Základy elektrotechniky II.

| Kategorie: Učebnice  | Tento dokument chci!

Učebnice seznamuje nejdříve se základy kreslení elektrotechnických schémat a dále probírá fyzikální základy elektrotechniky, vlastnosti a charakteristiky elektrických přístrojů a strojů a vysvětluje výrobu a rozvod elektrické energie včetně jejího využití v oblasti elektrické trakce, tepelné techniky a osvětlování. Je určena žákům 2. a 3. ročníků elektrotechnických učebních a studijních oborů středních odborných učilišť.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Ladislav Voženílek, František Lstibůrek

Strana 97 z 456

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
kv), překryje rekombinační pásm celou vrstvu (obr. Takové přechody nazývají vstřikovací proužívají se, jak uvidíme, mezi emitorem bází tranzistorech řídicích elektrod tyristorů triaků. Elektrony nestačí rekorhbmo- vat rozhraní nebo těsně ním, ale pronikají hluboko vrstvy P. Blokovací přechody Pro-vstřikovací přechody charakteristické, nich dochází vstři­ kování inoritních nosičů jedné vrstvy druhé vrstvy. <kp £ © blokovací přechod Vvstřikový přechod br. Uspořádáme-li vrstvy tak, aby obou stran závěrného přechodu byly vstřikovací přecho­ dy, dostanem blokovací přechod (obr. 66). Blokovací přechod Kdyby naopak byla koncentrace elektronů vrstvě menší než kon­ centrace děr vrstvě došlo vstřikování děr vrstvy N. střikovací přechod °=~{ *N2>*P1 © - vstřikový přechod N, P2n---- ku. Část elektronu přitom nemusí stačit ve vrstvě rekom binovat projde protilehlé elektrodě.Vstřikovací přechody Předpokládejm nyní, koncentrace elektronů vrstvě bude větší než koncentrace děr vrstvě tj. kv. 67). Rekombinační pásmo posune vrstvy je-li koncentrace elektronu m nohem větší než koncentrace děr (tj. 67. porovnání závěrným přechodem vlastnost, jsou-li něho každé strany vstřikovány 99 . 66. P N ■O' ©»©- -O-O ■to-£>;£> ©-©- 3-G -e ®-k)-© i ©-K3-0 rekom binační pásmo O br. Tento jev se nazývá vstřikováni elektronů vrstvy Protože elektrony jsou vrstvě P m inoritním nosiči, mluvíme vstřikování minoritních nosičů