Kniha podáva názorný výklad principů činnosti a vlastností základních druhů nejpoužívanějších polovodičových součástek, tzn. diody, tranzistoru a tyristoru. Výklad nepředpokládá předběžné znalosti v oboru polovodičové techniky. Kniha je určená širokému okruhu zájemců o polovodičovou techniku.
silně dotované
oblasti typu následuje slabě dotovaná oblast typu (obr. dalším výkladu budeme hovořit stále
o diodě typu PvN. Obě oblasti vodivostí typu resp.
Kontrolní otázka: kterém obou krystalů, naznačených obr. Vliv stupně dotace úbytek propustném směru
Nyní polarizujeme oba přechody předcházejícího článku pro
pustném směru. Východisko
z tohoto rozporu našli dva američtí fyzikové Hall Dunlap: navrhli, aby
se krystal opatřil třemi oblastmi různou vodivostí. Vykazuje-li
střední slabě dotovaná oblast vodivost typu (označení te) nebo vodivost
typu (označení v), není podstatné. kterých přechodech této diody objevuje difúzni napětí?
45
.19.
Kontrolní otázka: Náčrtek obr. 27,
se objeví při stejném propustném proudu menší úbytek napětí?
a) silněji dotovaném krystalu. obou stranách přechodu
jsou hlediska průchodu elektrického proudu zapojeny přechodem PN
do série, proto nich objevuje jistý úbytek napětí.
20.
b) slaběji dotovaném krystalu. Dioda naznačeným sledem oblastí
se nazývá dioda PtuN nebo PvN.
c) obou krystalech úbytek stejně velký. představuje uspořádání diody
PvN. Diody typu PtcN, PvN
Dosud jsme poučili tom, jednoduchého přechodu ne
můžeme současně dosáhnout vysokého závěrného napětí malého úbytku
v propustném směru: oba požadavky vzájemně vylučují. Jak jsme dozvěděli článku 13, budou tomto případě
oba přechody zaplaveny pohyblivými nosiči nábojů, volnými elektrony
a děrami. 28)
