Elektronika tajemství zbavená (4)

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha 4: Pokusy s optoelektronikou.

Vydal: HEL, ul. 26. dubna 208, 725 27 Ostrava - Plesná Autor: Adrian Schommers

Strana 172 z 190

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
projeví odpory, které kapacitami vytvoří dolní propusti tím silně ovlivní kmitočtově závislé chování fototranzistorů. Tento svodový proud může být vý­ znamný při měření světla malé intenzitě. „Svodový proud kolektor-emitor“ („Collector-emitter leakage current“) proud, který teče mezi kolektorem emitorem, když fototranzistor nedopadá absolutně žádné světlo. Je-li tranzistor chlazen, smí být podle účinnosti chlazení akceptovány vyšší hodnoty, ale žádném případě nad horní křivkou. Podle tohoto údaje mohou návrháři obvodů usoudit, jaký bude mít svodový proud vliv výsledky měření světla. Směrodatná normálních okolností dolní křivka. „Doba náběhu doba doběhu“ („Rise and fall time“) popisuje projevy, kterými jsme již seznámili diody LED: zlepšující citli­ vostí bude součástka pomalejší. . Graf závislosti celkového ztrátového výkonu teplotě okolí fototranzistorů méně zajímavý, protože jej sotva někdo používá výkonovým účelům. zpětnovazební větví operačního zesilovače) tím šířku pásma rozšířit. Ostatně ani tyto doby nelze považovat absolutní, protože silně závisí okolních obvodech. mezní kmitočet klesá. „Saturační napětí kolektor-emítor“ („Collector-emitter saturation voltage“) mini­ mální napětí, které zůstane mezi kolektorem emitorem při plném vybuzení. Nakonec ještě tabulka uvádí „Proudové zesílení“, kterým různé skupiny tranzistorů BP 103 zesilují fotoelektrický nebo zvenčí přivedený bázový proud („Current gain“). Návrhář rychlých obvodů však tomuto stavu vyhýbá, protože tranzistoru nějakou dobu trvá, než něj opět dostane. Saturační napětí tedy představuje hranici vybuzení. Vymluvnější proto graf „Fotoproud závislosti intenzitě osvětlení“ na straně katalogových listů. Změny hodnot jsou značné, přičemž zde ještě nebyla zahrnuta závislost ka­ pacity fotoproudu. dru­ hé straně možno obratným řešením obvodu pracovní odpor „uměle“ snížit (např. Tři grafy poslední straně katalogových listů ukazují sku­ tečně silně nelineární průběhy kapacit mezi jednotlivými vývody závislosti na napětí. Již měřicí definice jednotlivých dvojic dávají tušit, kapacity jsou skutečnosti závislé konkrétních hodnotách jiných parametrů zde uvedeno jen pár hodnot pro orientaci. V druhé tabulce jsou, jak již bylo zmíněno, uvedeny rozdíly mezi třemi skupinami tohoto typu fototranzistorů. zde vidět dobrá linearita fototranzistorů. Význam těchto údajů možno pochopit souvislosti osa­ zením tranzistoru konkrétního zapojení. tom okamžiku např. Pra­ covní odpor při těchto měřeních byl Zvětšením tohoto odporu může být citli­ vost zapojení zvýšena, současně ale stoupají časové konstanty členů, které jsou těmito odpory tvořeny, proto rychlost zapojení, resp. Proto není vždy místě volit typ IV. Graf vypoví­ dá tom, jaké ztrátové výkony smí tranzistor při různých teplotách maximálně vyví­ jet. Jako další jsou tabulce uvedeny kapacity mezi třemi vývody fototranzistorů.definici