Tato kniha tedy má poskytnout určité teoretické základy, ale především chce objasnit věci, které jsou důležité k pochopení elektroniky a samotné stavbě elektronických obvodů. A protože i to nejzajímavější vysvětlování časem nudí a navíc člověku nejlépe utkví v paměti to, co si sám vyzkoušel, obsahuje tato kniha mnoho pokusů, které je možno za pár minut sestavit z dílů, jež lze většinou koupit za pár korun v každém obchodě s elektronikou (s výjimkou multimetru, o kterém ještě budeme mluvit). Ihned se také dovíte, co v příslušné součástce nebo obvodu probíhá. Zvláštní dovednosti, například ...
.
Protože IDSS podléhá značným výrobním tolerancím, uvádějí jenom nejvyšší nejnižší
hodnoty.. 15,0 12,0.6,5 6,0. 15,0 mA
V
Tabulka Špičkovéproudy kolektor- emitor různýchprovedení 245
napětím. Největší kolektorový proud protéká při USG= neboť
USGnemůže být kladné. Zesilovací schopnost tranzistoru FET označuje jako strmost Vyjadřuje, jak silně
poklesne kolektorový proud ID, když stoupne záporné hradlové napětí USG. (MOSFET mohou být řízeny kladným hradlovým
Typ 245A 245B 245C
IDSS 2,0...
Charakteristické hodnoty
Jak jsme již konstatovali, závisí proud kolektoru JFET při dostatečně vysokém kolektoro
vém napětí pouze napětí hradla. Tento maximální kolektorový proud IDSSje typovou výrobní cha
rakteristickou hodnotou tranzistoru JFET.) FET 245 dodává třech provedeních rozdílnými špičkovými proudy ko
lektor emitor IDSS.. Strmost 245 pohybuje mezi 6,5
.76
Výkonové tranzistory FET (PowerFET)
Zatímco tranzistory řízené polem našly jen velmi malé uplatnění nízkovýkonové elektroni
ce, výkonové elektronice zjevně nad bipolámími tranzistory převládají. Poslední vyvinuté
typy, mající označení VMOSFET, SIPFET, TMOSFET, HEXFET DMOSFET, překračují
již hranici výkonu kW. Její definice je
podobná vzorci pro napěťové zesílení emitorového zapojení bipolárního tranzistoru:
c Změna kolektorového proudu
Změna hradlového napětí
Předpokladem je, hodnota USDje dostatečně vysoká (typicky: V), aby probíhalo čistě
řízení proudem.
