Elektrotechnika v teorii a praxi

| Kategorie: Kniha Učebnice  | Tento dokument chci!

Pro: Neurčeno
Vydal: PRÁCE, vydavatelství PRAHA Autor: Bohumil Dobrovolný

Strana 157 z 330

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Při osvětlení jedním luxem dává každý cm2 plochy proud asi 0,1 [xA. influenční elektriky (obr. Hradlové fotoelektrické blanky (obr. fotografické expozimetry. Vznikají tak fotoelektrické snímače, hlavně fotoelektrické odpory, hradlové články, emisní fotočlánky (fotonky) násobiče elektronů. 181.55. Článek zdrojem elektromotorické síly. Fotoelektrický odpor: Dopadající záření uvolňuje polovodiče (selenu, teluru, sirníku olovnatého PbS aj.) elektrony, které zvyšují jeho vodivost (tzv. 'o *0 Obr. Při vnitřním fotoefektu uvolněné elektrony neopustí hmotu (proto „vnitřní“). Napětí světelné energie Světlo dopadající některé látky může ovládat jejich elektrické vlast­ nosti. Obr. Také může náboj vyvolat deformací těles, např. 154 . stlačením některých krystalů (piezoelektrický jev, odd. Emisní fotočlánek. elektrárnách sice také vyrábí elektřina mechanické energie, ale oklikou přes indukci. vnitřní fotoelektrický jev). Měří hlavně viditelné světlo, změna teploty značně mění jeho citlivost. Zjišťuje tak např. 26). Nevýhodou velká setrvačnost, při kmitajícím světelném toku klesá citlivost. 179 dopadá záření tenký průsvitný kovový povlak ležící polovodiči (cesium, selen aj. 179. Napětí mechanické energie Poznali jsme již přímou přeměnu práce elektřinu třením. 18).) dopadem světla uvolňují elektrony. Podobně jsou konstruo­ vány elektrostatické generátory laboratořích, nichž byl výklad obr. Tak pracují např. Bylo zjištěno, že vlastní tření při výrobě elektřiny zcela podřadné, jen způsob, jak přivedeme lepšího styku největší plochy. infračervené rentge­ nové záření. 56. Podle obr. 19. Hradlový fotočlánek. tom jsou založeny třecí, popř. 179) podobají odporovým článkům, ale využívají ještě usměrňovači schopnosti styku mezi polovodičem ko­ vem, kde procházejí fotoelektrický vzniklé elektrony jedním směrem lépe než druhým