Předmět Analogové elektronické obvody (AEO) je zařazen na FEKT VUT v Brně, v bakalářském studijním programu Elektrotechnika, elektronika, komunikační a řídicí technika,v zimním semestru 2. ročníku, jako povinný v oboru Elektronika a sdělovací technika. Do kurzu jsou zařazena i počítačová cvičení (1h. × 13t. ≡ 1 × 2h. každé 2t.), výuka tedy probíhá všesti čtrnáctidenních cyklech.
Vydal: FEKT VUT Brno
Autor: UREL - Lubomír Brančík, Tomáš Dostál, Zdeněk Kolka
Strana 17 z 59
Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.
5 zopakujte při popisu tranzistoru jen parametry y21 y11 (ostatní
zanedbáváme). 3.
Pro zapojení Příklad 3.
Pomocí programu SNAP najděte symbolický tvar pro napěťový přenos aktivní horní
propusti druhého řádu.
Příklad 3.
Příklad 3.2: Tranzistorový stupeň zapojení SE.5 stanovte vstupní odpor (při výstupní bráně naprázdno) a
výstupní odpor (při vstupní bráně nakrátko napěťový zdroj uinp ideální).7: Tranzistorový stupeň (unilaterální).2, je-li tranzistor (T) popsán
admitančními parametry.
.4 Příklady pro samostatnou práci 2/2
Příklad 3.
Pomocí programu SNAP určete symbolický tvar napěťového přenosu tranzistorového
stupně zapojení společným emitorem (SE) Obr.6) i
numericky.
Předchozí Příklad 3.
• Nezapomeňte, pracujeme malosignálovým linearizovaným modelem tranzistoru,
zdroj napětí +UCC reálného obvodu sloužil pro nastavení klidového pracovního bodu
(determinuje velikosti dvojbranových parametrů, kterými tranzistor popsán), modelu
obvodu vzhledem změnám signálu jeví jako zkrat.5: Tranzistorový stupeň zapojení SE.6 Branové odpory tranzistorového stupně SE. Určete rovněž numerickou hodnotu napěťového přenosu, jsou-li zadány
následující hodnoty prvků: kΩ, 4,7 kΩ, tranzistor y11 450 μS, y21 mS,
y12 y22 Dále stanovte branové odpory symbolickém tvaru (srovnejte Příklad 3.
Poznámky řešení:
• editoru SNAPu třeba zvolit model tranzistoru, který odpovídá jak způsobu jeho
zapojení, tak typu jeho popisu.
Poznámka řešení:
• Numerické hodnoty daných veličin lze získat režimu semisymbolické analýzy (jedná
se čistě rezistivní model).4: Aktivní horní propust druhého řádu. 3.Analogove_elektronicke_obvody_P- Počítačová cvičení 17
3.
Příklad 3.
T
+UCC
uinp
R1
R2
uout
Obr
