Kniha podáva názorný výklad principů činnosti a vlastností základních druhů nejpoužívanějších polovodičových součástek, tzn. diody, tranzistoru a tyristoru. Výklad nepředpokládá předběžné znalosti v oboru polovodičové techniky. Kniha je určená širokému okruhu zájemců o polovodičovou techniku.
Ano, požadavek splníme pomocí kondenzátoru, zapojeného
paralelně odporu bázi (článek 20).
24.
14.
Z charakteristiky určíme pro nalezenou hodnotu dobu tepelnou im
pedanci 0,1°c/w.
20. Abychom měli jistotu, nedojde přetížení tranzistoru. 148). a), b), c.
16.
2.
27. Abychom nepřekročili přípustnou maximální hodnotu proudu
kolektoru. Zvýšením proudu báze sníží saturační napětí (článek 9).
26. Nesmíme překročit přípustné hodnoty ztrát impulsovém
provozu maximální napětí přechodu E—C. Víme, tento přechod —-
u zapojení společným emitorem přechod báze—-emitor chová
jako dioda. vymezená průbě
hem pc(t), musí být stejně velká. Obdobná úvaha platí pro tranzistor PNP. Plocha nad pod přímkou -Pc(A V). Během doby přesahu nepozorujeme výstupu spínače žádnou
znatelnou změnu, proud napětí zůstávají téměř nezměněny. Doba týlu nezkracuje podstatně pro 0,75.
15. Zvětšíme-li komutační poměr, zkrátíme dobu přesahu dobu
týlu (článek 18).
289
.
19.
25. Má-lí tedy otevřít tranzistor typu NPN, něhož báze
vodivost typu emitor vodivost musí být potenciál báze oproti emi
toru kladný.
18. Ztráty tranzistoru jsou při spínání indukční zátěže menší.
17.
KONTROLNÍ TEST C
1.) Vlivem zapínací doby zátěž připnuta zdroj jistým
zpožděním oproti řídicímu signálu.
23. Proud báze zmenší, protože nabitým kondenzátorem nemůže
procházet ustáleném stavu proud.
3. Doba přesahu tranzistoru uvedených podmínek [xs.
Při oteplení 200 140 přípustný maximální ztrátový
výkon
Pc(max) 140/0,1 1400 (článek 11).
22. Při čistě činném zatížení pracovní bod tranzistoru pohybuje
po stejné odporové přímce (obr.řídicí přechod musí být polarizován propustně. Doba přesahu při větším přesycení zkrátí (článek 14). Poměr t/T 0,1/5 0,02.
Kontrolní otázky:
21. Napětí zatěžovacím odporu nižší úbytek propustně
polarizované diodě emitorovém přívodu
