rychlou
elektroniku:
křemík
binární sloučeniny AIII
BV
(GaAs, InP, GaSb, ….
Nejpoužívanější materiály součástky pro tzv.)
Tranzistor MESFET
MESFET (Metal-Schottky-FET)
unipolární tranzistor řízený elektrickým polem neizolovaným
hradlem
o hradlová elektroda (napařená vrstva Al) tvoří kanálem N
Schottkyho diodu
o proud mezi kanálu lze ovlivňovat napětím hradla
(po přiložení záporného napětí rozšíření ochuzené vrstvy
⇒ snížení vodivosti zmenšení proudu kanálem)
.7 Submikronové heterogenní součástky.)
ternární sloučeniny (AlGaAs, GaInAs, ….38
2.1.)
kvartenární tuhé roztoky bázi GaAs (GaInAsP)
supermřížkové polovodiče periodická struktura složená ze
dvou různých materiálů délkou periody 10nm (struktura
GeSi/Si, AlGaAs/GaAs, …
