Dioda, tranzistor a tyristor názorně

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha podáva názorný výklad principů činnosti a vlastností základních druhů nejpoužívanějších polovodičových součástek, tzn. diody, tranzistoru a tyristoru. Výklad nepředpokládá předběžné znalosti v oboru polovodičové techniky. Kniha je určená širokému okruhu zájemců o polovodičovou techniku.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Vladimír Suchánek

Strana 44 z 304

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Kontrolní otázka: Náčrtek obr. 27, se objeví při stejném propustném proudu menší úbytek napětí? a) silněji dotovaném krystalu. Jak jsme dozvěděli článku 13, budou tomto případě oba přechody zaplaveny pohyblivými nosiči nábojů, volnými elektrony a děrami. 28). Východisko z tohoto rozporu našli dva američtí fyzikové Hall Dunlap: navrhli, aby se krystal opatřil třemi oblastmi různou vodivostí. dalším výkladu budeme hovořit stále o diodě typu PvN. 20. Vliv stupně dotace úbytek propustném směru Nyní polarizujeme oba přechody předcházejícího článku pro­ pustném směru. obou stranách přechodu jsou hlediska průchodu elektrického proudu zapojeny přechodem PN do série, proto nich objevuje jistý úbytek napětí. c) obou krystalech úbytek stejně velký. silně dotované oblasti typu následuje slabě dotovaná oblast typu (obr. Kontrolní otázka: kterém obou krystalů, naznačených obr. kterých přechodech této diody objevuje difúzni napětí? 45 . Vykazuje-li střední slabě dotovaná oblast vodivost typu (označení te) nebo vodivost typu (označení v), není podstatné. Dioda naznačeným sledem oblastí se nazývá dioda PtuN nebo PvN. Obě oblasti vodivostí typu resp. b) slaběji dotovaném krystalu.19. Diody typu PtcN, PvN Dosud jsme poučili tom, jednoduchého přechodu ne­ můžeme současně dosáhnout vysokého závěrného napětí malého úbytku v propustném směru: oba požadavky vzájemně vylučují. představuje uspořádání diody PvN