Základy elektrotechniky II.

| Kategorie: Učebnice  | Tento dokument chci!

Učebnice seznamuje nejdříve se základy kreslení elektrotechnických schémat a dále probírá fyzikální základy elektrotechniky, vlastnosti a charakteristiky elektrických přístrojů a strojů a vysvětluje výrobu a rozvod elektrické energie včetně jejího využití v oblasti elektrické trakce, tepelné techniky a osvětlování. Je určena žákům 2. a 3. ročníků elektrotechnických učebních a studijních oborů středních odborných učilišť.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Ladislav Voženílek, František Lstibůrek

Strana 118 z 456

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
tranzistor MOS? 5.15. 2. Vysvětlete usměrňovači princip přechodu polovodič kov. Podle technologie výroby dělíme integrované obvody tři skupiny: 1. Jaké druhy tranzistorů řízených elektrickým polem znáte? 3. 92. Techno­ logie jejich přípravy levnější než ostatních druhů. 6.6. izolační destičku nanesou vrstvy nich vytvoří rezistory, kondenzátory vo- 2. jednom výbrusu křemíkového krystalu připraví diody, tranzistory rezistory navzájem se propojí uceleného obvodu. 3. velkou integrací počtem nad 500 prvků, 4. Monolitické vyrábějí jedné destičce'monokrystalu. 4. malou integrací jedné destičce prvků, 2. Příklad struktury obvodu jednoduchého monokrystalického je na obr. 2. Jaké druhy stykových usměrňovačů znáte? 2.7. stupně integrace) dělíme integrované obvody tyto druhy: 1. Poměrně jed­ noduchou technologií těchto vrstvách připraví pasívní prvky (re­ zistory, kondenzátory) tranzistorů pouze tranzistory řízené elektrickým polem (MOS). y 120 .Vysvětlete princip tranzistoru řízeného elektrickým polem. INTEGROVANÉ OBVODY Slovo integrovaný zde znamená, několik prvků sdružilo jedné součástky. Nakreslete strukturu tranzistoru FET typu PNP. zvláště velkou integrací jednom prvku obsahují celá zařízení pro miniaturní počítače. Integrovaný obvod elektronická součástka, která obsahujé několik aktivních prvků (tranzistorů) pasívních prvků (diod, rezistoru konden­ zátom), zčásti mezi sebou propojených, společné destičce jednom společném pouzdru. Podle počtu polovodičových prvku jednom integrovaném obvodu (podle tzv. Pro součástky tohoto druhu vžila zkratka IO. střední integrací počtem 500 prvků, 3. Vrstvové vyrábějí nanesením polovodičových, vodivých izo­ lačních vrstev izolační destičku skla nebo keramiky. Hybridní kombinace obou uvedených druhů