|
Kategorie: Skripta |
Tento dokument chci!
Předmět Analogové elektronické obvody (AEO) je zařazen na FEKT VUT v Brně, v bakalářském studijním programu Elektrotechnika, elektronika, komunikační a řídicí technika,v zimním semestru 2. ročníku, jako povinný v oboru Elektronika a sdělovací technika. Do kurzu jsou zařazena i počítačová cvičení (1h. × 13t. ≡ 1 × 2h. každé 2t.), výuka tedy probíhá všesti čtrnáctidenních cyklech.
Vydal: FEKT VUT Brno UREL - Lubomír Brančík, Tomáš Dostál, Zdeněk Kolka
Strana 18 z 59
«
Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.
»
Jak získat tento dokument?
Poznámky redaktora
Příklad 3.Fakulta elektrotechniky komunikačních technologií VUT Brně
Příklad 3.
Nakreslete zapojení Riordanova gyrátoru (modifikace zapojení PIK) nalezněte vstupní
impedanci při jeho zatížení kapacitorem.9 určete vstupní výstupní impedance symbolickém i
semisymbolickém tvaru.
Pomocí programu SNAP nalezněte symbolický tvar napěťového přenosu aktivní 2.
V předchozím Příklad 3.14: Napěťový přenos aktivní pásmové propusti řádu OZ.5 kap. Totéž proveďte pro zapojení pozitivního
impedančního konvertoru (PIK) realizovaného dvěma OZ.13 Napěťový přenos fázovacího článku. Uvažujte postupně parametry z.6 kap.
Pomocí programu SNAP najděte Příklad 3.
řádu Příklad 2.
Pomocí programu SNAP naleznětě symbolický výraz pro jeho vstupní impedanci Zinp, je-li
jeho výstupní brána zatížena impedancí Zz.
Obr.9: Kmitočtové charakteristiky zesilovače kapacitní vazbou.
Příklad 3.10: Branové impedance zesilovače kapacitní vazbou.8: Jednostupňový tranzistorový zesilovač kapacitní vazbou. 3.
Pomocí programu SNAP řešte zadání Příklad 2. Zobrazte jeho modulové argumentové kmitočtové charakteristiky. Srovnejte výsledky symbolickém tvaru odpovídající
kmitočtové charakteristiky. 2.
Příklad 3.
Příklad 3.12: Analogové funkční bloky: impedanční invertory, gyrátor.11 Analogové funkční bloky: impedanční konvertory. 3.
.
Příklad 3.3.
Pomocí programu SNAP nalezněte symbolický tvar napěťového přenosu pro
jednostupňový tranzistorový zesilovač Obr.8 napěťový přenos semisymbolickém
tvaru pro hodnoty prvků: kΩ, R1A 500 kΩ, R1B 100 kΩ, kΩ, kΩ,
tranzistor h11 kΩ, h21 50, h12 h22 Zobrazte modulovou fázovou kmitočtovou
charakteristiku napěťového přenosu. pro aktivní
obvod (fázovací článek).3: Jednostupňový tranzistorový zesilovač kapacitní vazbou.10-4
a h22 μS.
Totéž proveďte pro případ tranzistoru nenulovými parametry h12 1,8.
Nakreslete zapojení negativního impedančního konvertoru (NIK) realizovaného OZ.4 Příklad 2.
Příklad 3
