Kniha podáva názorný výklad principů činnosti a vlastností základních druhů nejpoužívanějších polovodičových součástek, tzn. diody, tranzistoru a tyristoru. Výklad nepředpokládá předběžné znalosti v oboru polovodičové techniky. Kniha je určená širokému okruhu zájemců o polovodičovou techniku.
Během doby přesahu nepozorujeme výstupu spínače žádnou
znatelnou změnu, proud napětí zůstávají téměř nezměněny.
25.
Při oteplení 200 140 přípustný maximální ztrátový
výkon
Pc(max) 140/0,1 1400 (článek 11). Zvýšením proudu báze sníží saturační napětí (článek 9).
17. 148).
3. Obdobná úvaha platí pro tranzistor PNP. Napětí zatěžovacím odporu nižší úbytek propustně
polarizované diodě emitorovém přívodu.
2. Nesmíme překročit přípustné hodnoty ztrát impulsovém
provozu maximální napětí přechodu E—C. a), b), c.
16. Abychom měli jistotu, nedojde přetížení tranzistoru. Ano, požadavek splníme pomocí kondenzátoru, zapojeného
paralelně odporu bázi (článek 20). Proud báze zmenší, protože nabitým kondenzátorem nemůže
procházet ustáleném stavu proud.
KONTROLNÍ TEST C
1.
26.) Vlivem zapínací doby zátěž připnuta zdroj jistým
zpožděním oproti řídicímu signálu.
14.
19.
Kontrolní otázky:
21.
20.
15.
23. Zvětšíme-li komutační poměr, zkrátíme dobu přesahu dobu
týlu (článek 18).
289
.
22. Doba přesahu tranzistoru uvedených podmínek [xs.
Z charakteristiky určíme pro nalezenou hodnotu dobu tepelnou im
pedanci 0,1°c/w.řídicí přechod musí být polarizován propustně.
18. vymezená průbě
hem pc(t), musí být stejně velká. Při čistě činném zatížení pracovní bod tranzistoru pohybuje
po stejné odporové přímce (obr. Poměr t/T 0,1/5 0,02. Doba týlu nezkracuje podstatně pro 0,75. Abychom nepřekročili přípustnou maximální hodnotu proudu
kolektoru. Doba přesahu při větším přesycení zkrátí (článek 14).
24.
27. Plocha nad pod přímkou -Pc(A V). Ztráty tranzistoru jsou při spínání indukční zátěže menší. Víme, tento přechod —-
u zapojení společným emitorem přechod báze—-emitor chová
jako dioda. Má-lí tedy otevřít tranzistor typu NPN, něhož báze
vodivost typu emitor vodivost musí být potenciál báze oproti emi
toru kladný
