Dioda, tranzistor a tyristor názorně

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha podáva názorný výklad principů činnosti a vlastností základních druhů nejpoužívanějších polovodičových součástek, tzn. diody, tranzistoru a tyristoru. Výklad nepředpokládá předběžné znalosti v oboru polovodičové techniky. Kniha je určená širokému okruhu zájemců o polovodičovou techniku.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Vladimír Suchánek

Strana 287 z 304

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Kontrolní otázky: 13. procháaející pře­ chodem kolektor—báze případě, tranzistor pracuje zapojení spo­ lečnou bází nebo zapojen společným emitorem jeho řídicí přechod polarizujeme závěrně. Saturační napětí zmenšíme zvětšením proudu báze. 12. Nejsnáze vyřešíte všechny otázky, spojené vodivým či nevodivým stavem tranzistoru libovolného typu, jestliže uvědomíte, že, má-li tranzistor sepnout nebo pracovat jako aktivní prvek, tj. 10.* Poznámka: Uvědomte dobře, zbytkový proud saturační napětí (někdy najdete v literatuře označení zbytkové napětí) nemohou nikdy objevit tranzistoru sou­ časně zbytkový proud projevuje vypnutého {uzavřeného), nevodivého tranzistoru, zbytkové napětí sepnutého (otevřeného) tranzistoru, který přešel působením vstup­ ního signálu vodivého stavu chová výstupním obvodu téměř jako doko­ nalý zkrat. VcEsat •7C 0,5 0,5 W. °C. Teplotní rozdíl 7>c 10. 8. Nejmenší hodnotu zbytkový proud cbo. 2. Odpor Rth zmenšuje, protože tepelný proud prochází větším průřezem (srovnejte analogický obvod elektrického proudu: odpor vodiče jistého průřezu délky menší než odpor vodiče stejné délky menšího průřezu), KONTROLNÍ TEST B 1. Pro spínací provoz nejvhodnější zapojení společným emi­ torem, protože řídíme tranzistor minimálním vstupním výkonem. Kontrolní otázky: 7. Teplota přechodu 150 °C. 9. 3. Proud U/Ez V/l mA. zesilovat, musí všemi jeho elektrodami procházet proudy větší než zbytkové jeho 288 . Báze musí mít při sepnutém tranzistoru kladný potenciál oproti emitoru. Potřebný řídicí výkon pro dosažení nižšího saturačního napětí zvětšuje.KONTROLNÍ TEST A 1. nevodivého tranzistoru vzniká ztrátový výkon, však podstatně menší než ztrátový výkon sepnutém stavu, proto jej lze za­ nedbat (je dán přibližně součinem zbytkového proudu napětí zdroje). Saturační napětí snižuje napětí zatěžovacím odporu. 11. 2. Rozdíl teplot 200 140 °C, proto tranzistorová ztráta /Rtn 140/50 2,8 W