Od elektráren k mikroelektronice. Kdybychom měli rozsvítit stowattovou žárovku roztáčením dynamka ruční klikou, vydrželi bychom to jen krátkou chvíli. Teprve však po deseti hodinách takové úmorné dřiny bychom vykonali práci jedné kilowatt hodiny, za kterou platíme jen několik desítek haléřů. Každý z deseti generátorů sibiřské hydroelektrárny Sajano-Šušenskoje má výkon odpovídající výkonu svalů více než osmi miliónů lidí. Během příštího století lidstvo patrně spotřebuje více energie, než ji spotřebovalo za všechna předcházející tisíciletí své minulosti. Jedním z nejnaléhavějších úkolů vědy a techniky je tuto energii zajistit.
NDR
se vyrábí zařízení ZBA 10, které řízeno počítačem pracuje plně
automaticky. Taková
zařízení pro osvit elektronovým paprskem skutečně jsou, např. _
rozpuštění neosvětlených
míst fotorezistu
maska (osvětlená
šablona místa fotorezistu)
UHZZZZIZZZZL.
křemík
odstranění asky odleptánívrstvy 2
Obr. 30. Postup vytváření použití masky při leptání obrazců vrstvy oxidu křemí
kové podložce
Tímto způsobem lze vytvářet obrazce detaily rozměru |mi
(jeden mikrometr jedna tisícina milimetru). destičku nanese maskovací vrstva
speciálního laku citlivého světlo (tzv.
63
. fotorezistu), který ztvrdne
v místech, kde byl osvětlen ultrafialovým světlem. Často jsou však potřebné
i jemnější detaily, ale pro jsou již světelné paprsky příliš hrubým
nástrojem. vyleptání maska odstraní (obr. Protože jsou krycí laky citlivé také elektronové paprsky,
je tím dána možnost vytvářet masky elektronovým paprskem. destičce
základového materiálu délkou strany 0,5 nebo napří
klad vyleptat složitý obrazec.tomu nejčastěji používá technika maskování.
Z maskovací lakové vrstvy tím vznikne maska obsahující požado
vaný obrazec místa nekrytá maskou pak může volně působit
leptací prostředek. 30). Obrazec, který byl
navržen nakreslen značně zvětšeném měřítku, promítne pří
slušném zmenšení tuto vrstvu nebo vrstva osvětlí přes šablonu
s daným obrazcem.
vrstva
S vrstva
fotorezistu
ultrafialové zářeni"
M II
. Při následujícím procesu vyvolávání zůstanou
z maskovací vrstvy jen místa, která byla osvětlena; jinde vrstva
odstraní
