Kniha podáva názorný výklad principů činnosti a vlastností základních druhů nejpoužívanějších polovodičových součástek, tzn. diody, tranzistoru a tyristoru. Výklad nepředpokládá předběžné znalosti v oboru polovodičové techniky. Kniha je určená širokému okruhu zájemců o polovodičovou techniku.
a), b), c.) Vlivem zapínací doby zátěž připnuta zdroj jistým
zpožděním oproti řídicímu signálu.
Z charakteristiky určíme pro nalezenou hodnotu dobu tepelnou im
pedanci 0,1°c/w.
14. Během doby přesahu nepozorujeme výstupu spínače žádnou
znatelnou změnu, proud napětí zůstávají téměř nezměněny. Obdobná úvaha platí pro tranzistor PNP.řídicí přechod musí být polarizován propustně.
16.
Kontrolní otázky:
21. Doba týlu nezkracuje podstatně pro 0,75. Poměr t/T 0,1/5 0,02. Napětí zatěžovacím odporu nižší úbytek propustně
polarizované diodě emitorovém přívodu.
18. Proud báze zmenší, protože nabitým kondenzátorem nemůže
procházet ustáleném stavu proud. Ano, požadavek splníme pomocí kondenzátoru, zapojeného
paralelně odporu bázi (článek 20). Doba přesahu při větším přesycení zkrátí (článek 14). 148).
24.
Při oteplení 200 140 přípustný maximální ztrátový
výkon
Pc(max) 140/0,1 1400 (článek 11).
2.
26. Ztráty tranzistoru jsou při spínání indukční zátěže menší. Abychom měli jistotu, nedojde přetížení tranzistoru. Při čistě činném zatížení pracovní bod tranzistoru pohybuje
po stejné odporové přímce (obr. Zvětšíme-li komutační poměr, zkrátíme dobu přesahu dobu
týlu (článek 18).
19.
20. Nesmíme překročit přípustné hodnoty ztrát impulsovém
provozu maximální napětí přechodu E—C.
289
.
15.
3.
27.
25.
KONTROLNÍ TEST C
1. Má-lí tedy otevřít tranzistor typu NPN, něhož báze
vodivost typu emitor vodivost musí být potenciál báze oproti emi
toru kladný.
17. Doba přesahu tranzistoru uvedených podmínek [xs. Zvýšením proudu báze sníží saturační napětí (článek 9). vymezená průbě
hem pc(t), musí být stejně velká.
23. Abychom nepřekročili přípustnou maximální hodnotu proudu
kolektoru.
22. Víme, tento přechod —-
u zapojení společným emitorem přechod báze—-emitor chová
jako dioda. Plocha nad pod přímkou -Pc(A V)
