)
Tranzistor MESFET
MESFET (Metal-Schottky-FET)
unipolární tranzistor řízený elektrickým polem neizolovaným
hradlem
o hradlová elektroda (napařená vrstva Al) tvoří kanálem N
Schottkyho diodu
o proud mezi kanálu lze ovlivňovat napětím hradla
(po přiložení záporného napětí rozšíření ochuzené vrstvy
⇒ snížení vodivosti zmenšení proudu kanálem)
. rychlou
elektroniku:
křemík
binární sloučeniny AIII
BV
(GaAs, InP, GaSb, ….38
2.)
ternární sloučeniny (AlGaAs, GaInAs, ….)
kvartenární tuhé roztoky bázi GaAs (GaInAsP)
supermřížkové polovodiče periodická struktura složená ze
dvou různých materiálů délkou periody 10nm (struktura
GeSi/Si, AlGaAs/GaAs, ….7 Submikronové heterogenní součástky.1.
Nejpoužívanější materiály součástky pro tzv
