Skripta „Základy televizní techniky“ jsou určena především studentům, kteří jsou zapsáni anavštěvují stejnojmenný volitelný předmět (se zkratkou BZTV) vyučovaný ve 3. ročníku v prezenčníformě studia, bakalářského studijního programu Elektrotechnika, elektronika, komunikační a řídicítechnika EEKR-B, na oborech Elektronika a sdělovací technika B-EST (volitelný oborový předmět) aTeleinformatika B-TLI (volitelný mimooborový předmět). Dále jsou určena studentům kombinovanéformy studia, bakalářského studijního programu EEKR-BK, oboru Elektronika a sdělovací technika BKEST.V neposlední řadě jsou určena i všem zájemcům o zajímavou a vysoce aktuální problematikutelevizní techniky.
Změnou napětí elektrodách dochází opakovanému vytváření
potenciálových jam tím postupnému transportu akumulovaných nábojů. Jestliže tedy začínají vytvářet potenciálové
jámy obou sousedních buňkách, důsledku dotace
N náboje posouvají pouze jedním
směrem.7. 3. Transportní elektrody jsou řízeny napětími jejichž
časové průběhy jsou znázorněny obr.2)
Obr.
Jednoduchá transportní struktura CCD dvoufázových řízením nakreslena obr. z
T
tn
f
1
(3.6
pro tři různé časové okamžiky. Pro zajištění transportu náboje požadovaným směrem nutné, aby transportní
struktura byla elektricky nesymetrická. Aby náboje
přesouvaly vždy jen jedním požadovaným směrem, struktuře substrátu vytvořen kanál N
s dotací
N umístěnou okraji každé buňky. z
T
tn
f
1
a
min
max
. 3. časové průběhy řídicích signálů pro transport náboje
.6. Při použití struktury třífázovým nebo čtyřfázovým řízením není třeba materiál dotovat
příměsí, avšak řídící obvody jsou složitější počet buněk potřebných pro transport větší. 3. Pokud libovolnou soustavu elektrod připojeno
kladné napětí, vytvoří pod těmito elektrodami potenciálové jámy, kterých přesunou
transportovaná kvanta nábojů. 3. Podle toho, jakým způsobem vytvořena nesymetrie
potenciálové jámy, rozlišují struktury dvoufázové, třífázové čtyřfázové. ponořeném kanálu, kde nedochází ovlivňování akumulovaného náboje
rekombinacemi elektronů povrchových nečistotách polovodiče (dosahuje účinnosti přenosu
až 0,99999). Proto transport uskutečňuje hlouběji
v substrátu, tzv.
Rychlost transportu náboje závisí mezních kmitočtech minTf maxTf řídicích signálů,
pro které platí vztahy
max
min
. Transport náboje struktuře CCD
Obr.7.Snímání obrazu
_____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
53
s požadovanou rychlostí minimálním zkreslením
