Kniha 4: Pokusy s optoelektronikou.
Strana 174 z 190
Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.
Poznámky redaktora
IS
Saturační napětí kolektor-emitor
(Ic IpCEmin 0,3 i
E 1000 lx) ^CEsac 130 140 150 mV
Proudové zesílení IpCE
(Ev= 1000 lx; VCE= IpCB 250 400 630
.
Uhel otevření
Fotoelektrický proud diody kolektor-báze
(Ev 1000 lx; VCB IpCB 1,5 HA
Kapacita
(VCE= MHz; lx) Q:e pF
(VCB= MHz; lx) pF
(VEB= MHz; lx) eb
21 pF
Svodový proud kolektor-emitor
( Ceo lx) IcEO (<100) nA
Fototranzistory třídí skupin podle jejich spektrální citlivosti odlišují
římskými číslicemi
Fotoelektrický proud
1! III IV
(Ev= 1000 lx; VCE= IpCE 250-500 400-800 >630 ^A
(Ee= 0,5 mW/cm2;
X 950 nm; VCE= IpCE 63-125 100-200 160-320 HA
Doba náběhu doba doběhu
(Ic mA;
VCE= RL= kQ) •t, J.103
Charakteristiky (ľA= °C)
Vlnová délka maximální citlivosti ^Sniax 850 nm
Šířka pásma
(5 hodnoty 5maJ 440-1100 nm
Fotocitlivá plocha 0,12 mm-
Rozměry plochy čipu 0,5 0,5 mm
Vzdálenost mezi povrchem čipu 0,2- 0,8 mm
a povrchem pouzdra ±55 deg
