Ukázka skript Elektrotechnická měření - pracovní sešit pro třetí ročník
KONTROLA A CEJCHOVÁNÍ MĚŘÍCÍCH PŘÍSTROJŮ
- Kontrola spočívá ve stanovení chyby kontrolované stupnice.
- Cejchování spočívá v nakreslení nové stupnice, přičemž měrné body vynášíme podle
normálového přístroje.
Při kontrole postupujeme tak, že celé dílky nastavujeme na kontrolovaném přístroji a
na přesném přístroji odečítáme správný údaj.
Používáme ten druh proudu pro který je přístroj určen.
1) Kontrola voltmetru
Výpočty:
absolutní chyba:
Ap=
N- naměřená hodnota
(hodnota na kontrolovaném přístroji)
S- skutečná hodnota
(hodnota na přesném přístroji)
korekce:
K=
relativní chyba:
ÓRM =
M= měřící rozsah
Třídu přesnosti určíme tak, že zjištěnou největší relativní chybu zaokrouhlíme na
nejbližší vyšší hodnotu tříd přesnosti stanovených normou z řady 0,1; 0,2; 0,5; 1; 1,5;
2,5; 5. Korekční křivka- závislost K= f (a)
Jediná křivka jejíž body spojujeme přímkami (neprokládáme)
Příklad tabulky:
Kontrolovaný voltmetr přesný voltmetr ...
Autor: Střední průmyslová škola a Vyšší odborná škola, Chomutov
Strana 59 z 125
Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.
Měření jednofázovém transformátoru I
12. Měření odporů Wheatstonovým můstkem
5. Měření indukčnosti kapacity rezonanční metodou
10. Měření charakteristik fotoel. Měření charakteristiky diaku její zobrazení osciloskopu
18. Měření charakteristik bipolárního tranzistoru
19. Měření jednofázovém transformátoru II
15. Absolvování přezkoušení podmínkou klasifikace.
. Měření statických dynamických parametrů optočlenu
21. Měření odporů srovnávací metodou substituční metodou
4. Měření jalového výkonu Gorgessovým můstkem
14.A3PRAKTICKÁ MĚŘENÍ SEZNAM ÚLOH školní rok 2012/2013
ÚLOHA REFERÁTY
1. Kontrola cejchování V,A W
2. Měření vlastní vzájemné indukčnosti Ohmovou metodou
7. Měření odporů Ohmovou metodou
3. součástek
24. Měření kapacity Ohmovou metodou Scheringovým můstkem
11. Měření charakteristik tranzistoru MOSFET
20. Základní měření osciloskopem
9. Měření logických obvodech TTL II
23. Měření charakteristik doby zotavení polovodičových diod
17. Měření vlastností tranzistoru MOSFET
Během školního roku budou provedena praktická přezkoušení vždy po
naměření úloh. Měření logických obvodech TTL I
22. Měření výkonu metodou dvou wattmetrů
13. Měření odporů Thomsonovým můstkem
6. Měření ztrát železe Epsteinovým přístrojem
16. Měření idukčnosti jádrem V,A W
8
