40
příklad součástky sendvičovou strukturou rezonančně
tunelující dioda kvantovou jámou
DBQW (dvojbariérová kvantová jáma) sériová struktura
s několika vrstvami
tranzistorové heterostruktury bázi klasického rezonančního
tunelování kvantovou jámou
o HBT heterogenní bipolární tranzistor
o HET (Hot Electron Transistor)
o THETA (Tunneling Hot Electron Transfer Amplifier)
o RTT (Resonant Tunneling Transistor)
o RHET (Resonant Tunneling Hot Electron Transistor)
vlastnosti:
o průletová doba 0,1ps mezní kmitočty 1012
Hz
o zesilovací činitel pro zapojení α=0,92 0,96
