Dioda, tranzistor a tyristor názorně

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha podáva názorný výklad principů činnosti a vlastností základních druhů nejpoužívanějších polovodičových součástek, tzn. diody, tranzistoru a tyristoru. Výklad nepředpokládá předběžné znalosti v oboru polovodičové techniky. Kniha je určená širokému okruhu zájemců o polovodičovou techniku.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Vladimír Suchánek

Strana 287 z 304

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
* Poznámka: Uvědomte dobře, zbytkový proud saturační napětí (někdy najdete v literatuře označení zbytkové napětí) nemohou nikdy objevit tranzistoru sou­ časně zbytkový proud projevuje vypnutého {uzavřeného), nevodivého tranzistoru, zbytkové napětí sepnutého (otevřeného) tranzistoru, který přešel působením vstup­ ního signálu vodivého stavu chová výstupním obvodu téměř jako doko­ nalý zkrat. 2. zesilovat, musí všemi jeho elektrodami procházet proudy větší než zbytkové jeho 288 . VcEsat •7C 0,5 0,5 W. 11. 3. °C. Nejsnáze vyřešíte všechny otázky, spojené vodivým či nevodivým stavem tranzistoru libovolného typu, jestliže uvědomíte, že, má-li tranzistor sepnout nebo pracovat jako aktivní prvek, tj. Saturační napětí zmenšíme zvětšením proudu báze. 10. Proud U/Ez V/l mA. Kontrolní otázky: 13. 2. Kontrolní otázky: 7.KONTROLNÍ TEST A 1. 8. Nejmenší hodnotu zbytkový proud cbo. Odpor Rth zmenšuje, protože tepelný proud prochází větším průřezem (srovnejte analogický obvod elektrického proudu: odpor vodiče jistého průřezu délky menší než odpor vodiče stejné délky menšího průřezu), KONTROLNÍ TEST B 1. nevodivého tranzistoru vzniká ztrátový výkon, však podstatně menší než ztrátový výkon sepnutém stavu, proto jej lze za­ nedbat (je dán přibližně součinem zbytkového proudu napětí zdroje). Teplota přechodu 150 °C. 9. Pro spínací provoz nejvhodnější zapojení společným emi­ torem, protože řídíme tranzistor minimálním vstupním výkonem. Báze musí mít při sepnutém tranzistoru kladný potenciál oproti emitoru. Teplotní rozdíl 7>c 10. procháaející pře­ chodem kolektor—báze případě, tranzistor pracuje zapojení spo­ lečnou bází nebo zapojen společným emitorem jeho řídicí přechod polarizujeme závěrně. Rozdíl teplot 200 140 °C, proto tranzistorová ztráta /Rtn 140/50 2,8 W. Potřebný řídicí výkon pro dosažení nižšího saturačního napětí zvětšuje. Saturační napětí snižuje napětí zatěžovacím odporu. 12