|
Kategorie: Skripta |
Tento dokument chci!
Předmět Analogové elektronické obvody (AEO) je zařazen na FEKT VUT v Brně, v bakalářském studijním programu Elektrotechnika, elektronika, komunikační a řídicí technika,v zimním semestru 2. ročníku, jako povinný v oboru Elektronika a sdělovací technika. Do kurzu jsou zařazena i počítačová cvičení (1h. × 13t. ≡ 1 × 2h. každé 2t.), výuka tedy probíhá všesti čtrnáctidenních cyklech.
Vydal: FEKT VUT Brno UREL - Lubomír Brančík, Tomáš Dostál, Zdeněk Kolka
Strana 18 z 59
«
Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.
»
Jak získat tento dokument?
Poznámky redaktora
Příklad 3.5 kap.
Pomocí programu SNAP řešte zadání Příklad 2.
Nakreslete zapojení negativního impedančního konvertoru (NIK) realizovaného OZ.12: Analogové funkční bloky: impedanční invertory, gyrátor.8 napěťový přenos semisymbolickém
tvaru pro hodnoty prvků: kΩ, R1A 500 kΩ, R1B 100 kΩ, kΩ, kΩ,
tranzistor h11 kΩ, h21 50, h12 h22 Zobrazte modulovou fázovou kmitočtovou
charakteristiku napěťového přenosu.13 Napěťový přenos fázovacího článku. pro aktivní
obvod (fázovací článek). Srovnejte výsledky symbolickém tvaru odpovídající
kmitočtové charakteristiky.
Příklad 3.
V předchozím Příklad 3.Fakulta elektrotechniky komunikačních technologií VUT Brně
Příklad 3.10: Branové impedance zesilovače kapacitní vazbou.
. Uvažujte postupně parametry z. Totéž proveďte pro zapojení pozitivního
impedančního konvertoru (PIK) realizovaného dvěma OZ.
Příklad 3.9 určete vstupní výstupní impedance symbolickém i
semisymbolickém tvaru.3.
Pomocí programu SNAP nalezněte symbolický tvar napěťového přenosu pro
jednostupňový tranzistorový zesilovač Obr.
Pomocí programu SNAP najděte Příklad 3. 3.
Nakreslete zapojení Riordanova gyrátoru (modifikace zapojení PIK) nalezněte vstupní
impedanci při jeho zatížení kapacitorem.
Pomocí programu SNAP naleznětě symbolický výraz pro jeho vstupní impedanci Zinp, je-li
jeho výstupní brána zatížena impedancí Zz.
Obr.4 Příklad 2. 2.14: Napěťový přenos aktivní pásmové propusti řádu OZ.
Příklad 3. 3. Zobrazte jeho modulové argumentové kmitočtové charakteristiky.10-4
a h22 μS.
Příklad 3.8: Jednostupňový tranzistorový zesilovač kapacitní vazbou.6 kap.
Příklad 3.
Pomocí programu SNAP nalezněte symbolický tvar napěťového přenosu aktivní 2.3: Jednostupňový tranzistorový zesilovač kapacitní vazbou.
Totéž proveďte pro případ tranzistoru nenulovými parametry h12 1,8.
řádu Příklad 2.9: Kmitočtové charakteristiky zesilovače kapacitní vazbou.11 Analogové funkční bloky: impedanční konvertory
