|
Kategorie: Skripta |
Tento dokument chci!
Předmět Analogové elektronické obvody (AEO) je zařazen na FEKT VUT v Brně, v bakalářském studijním programu Elektrotechnika, elektronika, komunikační a řídicí technika,v zimním semestru 2. ročníku, jako povinný v oboru Elektronika a sdělovací technika. Do kurzu jsou zařazena i počítačová cvičení (1h. × 13t. ≡ 1 × 2h. každé 2t.), výuka tedy probíhá všesti čtrnáctidenních cyklech.
Vydal: FEKT VUT Brno UREL - Lubomír Brančík, Tomáš Dostál, Zdeněk Kolka
Strana 18 z 59
«
Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.
»
Jak získat tento dokument?
Poznámky redaktora
Pomocí programu SNAP najděte Příklad 3.
Příklad 3. Zobrazte jeho modulové argumentové kmitočtové charakteristiky.
Nakreslete zapojení negativního impedančního konvertoru (NIK) realizovaného OZ.
Příklad 3.9 určete vstupní výstupní impedance symbolickém i
semisymbolickém tvaru. Totéž proveďte pro zapojení pozitivního
impedančního konvertoru (PIK) realizovaného dvěma OZ.8: Jednostupňový tranzistorový zesilovač kapacitní vazbou. 2.
Příklad 3.
Nakreslete zapojení Riordanova gyrátoru (modifikace zapojení PIK) nalezněte vstupní
impedanci při jeho zatížení kapacitorem.5 kap.3.
.10: Branové impedance zesilovače kapacitní vazbou.
Příklad 3.
Pomocí programu SNAP řešte zadání Příklad 2.
Pomocí programu SNAP naleznětě symbolický výraz pro jeho vstupní impedanci Zinp, je-li
jeho výstupní brána zatížena impedancí Zz.
Příklad 3.3: Jednostupňový tranzistorový zesilovač kapacitní vazbou. pro aktivní
obvod (fázovací článek).
Pomocí programu SNAP nalezněte symbolický tvar napěťového přenosu pro
jednostupňový tranzistorový zesilovač Obr.12: Analogové funkční bloky: impedanční invertory, gyrátor.8 napěťový přenos semisymbolickém
tvaru pro hodnoty prvků: kΩ, R1A 500 kΩ, R1B 100 kΩ, kΩ, kΩ,
tranzistor h11 kΩ, h21 50, h12 h22 Zobrazte modulovou fázovou kmitočtovou
charakteristiku napěťového přenosu. 3. Uvažujte postupně parametry z.13 Napěťový přenos fázovacího článku.
Totéž proveďte pro případ tranzistoru nenulovými parametry h12 1,8.Fakulta elektrotechniky komunikačních technologií VUT Brně
Příklad 3.
řádu Příklad 2.
V předchozím Příklad 3.4 Příklad 2. Srovnejte výsledky symbolickém tvaru odpovídající
kmitočtové charakteristiky.14: Napěťový přenos aktivní pásmové propusti řádu OZ. 3.10-4
a h22 μS.11 Analogové funkční bloky: impedanční konvertory.
Příklad 3.9: Kmitočtové charakteristiky zesilovače kapacitní vazbou.
Obr.
Pomocí programu SNAP nalezněte symbolický tvar napěťového přenosu aktivní 2.6 kap
