Elektrotechnika v teorii a praxi

| Kategorie: Kniha Učebnice  | Tento dokument chci!

Pro: Neurčeno
Vydal: PRÁCE, vydavatelství PRAHA Autor: Bohumil Dobrovolný

Strana 157 z 330

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
elektrárnách sice také vyrábí elektřina mechanické energie, ale oklikou přes indukci. Obr. Při osvětlení jedním luxem dává každý cm2 plochy proud asi 0,1 [xA. Napětí světelné energie Světlo dopadající některé látky může ovládat jejich elektrické vlast­ nosti. Při vnitřním fotoefektu uvolněné elektrony neopustí hmotu (proto „vnitřní“). Tak pracují např. Emisní fotočlánek. infračervené rentge­ nové záření. 181.) elektrony, které zvyšují jeho vodivost (tzv.) dopadem světla uvolňují elektrony. 18). fotografické expozimetry. Vznikají tak fotoelektrické snímače, hlavně fotoelektrické odpory, hradlové články, emisní fotočlánky (fotonky) násobiče elektronů. Zjišťuje tak např. Fotoelektrický odpor: Dopadající záření uvolňuje polovodiče (selenu, teluru, sirníku olovnatého PbS aj. 179. 154 . Hradlový fotočlánek. Napětí mechanické energie Poznali jsme již přímou přeměnu práce elektřinu třením.55. vnitřní fotoelektrický jev). tom jsou založeny třecí, popř. Také může náboj vyvolat deformací těles, např. Podle obr. Podobně jsou konstruo­ vány elektrostatické generátory laboratořích, nichž byl výklad obr. 19. 179 dopadá záření tenký průsvitný kovový povlak ležící polovodiči (cesium, selen aj. 'o *0 Obr. Měří hlavně viditelné světlo, změna teploty značně mění jeho citlivost. 26). Hradlové fotoelektrické blanky (obr. influenční elektriky (obr. Článek zdrojem elektromotorické síly. Nevýhodou velká setrvačnost, při kmitajícím světelném toku klesá citlivost. stlačením některých krystalů (piezoelektrický jev, odd. Bylo zjištěno, že vlastní tření při výrobě elektřiny zcela podřadné, jen způsob, jak přivedeme lepšího styku největší plochy. 56. 179) podobají odporovým článkům, ale využívají ještě usměrňovači schopnosti styku mezi polovodičem ko­ vem, kde procházejí fotoelektrický vzniklé elektrony jedním směrem lépe než druhým