Nakonec ještě tabulka uvádí „Proudové zesílení“, kterým různé skupiny tranzistorů
BP 103 zesilují fotoelektrický nebo zvenčí přivedený bázový proud („Current gain“). Pra
covní odpor při těchto měřeních byl Zvětšením tohoto odporu může být citli
vost zapojení zvýšena, současně ale stoupají časové konstanty členů, které jsou
těmito odpory tvořeny, proto rychlost zapojení, resp. Je-li tranzistor chlazen, smí
být podle účinnosti chlazení akceptovány vyšší hodnoty, ale žádném případě nad
horní křivkou. Změny hodnot jsou značné, přičemž zde ještě nebyla zahrnuta závislost ka
pacity fotoproudu. Podle tohoto údaje mohou návrháři obvodů usoudit, jaký bude mít
svodový proud vliv výsledky měření světla.
zpětnovazební větví operačního zesilovače) tím šířku pásma rozšířit. Vymluvnější proto graf „Fotoproud závislosti intenzitě osvětlení“
na straně katalogových listů. Směrodatná normálních okolností dolní křivka. tom okamžiku např. zde vidět dobrá linearita fototranzistorů. Tři grafy poslední straně katalogových listů ukazují sku
tečně silně nelineární průběhy kapacit mezi jednotlivými vývody závislosti na
napětí.
.definici. Ostatně ani tyto
doby nelze považovat absolutní, protože silně závisí okolních obvodech. Proto není vždy místě volit typ IV. Význam těchto údajů možno pochopit souvislosti osa
zením tranzistoru konkrétního zapojení. mezní kmitočet klesá.
„Svodový proud kolektor-emitor“ („Collector-emitter leakage current“) proud,
který teče mezi kolektorem emitorem, když fototranzistor nedopadá absolutně
žádné světlo. Graf vypoví
dá tom, jaké ztrátové výkony smí tranzistor při různých teplotách maximálně vyví
jet. Již
měřicí definice jednotlivých dvojic dávají tušit, kapacity jsou skutečnosti
závislé konkrétních hodnotách jiných parametrů zde uvedeno jen pár
hodnot pro orientaci.
Jako další jsou tabulce uvedeny kapacity mezi třemi vývody fototranzistorů.
„Saturační napětí kolektor-emítor“ („Collector-emitter saturation voltage“) mini
mální napětí, které zůstane mezi kolektorem emitorem při plném vybuzení. Saturační
napětí tedy představuje hranici vybuzení. projeví odpory,
které kapacitami vytvoří dolní propusti tím silně ovlivní kmitočtově závislé
chování fototranzistorů. dru
hé straně možno obratným řešením obvodu pracovní odpor „uměle“ snížit (např. Návrhář rychlých obvodů však tomuto
stavu vyhýbá, protože tranzistoru nějakou dobu trvá, než něj opět dostane. Tento svodový proud může být vý
znamný při měření světla malé intenzitě.
V druhé tabulce jsou, jak již bylo zmíněno, uvedeny rozdíly mezi třemi skupinami
tohoto typu fototranzistorů.
Graf závislosti celkového ztrátového výkonu teplotě okolí fototranzistorů
méně zajímavý, protože jej sotva někdo používá výkonovým účelům. „Doba náběhu doba doběhu“ („Rise and fall time“)
popisuje projevy, kterými jsme již seznámili diody LED: zlepšující citli
vostí bude součástka pomalejší
