Učebnice seznamuje nejdříve se základy kreslení elektrotechnických schémat a dále probírá fyzikální základy elektrotechniky, vlastnosti a charakteristiky elektrických přístrojů a strojů a vysvětluje výrobu a rozvod elektrické energie včetně jejího využití v oblasti elektrické trakce, tepelné techniky a osvětlování. Je určena žákům 2. a 3. ročníků elektrotechnických učebních a studijních oborů středních odborných učilišť.
Tím vrstva přehltí elektrony přechod mezi otevře. 84), kdy nahrazuje dva antiparalelně spojené tyrislory. Při
tom použití jsou jeho hlavním přednostm i
a) enšení zařízeni odvádění ztrát stačí jeden chladič,
b) úspora řídicích obvodů stačí jeden řídicí obvod, zatím ekvi
valentního zapojení tyristory jsou dva řídicí obvody.
Řídicí proud, který prochází mezi anodou řídicí elektrodou, pro tento
tranzistor vstupním proudem otevírá ho.11. Tím uvolňuje cestu pro ko
lektorový proud lc.
Jiný způsob otevření tyristoru řízení vzdálené báze (někdy mluví
o tyristoru nepřím řídicí elektrodou). echanism zapnutí kladným řídicím impulsem se
nezměnil. 83c). )
Triak polovodičová součástka umožňující řízení obou půlvln stří
davého proudu jednou řídicí elektrodou. tohoto typu obvyklém
provedení měla být řidiči elektroda vyvedena vnitřní vrstvy ísto
toho ale připojena vstřikovací vrstvě Představm nyní, tato
vrstva tvoří vrstvami tranzistor, jehož itorem bázi P2
a kolektorem obr.6. 83b).
2. Proud procházející levou polovinou tyristoru mezi
vrstvami vyvolá vstřikování děr přehlcení vrstvy 2
děram dojde otevření blokovacího přechodu mezi P,. Používá řízení střídavého
výkonu (obr. izcní střídavého
výko u
a) dvěm tyristory,
b) tríakem řídicí
o y
114
. Řídicí elektroda není vyvedena
7.
Ačkoli většina dnes vyráběných tyristorů klasické provedení (od
povídající obr. 83c tento tranzistor vytažen tlustou čarou. 83a), vysvětlili jsm ostatní způsoby řízení proto, budou
důležité při výkladu triaku.tronii (obr. Přivedeme-li však řidiči elektrodu záporný impuls, přichází
řidiči proud pravého katodového kontaktu řídicí elektrody přes pře
chod vrstvy jsou itovány inoritní nosiče elektrony —
do P2.
O 84. vnitřních vrstev tyristorové struktury, ale připojena vstřikovací
vrstvě připravené vnější vrstvě Zapnuti tyristoru tohoto prove
dení ukážem typu (obr
