Tato kniha tedy má poskytnout určité teoretické základy, ale především chce objasnit věci, které jsou důležité k pochopení elektroniky a samotné stavbě elektronických obvodů. A protože i to nejzajímavější vysvětlování časem nudí a navíc člověku nejlépe utkví v paměti to, co si sám vyzkoušel, obsahuje tato kniha mnoho pokusů, které je možno za pár minut sestavit z dílů, jež lze většinou koupit za pár korun v každém obchodě s elektronikou (s výjimkou multimetru, o kterém ještě budeme mluvit). Ihned se také dovíte, co v příslušné součástce nebo obvodu probíhá. Zvláštní dovednosti, například ...
Moderní vysokovýkonové tranzistory FET mohou zpracovávat vyšší výkony net hipoldrní tranzistory:
typ BUZ snese 500 může vest maximálně 7,8 A.
❖ Má-li být FET používán jako ovladatelný odpor, pak napětí kolektor emitor UDSmůže mít
jen nízké hodnoty. 158 názorně ukazuje velkou přednost
FET tranzistorů, stejně jako vysokoohmové od
pory nepotřebují žádné řídící proudy.
Vysoký vstupní odpor
Obr. 159 podává přehled pů
sobení emitorového zapojení. Zesílení napětí „v“je proto něco
nižší než Přesto však zapojení spolek
pro svou příbuznost bipolárním emitorovým
sledovačem označuje rovněž jako emitorový
sledovač.
Shrnutí
❖ Záporné napětí hradlo emitor získá
předřadným odporem emitorovém přívodu.
Pokus obr.
❖ Zesilovače FET vykazují vysoký vstupní odpor, protože dioda hradlo emitorje polarizována
v závěrném směru, neodebírá tedy žádný proud. Odborníci
tuto skutečnost označujíjako „vysoký vstupní odpor“. 160 zobrazuje principiální schéma kolektoro
vého zapojení tranzistoru řízeného polem, které teď
můžeme porovnat kolektorovým zapojením bipo-
lárnílio tranzistoru.
(kolektorové zapojení)
KMITOROVÉ ZAPOJENÍ
Vstupní napětí (T)
4- (strmost S)
Kolektorový proud (T)
i(R D)
Napětí kolektorovém odporu <—U(R[>) (T)
i(U b)
______ Kolektorové napětí (4)______
Obr 159 Vývojovýdiagramemitorového zapojení
. Protože dioda hradlo emitor je
uzavřená, emitorové napětí nesleduje přesně vstupní napětí.74
Vývojový diagram obr.
❖ Proud zdroje konstantního proudu
s tranzistorem FET závisí emitorovém odporu
