„Fotoelektrický proud diody kolektor-báze“ („Photocurrent ofcollector-base pho-
todiode“) důležitou hodnotou fototranzistoru, protože dioda báze kolektor je
vlastně světlocitlivým prvkem fototranzistoru jeho druhý přechod slouží jen
k zesílení proudu.
Uhel otevření („Haif angle“) fototranzistoru 103 podstatně větší než dio
dy LED 271. obvodu astabilního multivi-
brátoru. když
asi nebudete tranzistor provozovat obrácenou polaritou napájení nebo zaměňoval
emitor kolektor, může zapojeních kondenzátory dojít při přepnutí nabitých
kapacit obrácení polarity napětí emitor-báze, např. Mezní hodnotyjsou poněkud nižší než dnes obvyklých
nízkovýkonových tranzistorů (např. fototranzistorů, které jsou vybaveny speciálními filtry je
jasné, kterých vlnových rozsazích citlivost potlačena. 547). Pevné hodnoty fotocitlivosti dají uvádět jen při jednoznačné
. Tabulka uvádí 55° graf „Směrová charakteristika“ straně 3
katalogových listů rovněž objasňuje. Hodnota šířky pásma („Range spectral
sensitivity“) stejně jako graf „Relativní spektrální citlivost závislosti vlnové dél
ce“ ukazují. To, definice šířky pás
ma ještě zahrnuje oblasti plné citlivosti namísto jak tomu mezní
intenzity záření definici šířky pásma diody LED, není žádný obchodní trik, nýbrž
odpovídá praxi fototranzistorů. Ostatně toto
napětí není žádném případě tak nedůležité, jak první pohled zdálo. zachycen signál určitého světelného
zdroje, třeba diody LED, musíme vědět, zda jak dalece mohou příjem rušit světelné
zdroje jiných vlnových délkách. Jako mnoho jiných
tranzistorů 103 třídí tří skupin podle rozdílného proudového zesílení. sensitivity“) není fotot
ranzistoru tak důležitá jako délka vlny maximální emise diody LED, protože šířka
pásma této součástky mnohem větší. Fotoproud dráhy báze kolektor
doplňuje spodní tabulce fotoproud celého fototranzistoru. Pod pojmem napětí báze-emitor („Em-
mitter base voltage“) samozřejmě míní napětí závěrném směru.
Pod pojmy „Fotocitlivá plocha“ („Radiant sensitive area“), „Rozměry plochy čipu“
(„Dimension chip area“) „Vzdálenost mezi povrchem čipu povrchem pouzd
ra“ („Distance between chip surface and čase surface“) rozumí aktivní plocha
polovodičového čipu, jeho rozměry umístění tělese součástky. Rozdílnost úhlů otevření diody LED fo
totranzistoru spočívá jednak jejich zcela opačných fýzikálních principech jed
nak optických vlastnostech jejich pouzder.nich zapojení: hodí pro viditelné infračervené záření, vykazuje vysokou linearitu,
vysokou citlivost rychlost.
(Rozdíl mezi oběma řádky fotoproudu tranzistoru spočívá definici měřicích pod-
' mínek: první definice luxech (lx) světelné techniky, druhá mW/cm2je
fyzikální; viz níže). Avšak tento graf velmi důležitý, neboť ukazuje, jakou váhu mají
jednotlivé barvy světla. Diodu báze-kolektor lze použít jako jednoduchou fotodiodu, ne
boť báze fototranzistoru 103 vyvedena. Má-li být např.
Vlnová délka maximální citlivosti („Wavelength max
