)
kvartenární tuhé roztoky bázi GaAs (GaInAsP)
supermřížkové polovodiče periodická struktura složená ze
dvou různých materiálů délkou periody 10nm (struktura
GeSi/Si, AlGaAs/GaAs, ….)
ternární sloučeniny (AlGaAs, GaInAs, ….7 Submikronové heterogenní součástky.
Nejpoužívanější materiály součástky pro tzv. rychlou
elektroniku:
křemík
binární sloučeniny AIII
BV
(GaAs, InP, GaSb, ….)
Tranzistor MESFET
MESFET (Metal-Schottky-FET)
unipolární tranzistor řízený elektrickým polem neizolovaným
hradlem
o hradlová elektroda (napařená vrstva Al) tvoří kanálem N
Schottkyho diodu
o proud mezi kanálu lze ovlivňovat napětím hradla
(po přiložení záporného napětí rozšíření ochuzené vrstvy
⇒ snížení vodivosti zmenšení proudu kanálem)
.1.38
2
