Elektronika tajemství zbavená (4)

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha 4: Pokusy s optoelektronikou.

Vydal: HEL, ul. 26. dubna 208, 725 27 Ostrava - Plesná Autor: Adrian Schommers

Strana 173 z 190

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Vlastnosti ❖ vysoká spolehlivost ❖ žádná měřitelná degradace ❖ krátká spínací doba ❖ vysoká spektrální citlivost ❖ dobrá linearita ❖ vhodný pro použití pásmu viditelného světla přilehlé infračervené oblasti ❖ tříděn skupin podle citlivosti (zesílení) ❖ stejné pouzdro jako 242 Přibl. Vývod kolektoru elektricky spojen pouzdrem. Označení kolektoru Orientace podle výstupku dna pouzdra. hmotnost 0,5 g Rozměry mm Typ Objednací kód BP 103 Q62702-P79-S1 BP 103 III Q62702-P79-S2 BP 103 IV* Q62702-P79-S3 *) Dodávky této skupiny nemohou být vždy garantovány kvůli rozptylu produk­ ce. Aplikace Počítačem řízené záblesky, světlocitlivé spínače pro stálou i proměnnou intenzitu světla, „měření řízení“.Křemíkový fototranzistor NPN 103 BP 103 křemíkový fototranzistor NPN vyrobený planámě epitaxní technologií vy­ vedenou bází. tomto případě vyhrazujeme právo dodávky náhradní skupiny. Pouzdro DIN 41870 (TO 18), základová deska, průsvitné čočky z epoxidové pryskyřice, pájecí nožky, vzdálenost mezi vývody 2,54 (1/10"). Maximální hodnoty Pracovní skladovací teplota Pájecí teplota při pájení smáčením (ve vzdálenosti dna pouzdra mm; T S1S -40 +80 °C doba pájení s) Pájecí teplota při pájení páječkou (ve vzdálenosti dna pouzdra mm; T SOid 260 °C doba pájení Tsold 300 °C Napětí kolektor-emitor VCE V Kolektorový proud 100 mA Kolektorový špičkový proud ps) IcM 200 mA Napětí emitor-báze V Ztrátový výkon (při teplotě okolí TA= °C) 101 300 mW Tepelný odpor R-lhJA 500 K/W R ihJC 200 K/W