ukázka skript Elektrotechnická měření - pracovní sešit pro třetí ročník KONTROLA A CEJCHOVÁNÍ MĚŘÍCÍCH PŘÍSTROJŮ - Kontrola spočívá ve stanovení chyby kontrolované stupnice. - Cejchování spočívá v nakreslení nové stupnice, přičemž měrné body vynášíme podle normálového přístroje. Při kontrole postupujeme tak, že celé dílky nastavujeme na kontrolovaném přístroji a na přesném přístroji odečítáme správný údaj. Používáme ten druh proudu pro který je přístroj určen. 1) Kontrola voltmetru Výpočty: absolutní chyba: Ap= N- naměřená hodnota (hodnota na kontrolovaném přístroji) S- skutečná hodnota (hodnota na přesném přístroji) korekce: K= relativní chyba: ÓRM = M= měřící rozsah Třídu přesnosti určíme tak, že zjištěnou největší relativní chybu zaokrouhlíme na nejbližší vyšší hodnotu tříd přesnosti stanovených normou z řady 0,1; 0,2; 0,5; 1; 1,5; 2,5; 5. Korekční křivka- závislost K= f (a) Jediná křivka jejíž body spojujeme přímkami (neprokládáme) Příklad tabulky: Kontrolovaný voltmetr přesný voltmetr ...

Autor: Střední průmyslová škola a Vyšší odborná škola, Chomutov

Strana 60 z 125

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Měření jednofázovém transformátoru II 15. Měření charakteristik doby zotavení polovodičových diod 17. Měření odporů Wheatstonovým můstkem 5.V3PRAKTICKÁ MĚŘENÍ SEZNAM ÚLOH školní rok 2012/2013 ÚLOHA REFERÁTY 1. Měření jednofázovém transformátoru I 12. Měření logických obvodech TTL II 23. Měření kapacity Ohmovou metodou Scheringovým můstkem 11. Měření odporů Ohmovou metodou 3. Měření jalového výkonu Gorgessovým můstkem 14. Měření odporů Thomsonovým můstkem 6. Měření logických obvodech TTL I 22. Základní měření osciloskopem 9. Měření indukčnosti kapacity rezonanční metodou 10. Kontrola cejchování V,A W 2. součástek 24. Měření vlastností tranzistoru MOSFET Během školního roku budou provedena praktická přezkoušení vždy po naměření úloh. Měření vlastní vzájemné indukčnosti Ohmovou metodou 7. Měření odporů srovnávací metodou substituční metodou 4. Měření charakteristik bipolárního tranzistoru 19. Měření charakteristik fotoel. Absolvování přezkoušení podmínkou klasifikace. Měření idukčnosti jádrem V,A W 8. . Měření ztrát železe Epsteinovým přístrojem 16. Měření statických dynamických parametrů optočlenu 21. Měření charakteristiky diaku její zobrazení osciloskopu 18. Měření výkonu metodou dvou wattmetrů 13. Měření charakteristik tranzistoru MOSFET 20