Dioda, tranzistor a tyristor názorně

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha podáva názorný výklad principů činnosti a vlastností základních druhů nejpoužívanějších polovodičových součástek, tzn. diody, tranzistoru a tyristoru. Výklad nepředpokládá předběžné znalosti v oboru polovodičové techniky. Kniha je určená širokému okruhu zájemců o polovodičovou techniku.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Vladimír Suchánek

Strana 288 z 304

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
19. 17. Při čistě činném zatížení pracovní bod tranzistoru pohybuje po stejné odporové přímce (obr. 148). Během doby přesahu nepozorujeme výstupu spínače žádnou znatelnou změnu, proud napětí zůstávají téměř nezměněny. 289 . Ano, požadavek splníme pomocí kondenzátoru, zapojeného paralelně odporu bázi (článek 20). Abychom měli jistotu, nedojde přetížení tranzistoru. Zvýšením proudu báze sníží saturační napětí (článek 9). Ztráty tranzistoru jsou při spínání indukční zátěže menší. Kontrolní otázky: 21. Poměr t/T 0,1/5 0,02. Zvětšíme-li komutační poměr, zkrátíme dobu přesahu dobu týlu (článek 18). 16. Při oteplení 200 140 přípustný maximální ztrátový výkon Pc(max) 140/0,1 1400 (článek 11). Proud báze zmenší, protože nabitým kondenzátorem nemůže procházet ustáleném stavu proud. Plocha nad pod přímkou -Pc(A V). Doba přesahu při větším přesycení zkrátí (článek 14).) Vlivem zapínací doby zátěž připnuta zdroj jistým zpožděním oproti řídicímu signálu. 20. KONTROLNÍ TEST C 1. 2. 24. 27. Abychom nepřekročili přípustnou maximální hodnotu proudu kolektoru. 18. Obdobná úvaha platí pro tranzistor PNP. Víme, tento přechod —- u zapojení společným emitorem přechod báze—-emitor chová jako dioda. Má-lí tedy otevřít tranzistor typu NPN, něhož báze vodivost typu emitor vodivost musí být potenciál báze oproti emi­ toru kladný.řídicí přechod musí být polarizován propustně. Z charakteristiky určíme pro nalezenou hodnotu dobu tepelnou im­ pedanci 0,1°c/w. 3. Napětí zatěžovacím odporu nižší úbytek propustně polarizované diodě emitorovém přívodu. Doba týlu nezkracuje podstatně pro 0,75. 14. a), b), c. vymezená průbě­ hem pc(t), musí být stejně velká. 22. 25. Doba přesahu tranzistoru uvedených podmínek [xs. Nesmíme překročit přípustné hodnoty ztrát impulsovém provozu maximální napětí přechodu E—C. 23. 26. 15