Dioda, tranzistor a tyristor názorně

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha podáva názorný výklad principů činnosti a vlastností základních druhů nejpoužívanějších polovodičových součástek, tzn. diody, tranzistoru a tyristoru. Výklad nepředpokládá předběžné znalosti v oboru polovodičové techniky. Kniha je určená širokému okruhu zájemců o polovodičovou techniku.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Vladimír Suchánek

Strana 195 z 304

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Kontrolní otázka: Propustný proud tyristoru vzniká pohybem nosičů nábojů. V2 elektronový proud ÍM- derovy S p*™“ i 11 Výstupní kolektorový proud prvního tranzistoru však vlivem vzájemného spojení obou tranzistorů současně řídicím proudem tranzistoru V2. důsledku toho se otevírá tranzistor jeho emitorový kolektorový proud značně vzrůstá. jak volné elektrony, tak díry. Který proud tyristoru způsobí, tyristor přejde blokovacího stavu propustného, tzn. Pochod stále opakuje končí tím, oba původně závěrně polarizované přechody báze—kolektor obou tranzistorů jsou zaplaveny nosiči nábojů a přecházejí proto vodivého stavu. Jakým myšlenkovým obratem snadno vysvětlíme mechanismus přechodu tyristorové struktury vodivého stavu? 5. Oba tranzistory sepnuly, což znamená, že tyristor přešel propustného stavu. 174) značně větší proud, procházející emito­ rem kolektorem Kolektorový proud ic2 vstupuje báze tranzis­ toru pro který představuje řídicí proud báze Bj. 2. Tyto nosiče jsou a) převážně jednoho druhu, tzn. Které dva předpoklady musí být splněny, aby mohl tyris­ tor sepnout ? 196 . buď volné elektrony, nebo díry, b) obou druhů, tzn. Udejte sled polovodičových oblastí tyristoru počínaje anodou.emitovaných napětím vstupuje oblasti báze vyvolává vlivem tranzistorového jevu (obr. sepne? 4. K TRO TEST B 1. Kolika přechodů využívá tyristor? 3. Původní řídicí proud, vyvolaný vnějším zdrojem pomocného řídicího napětí tedy nyní zvětšil vlivem kladné vazby mezi oběma tranzistory