Polovodičová technika. Publikace vysvětluje principy bezkontaktního spínání, uvádí základní vztahy a charakteristiky. Je zde zpracována problematikabezkontaktního spínání stejnosměrného i střídavého proudu včetně osvědčených a realizovaných zapojení. Jsou zde uvedeny též základní údaje o výkonových polovodičových součástkách a přehled vyráběných zařízení našichi zahraničních.
S růstem napětí mezi anodou katodou dochází lavinovému nárůstu
počtu menšinových nositelů proudu oblasti přechodu J2, dojde za
pnutí (vzrůst multiplikačního činitele M).
d) Při strmém nárůstu blokovacího
napětí duDjdt prochází kapacitní proud přechodu přechody J3
s důsledky stejnými jako při zavedení řídicího proudu IG. Tím popud injekci nosičů proudu
obou emitorových přechodů (Jt 3), vykompenzuje prostorový náboj
v oblasti přechodu dojde přepolarizaci tohoto přechodu propust
ného stavu. Předpokládám oblast pře
chodu J3je vedena řídicí elektrodu anoda proti katodě kladný
potenciál. přechod blokovacího propustného stavu:
a) /G. Změny
proudu čtyřvrstvové struktuře tím navození kritického stavu, kdy
oci při němž polovodič přechází blokovacího propustného
stavu, lze dosáhnout vnějším zásahem. Jednotlivé param etry vysvětlíme dále.
b) U(B0). závěrném směru se
součástka chová jako obyčejná dioda. Vzniklý proud způsobí za
pnutí čtyřvrstvové struktury. Rozeznáváme tyto mechanismy za
pnutí, tj.Vzhledem přesnému zachycení jevu lze mít proti tom uto vztahu námitky,
nicméně však zachycuje základní vlastnosti čtyřvrstvové struktury, stabilní
funkci dvou stavech:
blokovací stav oc2 proud stejný nebo nepatrně větší než
závěrný proud přechodu J2;
propustný stav cíj jmenovatel zlomku (7) blíží nule proud
je omezen jen odporem vnějšího obvodu. Typický průběh voltampérové
charakteristiky čtyřvrstvové struktury obr. Typická křemíková struktura má
největší citlivost oblasti infračervených paprsků vlnové délce =
= 10~6 m. Přivedeme-li řídicí elektrodě kladné napětí, začne přecho
dem procházet propustný proud. Tím dojde značnému poklesu napětí čtyřvrstvové struk
tuře struktura přejde propustného stavu.
c) Vlivem záření dochází
v polovodiči vzniku toku nositelů proudu.
24
.
Z teorie tranzistorů známo, činitel zesílení stoupá zvěšujícím se
proudem emitoru IEv určitém rozsahu hodnotu blízkou jedné
