Tato kniha tedy má poskytnout určité teoretické základy, ale především chce objasnit věci, které jsou důležité k pochopení elektroniky a samotné stavbě elektronických obvodů. A protože i to nejzajímavější vysvětlování časem nudí a navíc člověku nejlépe utkví v paměti to, co si sám vyzkoušel, obsahuje tato kniha mnoho pokusů, které je možno za pár minut sestavit z dílů, jež lze většinou koupit za pár korun v každém obchodě s elektronikou (s výjimkou multimetru, o kterém ještě budeme mluvit). Ihned se také dovíte, co v příslušné součástce nebo obvodu probíhá. Zvláštní dovednosti, například ...
jejich otevření dochází tehdy, když hradlo přiloženo napětí. Typy tranzistorů FET
75
JFET
FET, kterém jsme doposud mluvili, označován jako JFET kanálem Kanál proto,
že materiál mezi emitorem kolektorem obsahuje volné elektrony, JFET jako . MOSFET (MOS „metal oxid sillikon“, anglicky:
kov oxid křemík), jsou sice konstruovány jinak než JFET hradlo materiálu kanálu
izolováno velice tenkou vrstvou oxidu podstatě však fungují stejně. Zavřené typy (Enhancement) MOSFET bez napětí hradle nacházejí
v nevodivém stavu.
FET hradlovou vrstvou FET)
Obohacovaci i
Ochuzovaci (Depletion)MOSFET (Enhancement) MOSFET
p Kanci n-Kanal Kanci n-Kanal Kanal n-Kanal
D l
M “«i ■aii v-----------------------------1 v---------------------------
Vodivé FET Zavřené FET
Obr. 161 Syslematika rozdílných typů FET
MOSFET
Druhá velká rodina tranzistorů FET, tzv. Jejich svodový proud
na hradle však 1000 krát nižší. 162 Značení
02 ,e,rody
-----Vi schématech
01 zapojení
.
Kromě toho vyrábějí MOSFET dvěma hradly, tzv. Napětí hradla tyto tranzistory
FET uzavírá.
MOSFET rovněž vyrábějí kanálem nebo proto zde rozlišujeme celkem čtyři typy
tranzistorů MOSFET.
Opak, JFET kanálem funguje stejně jako JFET kanálem veškeré polarity však jsou
zaměněny. Vodivé (Depletion) MOSFET jsou stejně
jako JFET vodivé, když hradlo není přiloženo žádné napětí.15.
Dále rozlišují vodivé závěrně typy MOSFETů.juncti
on“, anglicky: hradlová vrstva) proto, hradlo kanálu izolováno přechodem PN.
1 Obr. MOSFET-tetrody (Dual-Gate-MOSFET)
