Elektronika V1 1.semestr

| Kategorie: Skripta  | Tento dokument chci!

Strana 38 z 75

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Nejpoužívanější materiály součástky pro tzv.) kvartenární tuhé roztoky bázi GaAs (GaInAsP) supermřížkové polovodiče periodická struktura složená ze dvou různých materiálů délkou periody 10nm (struktura GeSi/Si, AlGaAs/GaAs, …. rychlou elektroniku: křemík binární sloučeniny AIII BV (GaAs, InP, GaSb, ….) ternární sloučeniny (AlGaAs, GaInAs, ….7 Submikronové heterogenní součástky.38 2.1.) Tranzistor MESFET MESFET (Metal-Schottky-FET) unipolární tranzistor řízený elektrickým polem neizolovaným hradlem o hradlová elektroda (napařená vrstva Al) tvoří kanálem N Schottkyho diodu o proud mezi kanálu lze ovlivňovat napětím hradla (po přiložení záporného napětí rozšíření ochuzené vrstvy ⇒ snížení vodivosti zmenšení proudu kanálem)