|
Kategorie: Skripta |
Tento dokument chci!
Předmět Analogové elektronické obvody (AEO) je zařazen na FEKT VUT v Brně, v bakalářském studijním programu Elektrotechnika, elektronika, komunikační a řídicí technika,v zimním semestru 2. ročníku, jako povinný v oboru Elektronika a sdělovací technika. Do kurzu jsou zařazena i počítačová cvičení (1h. × 13t. ≡ 1 × 2h. každé 2t.), výuka tedy probíhá všesti čtrnáctidenních cyklech.
Vydal: FEKT VUT Brno UREL - Lubomír Brančík, Tomáš Dostál, Zdeněk Kolka
Strana 18 z 59
«
Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.
»
Jak získat tento dokument?
Poznámky redaktora
3.13 Napěťový přenos fázovacího článku.
Nakreslete zapojení negativního impedančního konvertoru (NIK) realizovaného OZ.9: Kmitočtové charakteristiky zesilovače kapacitní vazbou.8: Jednostupňový tranzistorový zesilovač kapacitní vazbou.Fakulta elektrotechniky komunikačních technologií VUT Brně
Příklad 3. pro aktivní
obvod (fázovací článek).
Příklad 3.
Příklad 3.9 určete vstupní výstupní impedance symbolickém i
semisymbolickém tvaru. 3.
Příklad 3.
Příklad 3. Uvažujte postupně parametry z.
Příklad 3.12: Analogové funkční bloky: impedanční invertory, gyrátor. 3.
. 2.11 Analogové funkční bloky: impedanční konvertory.
Pomocí programu SNAP nalezněte symbolický tvar napěťového přenosu pro
jednostupňový tranzistorový zesilovač Obr.14: Napěťový přenos aktivní pásmové propusti řádu OZ.
Pomocí programu SNAP naleznětě symbolický výraz pro jeho vstupní impedanci Zinp, je-li
jeho výstupní brána zatížena impedancí Zz.4 Příklad 2.6 kap. Zobrazte jeho modulové argumentové kmitočtové charakteristiky.
Pomocí programu SNAP najděte Příklad 3.8 napěťový přenos semisymbolickém
tvaru pro hodnoty prvků: kΩ, R1A 500 kΩ, R1B 100 kΩ, kΩ, kΩ,
tranzistor h11 kΩ, h21 50, h12 h22 Zobrazte modulovou fázovou kmitočtovou
charakteristiku napěťového přenosu.
řádu Příklad 2.
V předchozím Příklad 3.
Pomocí programu SNAP nalezněte symbolický tvar napěťového přenosu aktivní 2.10: Branové impedance zesilovače kapacitní vazbou. Srovnejte výsledky symbolickém tvaru odpovídající
kmitočtové charakteristiky.
Obr. Totéž proveďte pro zapojení pozitivního
impedančního konvertoru (PIK) realizovaného dvěma OZ.
Příklad 3.5 kap.
Totéž proveďte pro případ tranzistoru nenulovými parametry h12 1,8.10-4
a h22 μS.
Nakreslete zapojení Riordanova gyrátoru (modifikace zapojení PIK) nalezněte vstupní
impedanci při jeho zatížení kapacitorem.
Pomocí programu SNAP řešte zadání Příklad 2.3: Jednostupňový tranzistorový zesilovač kapacitní vazbou
