Elektronika V1 1.semestr

| Kategorie: Skripta  | Tento dokument chci!

Strana 38 z 75

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
7 Submikronové heterogenní součástky.) ternární sloučeniny (AlGaAs, GaInAs, ….) Tranzistor MESFET MESFET (Metal-Schottky-FET) unipolární tranzistor řízený elektrickým polem neizolovaným hradlem o hradlová elektroda (napařená vrstva Al) tvoří kanálem N Schottkyho diodu o proud mezi kanálu lze ovlivňovat napětím hradla (po přiložení záporného napětí rozšíření ochuzené vrstvy ⇒ snížení vodivosti zmenšení proudu kanálem) . Nejpoužívanější materiály součástky pro tzv.38 2.) kvartenární tuhé roztoky bázi GaAs (GaInAsP) supermřížkové polovodiče periodická struktura složená ze dvou různých materiálů délkou periody 10nm (struktura GeSi/Si, AlGaAs/GaAs, …. rychlou elektroniku: křemík binární sloučeniny AIII BV (GaAs, InP, GaSb, ….1