Učebnice seznamuje nejdříve se základy kreslení elektrotechnických schémat a dále probírá fyzikální základy elektrotechniky, vlastnosti a charakteristiky elektrických přístrojů a strojů a vysvětluje výrobu a rozvod elektrické energie včetně jejího využití v oblasti elektrické trakce, tepelné techniky a osvětlování. Je určena žákům 2. a 3. ročníků elektrotechnických učebních a studijních oborů středních odborných učilišť.
izolační
destičku nanesou vrstvy nich vytvoří rezistory, kondenzátory vo-
2. Jaké druhy stykových usměrňovačů znáte?
2. Vrstvové vyrábějí nanesením polovodičových, vodivých izo
lačních vrstev izolační destičku skla nebo keramiky.15. malou integrací jedné destičce prvků,
2. Poměrně jed
noduchou technologií těchto vrstvách připraví pasívní prvky (re
zistory, kondenzátory) tranzistorů pouze tranzistory řízené elektrickým
polem (MOS).
6.
Integrovaný obvod elektronická součástka, která obsahujé několik
aktivních prvků (tranzistorů) pasívních prvků (diod, rezistoru konden
zátom), zčásti mezi sebou propojených, společné destičce jednom
společném pouzdru.
Podle technologie výroby dělíme integrované obvody tři skupiny:
1. INTEGROVANÉ OBVODY
Slovo integrovaný zde znamená, několik prvků sdružilo jedné
součástky.
Příklad struktury obvodu jednoduchého monokrystalického je
na obr.Vysvětlete princip tranzistoru řízeného elektrickým polem. Hybridní kombinace obou uvedených druhů.
2. stupně integrace) dělíme integrované obvody tyto druhy:
1.
3. Monolitické vyrábějí jedné destičce'monokrystalu. 92. Techno
logie jejich přípravy levnější než ostatních druhů. Jaké druhy tranzistorů řízených elektrickým polem znáte?
3. velkou integrací počtem nad 500 prvků,
4. Nakreslete strukturu tranzistoru FET typu PNP. zvláště velkou integrací jednom prvku obsahují celá zařízení
pro miniaturní počítače. Vysvětlete usměrňovači princip přechodu polovodič kov.
2.
4. střední integrací počtem 500 prvků,
3. jednom výbrusu
křemíkového krystalu připraví diody, tranzistory rezistory navzájem
se propojí uceleného obvodu. Pro součástky tohoto druhu vžila zkratka IO. y
120
.6.
Podle počtu polovodičových prvku jednom integrovaném obvodu
(podle tzv.7. tranzistor MOS?
5
