Ukázka skript Elektrotechnická měření - pracovní sešit pro třetí ročník
KONTROLA A CEJCHOVÁNÍ MĚŘÍCÍCH PŘÍSTROJŮ
- Kontrola spočívá ve stanovení chyby kontrolované stupnice.
- Cejchování spočívá v nakreslení nové stupnice, přičemž měrné body vynášíme podle
normálového přístroje.
Při kontrole postupujeme tak, že celé dílky nastavujeme na kontrolovaném přístroji a
na přesném přístroji odečítáme správný údaj.
Používáme ten druh proudu pro který je přístroj určen.
1) Kontrola voltmetru
Výpočty:
absolutní chyba:
Ap=
N- naměřená hodnota
(hodnota na kontrolovaném přístroji)
S- skutečná hodnota
(hodnota na přesném přístroji)
korekce:
K=
relativní chyba:
ÓRM =
M= měřící rozsah
Třídu přesnosti určíme tak, že zjištěnou největší relativní chybu zaokrouhlíme na
nejbližší vyšší hodnotu tříd přesnosti stanovených normou z řady 0,1; 0,2; 0,5; 1; 1,5;
2,5; 5. Korekční křivka- závislost K= f (a)
Jediná křivka jejíž body spojujeme přímkami (neprokládáme)
Příklad tabulky:
Kontrolovaný voltmetr přesný voltmetr ...
Autor: Střední průmyslová škola a Vyšší odborná škola, Chomutov
Strana 59 z 125
Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.
Měření vlastní vzájemné indukčnosti Ohmovou metodou
7. Měření jednofázovém transformátoru I
12. Měření indukčnosti kapacity rezonanční metodou
10. Měření výkonu metodou dvou wattmetrů
13. Měření statických dynamických parametrů optočlenu
21. Kontrola cejchování V,A W
2. Měření odporů Wheatstonovým můstkem
5. Měření charakteristik tranzistoru MOSFET
20. Měření jalového výkonu Gorgessovým můstkem
14.A3PRAKTICKÁ MĚŘENÍ SEZNAM ÚLOH školní rok 2012/2013
ÚLOHA REFERÁTY
1. Měření jednofázovém transformátoru II
15. součástek
24. Měření ztrát železe Epsteinovým přístrojem
16. Měření kapacity Ohmovou metodou Scheringovým můstkem
11.
. Měření odporů Ohmovou metodou
3. Měření odporů srovnávací metodou substituční metodou
4. Měření logických obvodech TTL I
22. Měření charakteristiky diaku její zobrazení osciloskopu
18. Absolvování přezkoušení podmínkou klasifikace. Měření vlastností tranzistoru MOSFET
Během školního roku budou provedena praktická přezkoušení vždy po
naměření úloh. Měření idukčnosti jádrem V,A W
8. Základní měření osciloskopem
9. Měření charakteristik doby zotavení polovodičových diod
17. Měření odporů Thomsonovým můstkem
6. Měření charakteristik bipolárního tranzistoru
19. Měření logických obvodech TTL II
23. Měření charakteristik fotoel
