Kniha podáva názorný výklad principů činnosti a vlastností základních druhů nejpoužívanějších polovodičových součástek, tzn. diody, tranzistoru a tyristoru. Výklad nepředpokládá předběžné znalosti v oboru polovodičové techniky. Kniha je určená širokému okruhu zájemců o polovodičovou techniku.
9.
2.
Kontrolní otázky:
13.*
Poznámka: Uvědomte dobře, zbytkový proud saturační napětí (někdy najdete
v literatuře označení zbytkové napětí) nemohou nikdy objevit tranzistoru sou
časně zbytkový proud projevuje vypnutého {uzavřeného), nevodivého tranzistoru,
zbytkové napětí sepnutého (otevřeného) tranzistoru, který přešel působením vstup
ního signálu vodivého stavu chová výstupním obvodu téměř jako doko
nalý zkrat.
8.KONTROLNÍ TEST A
1. Saturační napětí zmenšíme zvětšením proudu báze.
10. Rozdíl teplot 200 140 °C, proto tranzistorová
ztráta /Rtn 140/50 2,8 W. Odpor Rth zmenšuje, protože tepelný proud prochází větším
průřezem (srovnejte analogický obvod elektrického proudu: odpor vodiče
jistého průřezu délky menší než odpor vodiče stejné délky menšího
průřezu),
KONTROLNÍ TEST B
1. Potřebný řídicí výkon pro dosažení nižšího saturačního
napětí zvětšuje. zesilovat,
musí všemi jeho elektrodami procházet proudy větší než zbytkové jeho
288
.
Kontrolní otázky:
7.
11. Pro spínací provoz nejvhodnější zapojení společným emi
torem, protože řídíme tranzistor minimálním vstupním výkonem.
2. Nejsnáze vyřešíte všechny otázky, spojené vodivým či
nevodivým stavem tranzistoru libovolného typu, jestliže uvědomíte, že,
má-li tranzistor sepnout nebo pracovat jako aktivní prvek, tj. Saturační napětí snižuje napětí zatěžovacím odporu.
3. procháaející pře
chodem kolektor—báze případě, tranzistor pracuje zapojení spo
lečnou bází nebo zapojen společným emitorem jeho řídicí přechod
polarizujeme závěrně. Proud U/Ez V/l mA. Teplotní rozdíl 7>c 10. °C.
Teplota přechodu 150 °C. nevodivého tranzistoru vzniká ztrátový výkon, však
podstatně menší než ztrátový výkon sepnutém stavu, proto jej lze za
nedbat (je dán přibližně součinem zbytkového proudu napětí zdroje). VcEsat •7C 0,5 0,5 W. Báze musí mít při sepnutém tranzistoru kladný potenciál
oproti emitoru. Nejmenší hodnotu zbytkový proud cbo.
12
