Ukázka skript Elektrotechnická měření - pracovní sešit pro třetí ročník
KONTROLA A CEJCHOVÁNÍ MĚŘÍCÍCH PŘÍSTROJŮ
- Kontrola spočívá ve stanovení chyby kontrolované stupnice.
- Cejchování spočívá v nakreslení nové stupnice, přičemž měrné body vynášíme podle
normálového přístroje.
Při kontrole postupujeme tak, že celé dílky nastavujeme na kontrolovaném přístroji a
na přesném přístroji odečítáme správný údaj.
Používáme ten druh proudu pro který je přístroj určen.
1) Kontrola voltmetru
Výpočty:
absolutní chyba:
Ap=
N- naměřená hodnota
(hodnota na kontrolovaném přístroji)
S- skutečná hodnota
(hodnota na přesném přístroji)
korekce:
K=
relativní chyba:
ÓRM =
M= měřící rozsah
Třídu přesnosti určíme tak, že zjištěnou největší relativní chybu zaokrouhlíme na
nejbližší vyšší hodnotu tříd přesnosti stanovených normou z řady 0,1; 0,2; 0,5; 1; 1,5;
2,5; 5. Korekční křivka- závislost K= f (a)
Jediná křivka jejíž body spojujeme přímkami (neprokládáme)
Příklad tabulky:
Kontrolovaný voltmetr přesný voltmetr ...
Autor: Střední průmyslová škola a Vyšší odborná škola, Chomutov
Strana 60 z 125
Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.
Základní měření osciloskopem
9. Měření jalového výkonu Gorgessovým můstkem
14. Měření výkonu metodou dvou wattmetrů
13. Měření odporů Thomsonovým můstkem
6. Měření vlastní vzájemné indukčnosti Ohmovou metodou
7. Měření charakteristiky diaku její zobrazení osciloskopu
18. Měření charakteristik doby zotavení polovodičových diod
17.V3PRAKTICKÁ MĚŘENÍ SEZNAM ÚLOH školní rok 2012/2013
ÚLOHA REFERÁTY
1. Měření kapacity Ohmovou metodou Scheringovým můstkem
11. Měření charakteristik bipolárního tranzistoru
19. Kontrola cejchování V,A W
2. Měření charakteristik tranzistoru MOSFET
20. Měření odporů srovnávací metodou substituční metodou
4.
. Měření odporů Ohmovou metodou
3. Měření jednofázovém transformátoru I
12. Absolvování přezkoušení podmínkou klasifikace. Měření indukčnosti kapacity rezonanční metodou
10. Měření ztrát železe Epsteinovým přístrojem
16. Měření jednofázovém transformátoru II
15. Měření charakteristik fotoel. Měření vlastností tranzistoru MOSFET
Během školního roku budou provedena praktická přezkoušení vždy po
naměření úloh. Měření odporů Wheatstonovým můstkem
5. Měření idukčnosti jádrem V,A W
8. Měření logických obvodech TTL II
23. součástek
24. Měření logických obvodech TTL I
22. Měření statických dynamických parametrů optočlenu
21
