Tato kniha tedy má poskytnout určité teoretické základy, ale především chce objasnit věci, které jsou důležité k pochopení elektroniky a samotné stavbě elektronických obvodů. A protože i to nejzajímavější vysvětlování časem nudí a navíc člověku nejlépe utkví v paměti to, co si sám vyzkoušel, obsahuje tato kniha mnoho pokusů, které je možno za pár minut sestavit z dílů, jež lze většinou koupit za pár korun v každém obchodě s elektronikou (s výjimkou multimetru, o kterém ještě budeme mluvit). Ihned se také dovíte, co v příslušné součástce nebo obvodu probíhá. Zvláštní dovednosti, například ...
) FET 245 dodává třech provedeních rozdílnými špičkovými proudy ko
lektor emitor IDSS.. Největší kolektorový proud protéká při USG= neboť
USGnemůže být kladné. 15,0 mA
V
Tabulka Špičkovéproudy kolektor- emitor různýchprovedení 245
napětím. Strmost 245 pohybuje mezi 6,5
..
Protože IDSS podléhá značným výrobním tolerancím, uvádějí jenom nejvyšší nejnižší
hodnoty. Tento maximální kolektorový proud IDSSje typovou výrobní cha
rakteristickou hodnotou tranzistoru JFET.. Zesilovací schopnost tranzistoru FET označuje jako strmost Vyjadřuje, jak silně
poklesne kolektorový proud ID, když stoupne záporné hradlové napětí USG.
Charakteristické hodnoty
Jak jsme již konstatovali, závisí proud kolektoru JFET při dostatečně vysokém kolektoro
vém napětí pouze napětí hradla. (MOSFET mohou být řízeny kladným hradlovým
Typ 245A 245B 245C
IDSS 2,0..76
Výkonové tranzistory FET (PowerFET)
Zatímco tranzistory řízené polem našly jen velmi malé uplatnění nízkovýkonové elektroni
ce, výkonové elektronice zjevně nad bipolámími tranzistory převládají..6,5 6,0. Její definice je
podobná vzorci pro napěťové zesílení emitorového zapojení bipolárního tranzistoru:
c Změna kolektorového proudu
Změna hradlového napětí
Předpokladem je, hodnota USDje dostatečně vysoká (typicky: V), aby probíhalo čistě
řízení proudem. 15,0 12,0. Poslední vyvinuté
typy, mající označení VMOSFET, SIPFET, TMOSFET, HEXFET DMOSFET, překračují
již hranici výkonu kW.
