Bezkontaktní spínání (1975)

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Polovodičová technika. Publikace vysvětluje principy bezkontakt­ního spínání, uvádí základní vztahy a cha­rakteristiky. Je zde zpracována problematikabezkontaktního spínání stejnosměrného i stří­davého proudu včetně osvědčených a realizo­vaných zapojení. Jsou zde uvedeny též základ­ní údaje o výkonových polovodičových sou­částkách a přehled vyráběných zařízení našichi zahraničních.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Josef Heřman

Strana 22 z 224

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
d) Při strmém nárůstu blokovacího napětí duDjdt prochází kapacitní proud přechodu přechody J3 s důsledky stejnými jako při zavedení řídicího proudu IG. 24 . b) U(B0). Předpokládám oblast pře­ chodu J3je vedena řídicí elektrodu anoda proti katodě kladný potenciál. Tím popud injekci nosičů proudu obou emitorových přechodů (Jt 3), vykompenzuje prostorový náboj v oblasti přechodu dojde přepolarizaci tohoto přechodu propust­ ného stavu. S růstem napětí mezi anodou katodou dochází lavinovému nárůstu počtu menšinových nositelů proudu oblasti přechodu J2, dojde za­ pnutí (vzrůst multiplikačního činitele M). Rozeznáváme tyto mechanismy za­ pnutí, tj.Vzhledem přesnému zachycení jevu lze mít proti tom uto vztahu námitky, nicméně však zachycuje základní vlastnosti čtyřvrstvové struktury, stabilní funkci dvou stavech: blokovací stav oc2 proud stejný nebo nepatrně větší než závěrný proud přechodu J2; propustný stav cíj jmenovatel zlomku (7) blíží nule proud je omezen jen odporem vnějšího obvodu. Tím dojde značnému poklesu napětí čtyřvrstvové struk­ tuře struktura přejde propustného stavu. Změny proudu čtyřvrstvové struktuře tím navození kritického stavu, kdy oci při němž polovodič přechází blokovacího propustného stavu, lze dosáhnout vnějším zásahem. Vzniklý proud způsobí za­ pnutí čtyřvrstvové struktury. Přivedeme-li řídicí elektrodě kladné napětí, začne přecho­ dem procházet propustný proud. Typický průběh voltampérové charakteristiky čtyřvrstvové struktury obr. Z teorie tranzistorů známo, činitel zesílení stoupá zvěšujícím se proudem emitoru IEv určitém rozsahu hodnotu blízkou jedné. Jednotlivé param etry vysvětlíme dále. závěrném směru se součástka chová jako obyčejná dioda. přechod blokovacího propustného stavu: a) /G. Typická křemíková struktura má největší citlivost oblasti infračervených paprsků vlnové délce = = 10~6 m. c) Vlivem záření dochází v polovodiči vzniku toku nositelů proudu