|
Kategorie: Učebnice |
Tento dokument chci!
Učebnice seznamuje nejdříve se základy kreslení elektrotechnických schémat a dále probírá fyzikální základy elektrotechniky, vlastnosti a charakteristiky elektrických přístrojů a strojů a vysvětluje výrobu a rozvod elektrické energie včetně jejího využití v oblasti elektrické trakce, tepelné techniky a osvětlování. Je určena žákům 2. a 3. ročníků elektrotechnických učebních a studijních oborů středních odborných učilišť.
Strana 97 z 456
«
Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.
»
Jak získat tento dokument?
Poznámky redaktora
Takové přechody nazývají vstřikovací proužívají se, jak uvidíme,
mezi emitorem bází tranzistorech řídicích elektrod tyristorů triaků. Blokovací přechod
Kdyby naopak byla koncentrace elektronů vrstvě menší než kon
centrace děr vrstvě došlo vstřikování děr vrstvy N.Vstřikovací přechody
Předpokládejm nyní, koncentrace elektronů vrstvě bude větší
než koncentrace děr vrstvě tj. porovnání závěrným
přechodem vlastnost, jsou-li něho každé strany vstřikovány
99
. 66). 66.
P N
■O'
©»©-
-O-O
■to-£>;£>
©-©-
3-G -e
®-k)-©
i
©-K3-0
rekom binační
pásmo
O br. 67. střikovací přechod
°=~{
*N2>*P1
© -
vstřikový
přechod
N, P2n----
ku. 67). Elektrony nestačí rekorhbmo-
vat rozhraní nebo těsně ním, ale pronikají hluboko vrstvy P. <kp
£
©
blokovací
přechod
Vvstřikový
přechod br.
Blokovací přechody
Pro-vstřikovací přechody charakteristické, nich dochází vstři
kování inoritních nosičů jedné vrstvy druhé vrstvy. Uspořádáme-li
vrstvy tak, aby obou stran závěrného přechodu byly vstřikovací přecho
dy, dostanem blokovací přechod (obr. Tento jev se
nazývá vstřikováni elektronů vrstvy Protože elektrony jsou vrstvě P
m inoritním nosiči, mluvíme vstřikování minoritních nosičů.
Rekombinační pásmo posune vrstvy je-li koncentrace elektronu
m nohem větší než koncentrace děr (tj. kv), překryje rekombinační
pásm celou vrstvu (obr. Část elektronu přitom nemusí stačit ve
vrstvě rekom binovat projde protilehlé elektrodě. kv
