Elektronika tajemství zbavená (4)

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha 4: Pokusy s optoelektronikou.

Vydal: HEL, ul. 26. dubna 208, 725 27 Ostrava - Plesná Autor: Adrian Schommers

Strana 172 z 190

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
definici. „Doba náběhu doba doběhu“ („Rise and fall time“) popisuje projevy, kterými jsme již seznámili diody LED: zlepšující citli­ vostí bude součástka pomalejší. Vymluvnější proto graf „Fotoproud závislosti intenzitě osvětlení“ na straně katalogových listů. Proto není vždy místě volit typ IV. „Saturační napětí kolektor-emítor“ („Collector-emitter saturation voltage“) mini­ mální napětí, které zůstane mezi kolektorem emitorem při plném vybuzení. . Je-li tranzistor chlazen, smí být podle účinnosti chlazení akceptovány vyšší hodnoty, ale žádném případě nad horní křivkou. tom okamžiku např. Pra­ covní odpor při těchto měřeních byl Zvětšením tohoto odporu může být citli­ vost zapojení zvýšena, současně ale stoupají časové konstanty členů, které jsou těmito odpory tvořeny, proto rychlost zapojení, resp. Ostatně ani tyto doby nelze považovat absolutní, protože silně závisí okolních obvodech. „Svodový proud kolektor-emitor“ („Collector-emitter leakage current“) proud, který teče mezi kolektorem emitorem, když fototranzistor nedopadá absolutně žádné světlo. Jako další jsou tabulce uvedeny kapacity mezi třemi vývody fototranzistorů. Saturační napětí tedy představuje hranici vybuzení. Podle tohoto údaje mohou návrháři obvodů usoudit, jaký bude mít svodový proud vliv výsledky měření světla. Změny hodnot jsou značné, přičemž zde ještě nebyla zahrnuta závislost ka­ pacity fotoproudu. Význam těchto údajů možno pochopit souvislosti osa­ zením tranzistoru konkrétního zapojení. dru­ hé straně možno obratným řešením obvodu pracovní odpor „uměle“ snížit (např. projeví odpory, které kapacitami vytvoří dolní propusti tím silně ovlivní kmitočtově závislé chování fototranzistorů. Graf závislosti celkového ztrátového výkonu teplotě okolí fototranzistorů méně zajímavý, protože jej sotva někdo používá výkonovým účelům. zpětnovazební větví operačního zesilovače) tím šířku pásma rozšířit. V druhé tabulce jsou, jak již bylo zmíněno, uvedeny rozdíly mezi třemi skupinami tohoto typu fototranzistorů. Graf vypoví­ dá tom, jaké ztrátové výkony smí tranzistor při různých teplotách maximálně vyví­ jet. Návrhář rychlých obvodů však tomuto stavu vyhýbá, protože tranzistoru nějakou dobu trvá, než něj opět dostane. zde vidět dobrá linearita fototranzistorů. mezní kmitočet klesá. Směrodatná normálních okolností dolní křivka. Nakonec ještě tabulka uvádí „Proudové zesílení“, kterým různé skupiny tranzistorů BP 103 zesilují fotoelektrický nebo zvenčí přivedený bázový proud („Current gain“). Již měřicí definice jednotlivých dvojic dávají tušit, kapacity jsou skutečnosti závislé konkrétních hodnotách jiných parametrů zde uvedeno jen pár hodnot pro orientaci. Tři grafy poslední straně katalogových listů ukazují sku­ tečně silně nelineární průběhy kapacit mezi jednotlivými vývody závislosti na napětí. Tento svodový proud může být vý­ znamný při měření světla malé intenzitě