Skripta „Základy televizní techniky“ jsou určena především studentům, kteří jsou zapsáni anavštěvují stejnojmenný volitelný předmět (se zkratkou BZTV) vyučovaný ve 3. ročníku v prezenčníformě studia, bakalářského studijního programu Elektrotechnika, elektronika, komunikační a řídicítechnika EEKR-B, na oborech Elektronika a sdělovací technika B-EST (volitelný oborový předmět) aTeleinformatika B-TLI (volitelný mimooborový předmět). Dále jsou určena studentům kombinovanéformy studia, bakalářského studijního programu EEKR-BK, oboru Elektronika a sdělovací technika BKEST.V neposlední řadě jsou určena i všem zájemcům o zajímavou a vysoce aktuální problematikutelevizní techniky.
elektronovým paprskem, lze určit celkové doby snímku SNt
a celkového počtu obrazových bodů snímku, podle vztahu Ntt SNSP Neakumulační
snímače mají srovnání akumulačními snímači menší citlivost.1. Při využití vnějšího fotoelektrického jevu elektrodách
snímacího prvku vytvářelo elektrické napětí, úměrné dopadajícímu světelném záření resp. Tato přeměna energie dříve prováděla snímacích
elektronkách (plumbikon, vidikon aj.), které využívaly vnitřní nebo vnější fotoelektrický jev. Zatím nejužívanější snímače CCD (BCCD) jsou vyrobené technologií MOS
(Metal Oxid Semiconductor kovová elektroda, oxidová izolační vrstva, vrstva polovodiče). Obrazový signál formě napětí vzniká
na rezistoru pouze době sepnutí spínače tuto krátkou dobu protéká obvodem proud
úměrný osvětlení bodu vytváří rezistoru odpovídající napětí.
Podle způsobu vytváření obrazového signálu může být proces snímání obrazu buď
neakumulační nebo akumulační.1,
kde uvažován pouze jeden elementární obrazový bod. 3. 3. přeměně energie
světelného záření elektrický signál. Podle technologie výroby snímače
označují CCD (Charge Coupled Devices) nebo novější BCCD (Buried Charge Coupled
Devices), CID (Charge Injection Devices) CMOS (Complementary Metal Oxid
Semiconductor).
V současné době snímání obrazu používají téměř výhradně světlocitlivé
monolitické snímače využívající světelné generace náboje. Zjednodušeně princip neakumulačního snímání nakreslen obr.Snímání obrazu
_____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
49
3 SNÍMÁNÍ OBRAZU
3. Dobu sepnutí SPt spínače který
bývá realizován elektronicky např. Neakumulační snímání Obr.2. Akumulační snímání: akumulace náboje,
b) vybíjení kapacitoru
.1 Neakumulační snímání
Při neakumulačním snímání elementárního obrazového bodu (pixelu, světlocitlivého
bodu) vytvořený obrazový signál úměrný okamžité hodnotě osvětlení uvažovaného bodu
v době jeho snímání. Při
využití vnitřního fotoelektrického jevu měnil vnitřní odpor snímacího prvku závislosti na
dopadajícím světelném záření. zbylou část doby snímku je
spínač rozepnut snímán signál ostatních bodů obrazu.
Obr.1 Základní pojmy
Při procesu snímání obrazu dochází optoelektrické transformaci, tj. 3.
V závislosti osvětlení prvku CCD něm vytváří elektrický náboj, který možné
přesouvat, podobně jako signál analogovém posuvném registru, převodníku
(elektrický náboj napětí) získat obrazový signál.
osvětlení prvku.
3.1
