sensitivity“) není fotot
ranzistoru tak důležitá jako délka vlny maximální emise diody LED, protože šířka
pásma této součástky mnohem větší. Má-li být např.
Vlnová délka maximální citlivosti („Wavelength max. Avšak tento graf velmi důležitý, neboť ukazuje, jakou váhu mají
jednotlivé barvy světla. To, definice šířky pás
ma ještě zahrnuje oblasti plné citlivosti namísto jak tomu mezní
intenzity záření definici šířky pásma diody LED, není žádný obchodní trik, nýbrž
odpovídá praxi fototranzistorů.
Uhel otevření („Haif angle“) fototranzistoru 103 podstatně větší než dio
dy LED 271.nich zapojení: hodí pro viditelné infračervené záření, vykazuje vysokou linearitu,
vysokou citlivost rychlost. fototranzistorů, které jsou vybaveny speciálními filtry je
jasné, kterých vlnových rozsazích citlivost potlačena.
(Rozdíl mezi oběma řádky fotoproudu tranzistoru spočívá definici měřicích pod-
' mínek: první definice luxech (lx) světelné techniky, druhá mW/cm2je
fyzikální; viz níže). Pevné hodnoty fotocitlivosti dají uvádět jen při jednoznačné
. Mezní hodnotyjsou poněkud nižší než dnes obvyklých
nízkovýkonových tranzistorů (např. Hodnota šířky pásma („Range spectral
sensitivity“) stejně jako graf „Relativní spektrální citlivost závislosti vlnové dél
ce“ ukazují. když
asi nebudete tranzistor provozovat obrácenou polaritou napájení nebo zaměňoval
emitor kolektor, může zapojeních kondenzátory dojít při přepnutí nabitých
kapacit obrácení polarity napětí emitor-báze, např.
Pod pojmy „Fotocitlivá plocha“ („Radiant sensitive area“), „Rozměry plochy čipu“
(„Dimension chip area“) „Vzdálenost mezi povrchem čipu povrchem pouzd
ra“ („Distance between chip surface and čase surface“) rozumí aktivní plocha
polovodičového čipu, jeho rozměry umístění tělese součástky. 547). zachycen signál určitého světelného
zdroje, třeba diody LED, musíme vědět, zda jak dalece mohou příjem rušit světelné
zdroje jiných vlnových délkách. Rozdílnost úhlů otevření diody LED fo
totranzistoru spočívá jednak jejich zcela opačných fýzikálních principech jed
nak optických vlastnostech jejich pouzder. Tabulka uvádí 55° graf „Směrová charakteristika“ straně 3
katalogových listů rovněž objasňuje. Pod pojmem napětí báze-emitor („Em-
mitter base voltage“) samozřejmě míní napětí závěrném směru. Diodu báze-kolektor lze použít jako jednoduchou fotodiodu, ne
boť báze fototranzistoru 103 vyvedena.
„Fotoelektrický proud diody kolektor-báze“ („Photocurrent ofcollector-base pho-
todiode“) důležitou hodnotou fototranzistoru, protože dioda báze kolektor je
vlastně světlocitlivým prvkem fototranzistoru jeho druhý přechod slouží jen
k zesílení proudu. Ostatně toto
napětí není žádném případě tak nedůležité, jak první pohled zdálo. Fotoproud dráhy báze kolektor
doplňuje spodní tabulce fotoproud celého fototranzistoru. obvodu astabilního multivi-
brátoru. Jako mnoho jiných
tranzistorů 103 třídí tří skupin podle rozdílného proudového zesílení
