41
Unipolární struktura HEMT
HEMT (High Electron Mobility Transistor) tranzistor
s vysokou hodnotou pohyblivosti nosičů náboje kanálu
vlastnosti:
o oproti MESFET má
vyšší mezní frekvenci
menší šum
větší výkonové zesílení
velmi tenký kanál (méně než 10nm)
o řídícím napětím mění přímo vodivost kanálu, nikoli jeho
tloušťka (efektivní průřez kanálu zůstává nezměněn)
může pracovat režimu
o DHEMT (Depleted Mode HEMT) ochuzeném
o EHEMT (Enhancemenet Mode HEMT) obohaceném
VA charakteristiky jsou analogické charakteristikami
MOSFET(MESFET)
použití diskrétní tranzistory pro mikrovlnné aplikace, velmi
rychlé logické obvody (invertor)
další struktury:
o QWITT (Quantum Well Injection Transit Time) –
průletová dioda injekcí kvantové jámy
o SDS (Sawtooth Doping Superlattice) supermřížka
s několika jámami navržená Esakim
