Ukázka skript Elektrotechnická měření - pracovní sešit pro třetí ročník
KONTROLA A CEJCHOVÁNÍ MĚŘÍCÍCH PŘÍSTROJŮ
- Kontrola spočívá ve stanovení chyby kontrolované stupnice.
- Cejchování spočívá v nakreslení nové stupnice, přičemž měrné body vynášíme podle
normálového přístroje.
Při kontrole postupujeme tak, že celé dílky nastavujeme na kontrolovaném přístroji a
na přesném přístroji odečítáme správný údaj.
Používáme ten druh proudu pro který je přístroj určen.
1) Kontrola voltmetru
Výpočty:
absolutní chyba:
Ap=
N- naměřená hodnota
(hodnota na kontrolovaném přístroji)
S- skutečná hodnota
(hodnota na přesném přístroji)
korekce:
K=
relativní chyba:
ÓRM =
M= měřící rozsah
Třídu přesnosti určíme tak, že zjištěnou největší relativní chybu zaokrouhlíme na
nejbližší vyšší hodnotu tříd přesnosti stanovených normou z řady 0,1; 0,2; 0,5; 1; 1,5;
2,5; 5. Korekční křivka- závislost K= f (a)
Jediná křivka jejíž body spojujeme přímkami (neprokládáme)
Příklad tabulky:
Kontrolovaný voltmetr přesný voltmetr ...
Autor: Střední průmyslová škola a Vyšší odborná škola, Chomutov
Strana 60 z 125
Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.
Měření vlastní vzájemné indukčnosti Ohmovou metodou
7. Měření charakteristik bipolárního tranzistoru
19. Základní měření osciloskopem
9. Měření charakteristik doby zotavení polovodičových diod
17. Měření ztrát železe Epsteinovým přístrojem
16. Měření statických dynamických parametrů optočlenu
21. Měření výkonu metodou dvou wattmetrů
13. Měření odporů srovnávací metodou substituční metodou
4. Absolvování přezkoušení podmínkou klasifikace. Kontrola cejchování V,A W
2.
. Měření jednofázovém transformátoru II
15. Měření logických obvodech TTL I
22. Měření jalového výkonu Gorgessovým můstkem
14. Měření odporů Ohmovou metodou
3. Měření odporů Thomsonovým můstkem
6. součástek
24. Měření charakteristiky diaku její zobrazení osciloskopu
18. Měření logických obvodech TTL II
23. Měření idukčnosti jádrem V,A W
8. Měření kapacity Ohmovou metodou Scheringovým můstkem
11. Měření jednofázovém transformátoru I
12. Měření indukčnosti kapacity rezonanční metodou
10. Měření vlastností tranzistoru MOSFET
Během školního roku budou provedena praktická přezkoušení vždy po
naměření úloh. Měření charakteristik fotoel. Měření odporů Wheatstonovým můstkem
5.V3PRAKTICKÁ MĚŘENÍ SEZNAM ÚLOH školní rok 2012/2013
ÚLOHA REFERÁTY
1. Měření charakteristik tranzistoru MOSFET
20
