Bezkontaktní spínání (1975)

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Polovodičová technika. Publikace vysvětluje principy bezkontakt­ního spínání, uvádí základní vztahy a cha­rakteristiky. Je zde zpracována problematikabezkontaktního spínání stejnosměrného i stří­davého proudu včetně osvědčených a realizo­vaných zapojení. Jsou zde uvedeny též základ­ní údaje o výkonových polovodičových sou­částkách a přehled vyráběných zařízení našichi zahraničních.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Josef Heřman

Strana 22 z 224

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Tím dojde značnému poklesu napětí čtyřvrstvové struk­ tuře struktura přejde propustného stavu. Typický průběh voltampérové charakteristiky čtyřvrstvové struktury obr. Typická křemíková struktura má největší citlivost oblasti infračervených paprsků vlnové délce = = 10~6 m. přechod blokovacího propustného stavu: a) /G. Vzniklý proud způsobí za­ pnutí čtyřvrstvové struktury. Přivedeme-li řídicí elektrodě kladné napětí, začne přecho­ dem procházet propustný proud. závěrném směru se součástka chová jako obyčejná dioda. Z teorie tranzistorů známo, činitel zesílení stoupá zvěšujícím se proudem emitoru IEv určitém rozsahu hodnotu blízkou jedné. b) U(B0). Rozeznáváme tyto mechanismy za­ pnutí, tj. S růstem napětí mezi anodou katodou dochází lavinovému nárůstu počtu menšinových nositelů proudu oblasti přechodu J2, dojde za­ pnutí (vzrůst multiplikačního činitele M).Vzhledem přesnému zachycení jevu lze mít proti tom uto vztahu námitky, nicméně však zachycuje základní vlastnosti čtyřvrstvové struktury, stabilní funkci dvou stavech: blokovací stav oc2 proud stejný nebo nepatrně větší než závěrný proud přechodu J2; propustný stav cíj jmenovatel zlomku (7) blíží nule proud je omezen jen odporem vnějšího obvodu. Předpokládám oblast pře­ chodu J3je vedena řídicí elektrodu anoda proti katodě kladný potenciál. d) Při strmém nárůstu blokovacího napětí duDjdt prochází kapacitní proud přechodu přechody J3 s důsledky stejnými jako při zavedení řídicího proudu IG. c) Vlivem záření dochází v polovodiči vzniku toku nositelů proudu. Tím popud injekci nosičů proudu obou emitorových přechodů (Jt 3), vykompenzuje prostorový náboj v oblasti přechodu dojde přepolarizaci tohoto přechodu propust­ ného stavu. Jednotlivé param etry vysvětlíme dále. 24 . Změny proudu čtyřvrstvové struktuře tím navození kritického stavu, kdy oci při němž polovodič přechází blokovacího propustného stavu, lze dosáhnout vnějším zásahem