39
používaný materiál GaAs, Si, InP, InGaAs
výhody:
o nižší teplota zpracování porovnání teplotou při difúzi)
o není přechod některých materiálech těžko
realizuje)
vlastnosti použití:
o vhodné pro velmi vysoké kmitočty (100GHz)
o spínací časy ps
o zesilovače vyznačují nízkým šumem
Součástky QCD
QCD (Quantum Coupled Devices) kvantově vázané součástky
využívají kvantových jevů aktivních částech struktury
délka aktivních částí asi 20nm srovnatelná vlnovou
délkou elektronů) vznikají kvantové jámy vznik oblastí
záporného diferenciálního odporu
perspektivní využití mikrovlnných součástkách (fτ 1012
Hz)
očekávaná hustota integrace 1010
součástek cm2
nutno zajistit kvalitní rozhraní heteropřechodech přechod
mezi dvěma polovodiči různou šířkou zakázaného pásu)
o volbou vhodných materiálů (AIII
BV
)
o způsobem přípravy technologie
MBE (epitaxe molekulárních svazků)
MOVCD (chemická depozice vrstev
z organokovových sloučenin)
o střídání intrinzických oblastí oblastmi vodivosti nebo N
o odstupňované přechody (postupná změna složení vrstev ⇒
pozvolná změna mřížkové konstanty) gradované
(odstupňované) polovodiče
