Předmět Analogové elektronické obvody (AEO) je zařazen na FEKT VUT v Brně, v bakalářském studijním programu Elektrotechnika, elektronika, komunikační a řídicí technika,v zimním semestru 2. ročníku, jako povinný v oboru Elektronika a sdělovací technika. Do kurzu jsou zařazena i počítačová cvičení (1h. × 13t. ≡ 1 × 2h. každé 2t.), výuka tedy probíhá všesti čtrnáctidenních cyklech.
Vydal: FEKT VUT Brno
Autor: UREL - Lubomír Brančík, Tomáš Dostál, Zdeněk Kolka
Strana 17 z 59
Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.
Pro zapojení Příklad 3.
Předchozí Příklad 3.
Poznámky řešení:
• editoru SNAPu třeba zvolit model tranzistoru, který odpovídá jak způsobu jeho
zapojení, tak typu jeho popisu.
Pomocí programu SNAP najděte symbolický tvar pro napěťový přenos aktivní horní
propusti druhého řádu.
• Nezapomeňte, pracujeme malosignálovým linearizovaným modelem tranzistoru,
zdroj napětí +UCC reálného obvodu sloužil pro nastavení klidového pracovního bodu
(determinuje velikosti dvojbranových parametrů, kterými tranzistor popsán), modelu
obvodu vzhledem změnám signálu jeví jako zkrat.7: Tranzistorový stupeň (unilaterální).
T
+UCC
uinp
R1
R2
uout
Obr.4: Aktivní horní propust druhého řádu.5 zopakujte při popisu tranzistoru jen parametry y21 y11 (ostatní
zanedbáváme).
Příklad 3.
Poznámka řešení:
• Numerické hodnoty daných veličin lze získat režimu semisymbolické analýzy (jedná
se čistě rezistivní model). 3.2: Tranzistorový stupeň zapojení SE. Určete rovněž numerickou hodnotu napěťového přenosu, jsou-li zadány
následující hodnoty prvků: kΩ, 4,7 kΩ, tranzistor y11 450 μS, y21 mS,
y12 y22 Dále stanovte branové odpory symbolickém tvaru (srovnejte Příklad 3.
Pomocí programu SNAP určete symbolický tvar napěťového přenosu tranzistorového
stupně zapojení společným emitorem (SE) Obr.5 stanovte vstupní odpor (při výstupní bráně naprázdno) a
výstupní odpor (při vstupní bráně nakrátko napěťový zdroj uinp ideální). 3.5: Tranzistorový stupeň zapojení SE.6) i
numericky.2, je-li tranzistor (T) popsán
admitančními parametry.
.
Příklad 3.Analogove_elektronicke_obvody_P- Počítačová cvičení 17
3.6 Branové odpory tranzistorového stupně SE.
Příklad 3.4 Příklady pro samostatnou práci 2/2
Příklad 3
