Skripta „Základy televizní techniky“ jsou určena především studentům, kteří jsou zapsáni anavštěvují stejnojmenný volitelný předmět (se zkratkou BZTV) vyučovaný ve 3. ročníku v prezenčníformě studia, bakalářského studijního programu Elektrotechnika, elektronika, komunikační a řídicítechnika EEKR-B, na oborech Elektronika a sdělovací technika B-EST (volitelný oborový předmět) aTeleinformatika B-TLI (volitelný mimooborový předmět). Dále jsou určena studentům kombinovanéformy studia, bakalářského studijního programu EEKR-BK, oboru Elektronika a sdělovací technika BKEST.V neposlední řadě jsou určena i všem zájemcům o zajímavou a vysoce aktuální problematikutelevizní techniky.
4b. 3.Snímání obrazu
_____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
51
Každý CCD snímač obsahuje kromě světlocitlivých snímacích prvků, kde generován
elektrický náboj, pomocné obvody pro přesun náboje výstupu snímače jeho převod na
napětí.
potenciálová jáma. Jedná oblast
polovodiče ochuzenou majoritní nosiče
náboje (díry), které jsou kladné elektrody
odpuzovány. 3.hE atomům polovodiče, nichž
se uvolňují elektrony vznikají volné páry elektron-díra, tedy volné nosiče záporného náboje
(elektrony) kladného náboje (díry).
„proud tmy“, který dosahuje hodnot
řádově Jeho hodnota musí být co
nejmenší.
Připojením kladného napětí 0FU na
kovovou elektrodu, zatím ještě bez osvětlení
buňky, vzniká pod kovovou elektrodou tzv.1 Princip generace transportu náboje
Základním materiálem pro výrobu snímače CCD křemík typu nebo Elementární
buňka snímače nakreslena obr. 3.
Z jedné strany substrátu společná elektroda
tvořená transparentní (pro světlo propustnou)
polykrystalickou křemíkovou vrstvou, na
druhé straně substrátu kovová elektroda. Takto generované elektrony jsou přitahovány kladnou
elektrodou zaplňují potenciálovou jámu. Pod kladnou elektrodou se
naopak seskupují „nechtěné“ elektrony, které jsou touto elektrodou přitahovány, obr.
3.2.
Jestliže napětí mezi elektrodami je
nulové 0FU světlocitlivá buňka není
osvětlena, jsou polovodiči pouze díry a
velmi malé množství elektronů, obr. Navíc začíná projevovat tepelná generace párů elektron-díra. Čím větší kladné napětí ,
tím větší potenciálová jáma.4a. Tyto
„nechtěné“ elektrony vznikají především
v důsledku teplotní závislosti polovodiče a
v důsledku jeho nečistot. 3. Doba osvětlení nesmí být příliš dlouhá (max.4, kde uvažován polovodič (Si) typu polovodiči
typu jsou majoritními nosiči náboje díry (+), minoritními nosiči náboje jsou elektrony (-). Způsobují tzv. Díry jsou naopak kladné elektrody odpuzovány
dále polovodiče.4. Počet elektronů tedy celkový náboj elektronů úměrný součinu
velikosti osvětlení doby osvětlení.
Mezi kovovou elektrodou substrátem je
tenká izolační vrstva oxidu křemičitého 2SiO . desítky ms
podle aplikace), jinak dochází saturaci potenciálové jámy náboj elektronů již není úměrný
osvětlení buňky. Proto se
Obr.
Požadovaná generace náboje nastává při osvětlením buňky, je-li napětí 0FU Fotony
dopadající světlocitlivou buňku předávají svoji energii . Princip generace náboje
. Pomocné obvody představují nejsložitější část snímačů počet jejich prvků přesahuje až
3x počet snímacích prvků. Velikost
potenciálové jámy závisí velikosti plochy
kovové elektrody
